"Reactive sputtering" 검색결과 101-120 / 130건

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  [진공과학] 진공증착

  target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.● Sputter deposition의 장점1) 여러 가지 다른 재료에서도 성막속도가 안정되고 비슷하다.2) 균일한 성막이 가능, step ... Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary)* Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow discharge가 ... 연속진공증착 Pilot Plant① 처리능력 : 폭 150-300mm, 단중 500kg, 두께 0.2-1.2mm의 Metal Coil② 소재예열 : 100kW EB Gun으로 Metal strip을

  리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2004.11.14 | 수정일 2015.09.25

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  Sputtering의 종류와 메카니즘

  etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- O2, N2 등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.단점:- 고가장비- 낮은 증착률(SiO2 ... ) 과 증발법(evaporation) 으로 나눌수 있다.- sputter 장치 :진공 장치에 불활성 기체를 주입하고 방전을 일으켜 금속, 유전체또는 반도체 박막을 제작하는 장치로1. ... 스퍼터링(sputtering)고 에너지의 입자를 원하는 박막과 동질인 물질로 이루어진 기판에 충돌시켜 그곳으로부터원자와 분자가 떨어져 나와 박막을 만드는 방법을 말한다.VLSI의 금속

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.11

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  [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다.이상과 같은 ... PR을 용제(solvent)에 녹이는 과정에서 PR 위에 deposition된 film은 제거되고 substrate 위에 deposition된 film 만이 남게 되는 것이다.Pattern

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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  [박막]Vibrational Properties of Amorphous CNx:H Films by FTIR

  sputtering system with DC bias at various deposition conditions. ... AbstractHydrogenated amorphous carbon nitride (a-CNx:H) films were prepared by reactive RF magnetron ... In hydrogenated CN samples, CHx and NHx groups give rise to stretching vibrations at 3000 and 3400 cm

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.11.20

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  MEMS 개론 정리

  etching- Accomplished by replacing the neutral gas in a r.f. sputtering systemby one or more chemical ... species- Highly anisotropic etching- Less consumption of chemicals? ... - Isotropic Etching- Etching Mechanism④ Reactive Ion Etching (RIE)- A combination of physical/chemical

  리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.11.01

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  [공학] 건식도금에 대하여 CVD와 PVD

  )(2)고주파 스퍼터링(RF sputtering)(3)반응성 스퍼터링(reactive sputtering)(4)막의 성장과정【3】이온도금(ion plating)(1) 이온도금의 원리이온도금은 ... 따라서 글로방전은 직류가 아니라도 전자를 나선상태로 만들어 주면 (고주파나, 마그네트론 등으로) 발생시킬 수 있다.음극스퍼터링의 종류는 다음과 같다.(1)직류스퍼터링(DC sputtering ... 증발도금이라고도 말하고 세 가지로 분류할 수 있다.. 1)진공증착법(vacuum metallizing):뒷면은 도금이 되지 않으므로 기판을 회전시켜야 한다2)음극스퍼터링(cathode sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.01

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  [공학]플라즈마

  국내에서의 코팅산업은 주로 도금법에 의한 습식 코팅과 sputtering, evaporation 등의 물리증착법이 널리 사용되고 있다. ... 상승됨에 따라 기계 공구 및 금형 등의 제품 코팅에 유리하다.PACVD공정은 챔버 안에 유입된 가스들이 플라즈마에 의해 기저상태에서 excitation, dissociation, reactive ... conditions specified therein.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.11

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  [반도체] PVD 리소그라피

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서 sputtering ... 비 선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(rea(registration)에 대한 기술, 그리고 스텝퍼 디자인에서 지금까지

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18

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  [재료 금속 박막 증착] PVD CVD(박막)

  sputtering, magnetron sputtering등이 있다.그러나 sputtering은 장비가 비싸다는 단점이 있다. ... 확산이 없다.Target이 decompose되지 않는다.Reactive contamination이 없다.Component들의 gas-phase transport가 같다.Component들이 ... 조성과는 다른 composition을 갖는다.그러나 곧 steady state에 도달하여 sputtered flux의 조성은 bulk target의 조성과 같게 된다.

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.12

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  박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

  이러한 습식 식각과 비교하여 건식 식각은 플라즈마 내에 존재하는 양이온의 물리적인 sputtering 효과와 반응성 식각 가스의 라디칼에 의한 화학반응을 동시에 이용하기 때문에 비등방적 ... /실험내용/가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE ... QDR 수조 : PVDF 재질, DIW shower, Hot DI supply?

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

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  [증착법] 증착법

  O}_{2 } , { N}_{2 }등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다. ... - 기판과 target사이 거리 결정- Reactive sputtering시 반응성 기체의 압력 결정- 위의 조건들로부터 각 경우의 성막속도 결정- 성막속도에 따른 성막시간 조절로 ... (단점) - 성막속도가 낮다(10Å/sec 이하)→ Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다.- High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 damage

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  [반도체공정]Photo lithography

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다. ... 웨이퍼의 노광은 스텝퍼(stepper)라 불리는 step and repeat 시스템에서 다이(die)마다 이루어진다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.07.22

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  박막증착

  기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.-. O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.(단점)-. ... .# 에피택시(Epitaxy)- crystalline substrate 위에 얇은 crystalline 층을 성장시키는 것. 주로 CVD를 사용한다.2. ... 균일한성막이가능, step 또는 defect coverage가좋다.-. 박막의응착력(adhesion)이좋다.-.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17

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  졸겔법

  된다.3) 보통의 방법으로는 제조할 수 없는 새로운 조성의 유리 및 세라믹스의 제조가 가 능하다.4) 미세하며 균일한 입자로 된 다결정 세라믹스의 합성이 가능하다.5) 스퍼터링(sputtering ... 일반적으로 1∼1000㎚ 정도의 입자들(콜로이드)로 이루어져 인력이나 중력의 작용이 무시할 정도로 작아 전구체는 금속이나 준금속 원소들이 다양한 반응성 배위체(reactive ligands ... derived ceramics)"를 제조하는 방법을 말한다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.06

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  [에칭공정]에칭(etching)의 이해 및 공정

  다시 말해서 선택도는 물질에 따라 스퍼터링율(sputtering yield)이 크게 다르다는 것이다. 대부분의 물질을 이러한 스퍼터링율이 부적합하다. ... 또한 그림 3을 보면 여러 종류의 식각 메카니즘은 물리적인 기초(Glow-Discharge Sputtering)와 화학적인 기초(플라즈마 에칭), 혹은 두 가지의 조합(Reactive ... Ion Etching, RIE, 그리고 Reactive Ion Beam Etching, RIBE)을 포함하고 있음을 알 수 있다.먼저 부각된 것은 스퍼터링(Sputtering)이라는

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  [반도체공학]박막증착

  of reactive seals and shadow plugs (b)Lateral channel sealed with silicon nitride (c)Basic method of ... {기본공정세부공정종류박막형성(deposition)화학기상증착(CVD)열증착(evaporation)스퍼터링(sputtering)에피성장(epitaxy)산화(oxidation)노광전사( ... 공기중 CVD, LPCVD(저압화학기상증착법)에 의해⊙ Amorphous SiliconㆍLCD 디스플레이의 박막트랜지스터의 제조ㆍ열증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  [공업화학실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  field)에 의해 가속된 후 충돌할 때의 운동량 이전에 의해 표면마멸 현상이 일어나는 것으로서, 여기에는 이온빔(ion beam) 식각(혹은 이온빔 밀링(milling)), 스퍼터(sputter ... .■ 실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE ... 웨이퍼 생산공정 개요※ 메모리 Device의 경우 64M, 128M, 256M, 1G로 갈수록 상기 세부공정은 많아지고(1G가 400step ) 회로선폭이 줄어들어 고 집적도가 요구됨

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.25

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  강유전체 원리와 응용

  강유전체 박막의 제조 방법으로는 sputtering 법, laser ablation, MOCVD, Wet Process (sol-gel, LSMCD) 등이 주로 사용되고 있다.위에서 ... BLT 박막은 1996 년에 Noboru 가 RF sputtering 이용하여 만든 BLT 박막이 좋은 피로특성을 가진다는 결과를 보고하였고[4], 1999 년에 Noh and coworkers ... 그렇지만 백금은 동시에 화학적으로 매우 안정하여, 반응성 건식 식각 (reactive dryetching)등 산에 적합한 화학적 미세가공기술을 현재 확립되어 있지 않다.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.03.02

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  [고체및재료실험]표면관찰

  방식의 sputter 에칭 장치③이온빔에 의한 에칭가속된 이온만을 써서 시료표면의 원자를 물리적으로 스퍼터링해서 에칭하는 방법이다. ... 그러나 이온빔(ion beam)을 이용한 스퍼터링(sputtering)법과 같은 물리적 에칭을 이용하면 그 단면형상은 그림 1(b)와 같이 된다. ... 따라서 후자의 장치를 반응성 이온장치(reactive ion etching, RIE) 라 부른다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.06

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  [섬유, 전자파] 전자파 차폐섬유

  그리고 sputter 되는 원자들은 기판(subs음이온은 주로 여러 가지 조성의 타겟을 스퍼터링 할 때나 리액티브(reactive) 스퍼터링을 할 때 발생한다. ... 타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인 ... 이러한 electron은 chamber안의 sputtering gas(주로 Ar)를 때리게 되고 sputtering gas는 다시 타겟 표면을 때리게 된다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.15

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