"Reactive sputtering" 검색결과 81-100 / 130건

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  [재료공학]박막의 증착 공정

  yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 ... ․불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering- 타겟이나 기판에 직접적인 화합물 형성에 참여하지 않음․불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering ... 형성과 타겟의 오염을 피하기 위해 공정의 주의 깊은 조절이 필요(2) compound-coated cathode간단하나 스퍼터링 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물 타겟은 sputtering

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.09

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  [금속재료공학]스퍼터링

  또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다.② 라디오 ... 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다. sputter장치의 시스템은 target쪽을 음극(cathod)으로 하고 기판쪽을 ... 일반적으로 sputter yield는 이온의 에너지와 질량이 증가하면 증가한다.그러나 이온의 에너지가 너무 크면 이온 주입이 일어나 오히려 sputter yield는 감소한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

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  [공학]evaporation증착

  N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다. ... (sputter보다 몇 배 빠르다)(7) sputter와 같은 플라즈마에 의한 시료의 파손이 없다.? ... 또한 sputtered된 기판과 비교 설명할 수 있다.3.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.11

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  CBD실험 예비레포트

  coatings- Reactive surfaces- Gas sensors- ImmunosensorsThin film formation- Langmuir and Langmuir-Blodgett ... 응용 요 이점은 분자의 label free detection을 할 수 있다는 점입니다.Thin Film thickness monitoring in thermal, e-beam, sputtering ... formation of biofilmsFunctionalized surfaces- Creation of selective surfaces- Lipid membranes- Polymer

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.16

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  스퍼터링

  타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인 ... 이 현상을 스퍼터링(sputtering) 현상이라고 부른다. ... 이러한 electron은 chamber안의 sputtering gas(주로 Ar)를 때리게 되고 sputtering gas는 다시 타겟 표면을 때리게 된다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

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  pn다이오드 접합과 반도체 그리고 lithograpy기술과 종류

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다.이상과 같은 ... 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 solvent류가 있다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.09

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  ITO Glass

  덩어리 상태에서는 노란회색을 띤다.ITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅한 유리를 말한다. ... 형성되는 유속에 의해 지배되는 증착법이다.이온플레이팅도 스퍼터링과 비슷하게 플라즈마를 사용한 증착공정이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발 법으로 기상화한 뒤 reactive ... TN-LCD를 기반으로 STN(super-twisted nematic), DSTN(double-layer STN), CSTN(color-STN) 등이 있다.

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.27

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  [재료실험][DH실험] 반도체단위공정, 증착, 식각

  기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.-. O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.(단점)-. ... 균일한성막이가능, step 또는 defect coverage가좋다.-. 박막의응착력(adhesion)이좋다.-. ... cathode에 (-)전압을가하면-. cathode로부터방출된전자들이 Ar 기체원자와충돌하여, Ar을 이온화 시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.05.11

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  [공학기술]ion plating(이온도금)

  이온들은 기판에 음의 바이어스가 인가되었기 때문에 충돌하는 것인데, 이는 마치 기판을 타깃으로 하여 스퍼터링(sputtering)이 이루어 지고 있다고 생각할 수 있다. ... ion plating)은 글로 방전(glow discharge)을 이용하여 기판에 지속적으로 이온충돌을 가하면서 막을 증착하는 공정으로 증발 증착(evaporation)과 스퍼터링(sputtering ... 이렇게 형성된 증기는 반응 가스(reactive gas) 그리고/또는 불활성 기체들과 함께 이온화되어 양의 이온으로 변한다.

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08

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  [sputter]sputter 종류와 mechanism

  만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.보통 ... Target을 cathode로 하여 스퍼터링 할 때 주파수가 10 MHz 이상 되어야 효과적인 sputtering이 일어난다. ... Target에서 스퍼터되어 떠나가는 원자들은 활성화된 또는 이온화된 상태로 target을 떠나기 때문에 반응성(reactive) 스퍼터링이 가능하다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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  Lithography

  Reactive-Ion Etching(RIE) combines the plasma and sputter etching processes.Photoresist removal PR stripper ... Thermal oxidation, chemical vapor deposition, sputtering, vacuum evaporation process produce thin film.SubstrateSiO2 ... wafer surface.

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  [공학]디스플레이 재료및 공정

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 박막공정기술(Thin film process)1)CVD - PECVD2)PVD -Vacuum evaporation-sputtering4. ... ①이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ②이온을 이용하는 스퍼터링(sputtering), 이온플레이팅(ion plating), 이온주입(ion mplantation

  리포트 | 33페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.02.22

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  [재료공학실험, 반도체]Lithography

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택는데, 대표적인 것이 lift off ... 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 solvent류가 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.28

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  PACVD

  (저항가열, e-beam, 유도가열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질을 source로 ... 이온플레이팅도 스퍼터링과 비슷하게 플라즈마를 사용한 증착공정이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발법으로 기상화한 뒤 reactive gas나 불활성 기체들과 함께 ... 이것을 reactive ion plating이라 하며 질소, 산소 그리고 탄소 함유기체를 넣어 질화물, 산화물 그리고 탄화물을 만든다.4.3 ImpuritiesPAPVD계에서 불순물은

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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  [반도체 관련 장비] 스퍼터 원리와 DC,RF 스퍼터

  또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다. ... 스퍼터링의 원리{(2)스퍼터링의 종류(2-1) 직류 인가 스퍼터링(D.C Glow Discharge sputtering)가장 간단한 스퍼터링 구조로서 전도성 물질의 스퍼터링에 사용된다 ... 전형적인 직류 인가 스퍼터링의 구조를 그림 5에 나타내었다.(2-2) 라디오 주파 스퍼터링(radio frequency-sputtering)직류 인가 스퍼터링의 가장 큰 단점은 절연물질의

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.06

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  박막의 증착 실험

  )직류전원을이용한 sputtering 방법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다. ... 할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있다판을 sputter하는 sputter etch와 sputtering하는 동안 target보다 훨씬 작은 (-) ... 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다.1 직류스퍼터링(DC sputtering

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  [공학]투명전극(TCO)

  산화물 타켓을 이용한 non-reactive sputtering으로 박막제조.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.04.03

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  [금속공학]건식증착법

  이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering )이라고 한다.(2) 이온주입법 ... 일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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  [전자공학] 박막형성법과 박막특성

  :9Reactive Sputtering임의의 목적에 따라 산화물 또는 질화물등의 박막을 형성하기 위해 reactive sputtering을 이용한다. ... sputtering 에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다. ... 이 sputtering 방법은 보통의 sputtering과 동일하나 sputter 기체로서의 Ar 외에도 미량의 산소나 질소를 함께 공급해서 원하는 화합물의 박막을 얻을 수 있다.스퍼터

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  이온플레이팅의 원리

  (저항가열, e-beam, 유도가열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질을 source로 ... 음극표면에서 방출된 원자는 다시 다음의 반응으로 이온화된다.S + e- → S+ + 2e-S + G* → S+ + G + e (Penning이온화) ------------------ ... Bunshah교수가 개발한 활성화반응 증착법(ARE법 : Activated Reactive Evaporation)은 종래 CVD에 의해 1,000℃ 이상의 고온에서 증착시켜 온 TiC막을

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.12.02

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