"cvd 실험" 검색결과 41-60 / 952건

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  RC 시상수 실험(예비보고서) 물리학 및 실험

  -t/T))Vd(t)=1/C*Q(t)=e^(-t/T)실험장치 및 기구1. ... 알아본다.실험이론축전기와 전기저항으로 구성된 R-C회로에 키르히호프 제 2법칙을 적용하면R*dQ/dt+1/C*Q=이 된다. ... RC 시상수 실험실험목적직류전원에 의해 축전기에 전하가 충전되는 양상을 관찰하고, R-C회로의 전기적 특성을 대표하는 시상수를 측정하여 축전기의 직렬, 병렬연결에 대한 등가 전기용량을

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.18

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  중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

  MOSFET 소자 특성 측정실험일시 :작성자 :담당교수 :이름학번분반실험날짜설계실습 4. ... VD를 0.0V부터 1.0V까지 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 VD를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 1.0V부터 5.0V까지 1.0V씩 높여가며 전류를 측정한다 ... , 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용 하여 소자의 특성을 구한다.실습준비물DC Power Supply(2channel) : 1대DMM : 1대40cm 잭-집게

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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  울산대학교 전자실험(2)결과16 차동 증폭기 회로

  }2.45V1.27V1.86V1.86-A_Vd파형입출력-A_Vc 파형입력출력2.결과 및 고찰이번 실험은 차동증폭기 회로의 직류동작과 교류증폭을 알아보는 실험이었다.먼저 부품측정 후 ... 1 =8.541vI_E=0.438mAV_R_C1=1.52vr_e1=118.72V_B_2=0vV_C_2=7.12V_R_C2=4.16r_e_2=118.72 의 값을 얻을 수 있었다.이때r_e의 ... 끝부분에 알게 되어서 이번 실험에서 실험값들이 잘 안 나온 이유를 나중에야 알 수 있었다.주어진 전압의 절반의 값이 입력되어서I_E도 이론값의 절반이 나왔고r_e는{ 26m} over

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.18

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  [A+결과레포트 전자회로설계실습]12. Limiting회로와 Clamping회로의 설계

  결론이번 실험에서는 limiting, clamping 회로를 설계, 구현하고 결과를 분석하는 실험을 하였다. ... 요약이번 실험에서는 다이오드를 이용하여 limiting, clamping 회로를 설계, 구현하고 결과를 분석하는 실험을 하였다. ... (C) 4.3(A) 실험에서 Diode의 방향을 반대로 하여 의 파형을 관찰하여 기록한다.Vavg=-3.7V로 전압의 부호가 반대로 바뀌고 전위차(Vavg) 또한 증가하였다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26

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  전자회로실험1 예비보고서 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  blogId=710hsy&logNo=220252067378&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F[2] 전자회로실험 제 10판예비보고서 ... 케소드(cathode)라 한다. ... 전자회로설계및실험1 실험일: 2019년 03월 25일

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.29 | 수정일 2019.09.30

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  MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서

  (C) VGS=VT+0.6V인 경우, ro를 구하여라. ... (C),(D) 를 보면 문지방전위인V _{T} =2.3V임을 알 수 있다.3.2(C)의 결과와 비교했을 때 약 0.1V 차이난다.그리고 Data sheet에서의 값과는 0.2V의 차이가 ... VD를 0.0V부터 1.0V까지 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 VD를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 1.0V부터 5.0V까지 1.0V씩 높여가며 전류를 측정한다

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  2장 다이오드 특성 예비보고서

  cid=42434&categoryId=42434" https://terms.naver.com/list.nhn? ... cid=42434&categoryId=42434(별지) 측정 Datasheet1. ... 역방향 바이어스SiGeVRISDC 저항예비보고서 전자회로설계및실험1 실험일: 년 월 일

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.22 | 수정일 2022.03.28

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  서강대학교 고급전자회로실험 - 실험 3. 차동 증폭기 결과 보고서

  channel length modulation 현상으로 인해 기울기가 생기기 때문에 시뮬레이션 값과는 다소 차이가 나는 출력 저항 값이 계산되었다.실험1.2[2.1] 회로 구성 후 ... : 0.257V][, 진폭 : 0.02V][, 진폭 : 0.38V]실제 실험을 진행함에 있어서 Vd1, Vd2, Vbg, Vg1, Vg2 등 기본 MOS의 DC bias를 결정하는 ... 또한V _{i`n} 의 크기가 너무 낮으면 정전류원 역할을 하는 current source 부분이 triode region으로 진입하기 때문에 일정 전압보다는 높게 걸어주어야 하고

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24

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  전자실험 16장 예비 차동 증폭기 회로

  된다.(3) FET 차동 증폭기A_vd = - { g_m R_D} over { 2} 으로g_m의 크기에 따라 전압이득이 변하게 된다.3.실험방법(1)차동 증폭기 바이어스-직류값V ... =-beta { V_i1} over { 2beta r_e}R_C 이므로A_Vd =- { R_C} over {2r_e}r_e = { V_th} over {I_E OVER2 }(2) ... 실험16 차동 증폭기 회로1.실험목적2개의 입력 신호들의 차이를 증폭시키는 bjt,jfet 차동 증폭기 회로에서 DC전압과 AC전압을 계산하고 측정하고 차동이득과 공통모드 이득을 계산해본다

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.13

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  전자회로실험1 8주차 결보

  이는 피스파이스 실험과 거의 비슷한 값으로 나왔고 각각 VD < VGS-Vt 영역에선 대체로 log scale로 증가하는 경향을 보였고 VD > VGS-Vt 영역에서는 대체로 일정한 ... 조교님들이 말해주신 대로 긴 P,NMOS를 이용하여 각각 VD의 변화에 따른 ID를 측정하여 ID-VG그래프를 그리고 그로부터 문턱전압인 VTH와 K값을 추정하였다.출력특성이 실험은 ... 전자회로 실험 결과보고서이름 :학번 :실험제목MOSFET의 특성실험목표① 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.② MOS 소자의 특성 곡선을 측정해 보고, 이를 통해서

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  울산대학교 전자실험(2)예비16 차동 증폭기 회로

  된다.(3) FET 차동 증폭기A_vd = - { g_m R_D} over { 2} 으로g_m의 크기에 따라 전압이득이 변하게 된다.3.실험방법(멀티심)(1)차동 증폭기 바이어스-직류값V ... =-beta { V_i1} over { 2beta r_e}R_C 이므로A_Vd =- { R_C} over {2r_e}r_e = { V_th} over {I_E OVER2 }(2) ... 실험16 차동 증폭기 회로학번 : 이름 :1.실험목적2개의 입력 신호들의 차이를 증폭시키는 bjt,jfet 차동 증폭기 회로에서 DC전압과 AC전압을 계산하고 측정하고 차동이득과 공통모드

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.19

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  전자공학응용실험 - 다단 증폭기 결과레포트

  고찰 :첫 번째 실험에서 VDD를 6V로 주고 VG를 0.1V씩 증가시켜서 VD를 측정하여 Vth를 구하였다. ... (4) C 있음C 없음VDD=6VVDD=7VVDD=6VVDD=7VRL=10KRL=100KRL=10KRL=100KRL=10KRL=100KRL=10KRL=100KAv12.68323.41545.12274.8846.511.16310.9320.953 ... 이때, 1.8V부터 VD가 감소하기 시작하여 1.9~2.2V사이에서 급격히 감소하는 것을 관찰할 수 있었다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.20

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  제11판 기초전자공학실험/ 실험3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  실험 내용 및 결과1) 문턱 전압 V _{T}Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 문턱 전압을 측정하라 ... 실험목적실험장비3. 이론개요4. 실험 내용 및 결과5. 실험 결론6. 토의 및 고찰1. ... 4.449VI_{ D}= { V _{ O} } over {R } 으로 계산했을 때 I_{ D}의 계산값은 2.02 ㎃c.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.31

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  전자회로실험 21장 공통 다단 증폭기 RC 결합 레포트

  이제 =1kΩ를 연결하고, 다음 값을 측정하고 기록하라.시뮬레이션 결과VD = 9.6VID = 0.6mA가 측정되었다회로도를 구현하여 실험값을 구해보았다.측정결과VGS = 2.2VVD ... 공통 소스 회로의 직류 바이어스시뮬레이션 결과Vd1 = 17VVG1 = 11.4uVVs1 = 0.4VVd2 = 17.7VV G2 = 11.4uVVs2 = 0.4V회로도를 구현하여 실험값을 ... 출력 임피던스의 예상 값은 다음과 같다.2.2KΩc. 1MΩ 저항 를 주파수 에서 실효값 =10mV를 갖는 입력 신호와 직렬로 연결하고, 을 측정하라.5 mV * 1 M/(10 mV

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29

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  아주대 실험20 정류회로 결과보고서 A+

  주파수와 R을 고정하고 같은 효과를 얻으려면 C의 값을 어떻게 바꾸면 되겠는가?실험 4는 RLC 회로를 가지고 실험을 진행하였다. ... 실험 4에서는 R, C를 고정하고 주파수를 2배, 5배 상승시키면서 평균 출력전압을 비교하였다. ... 실험 4는 RLC 회로를 가지고 실험을 진행했고, 교류 회로에서 커패시터는 저항과 같이 전류의 흐름을 방해하며 이를 리액턴스라 하고 Xc = 1/2πfc 의 식을 통해 R,C를 고정하고

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.23

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  관마찰손실실험

  실험 결과D=0.43cm=0.0043m관로의 단면적 A={pi D ^{2}} over {4}=1.452201*10 ^{-5}유속v =유량/단면적S= {h} over {L}f= {2gDS ... -마찰손실계수는 레이놀즈수와 관의 조도에 의한 조도이다.: 레이놀즈 수Re= {vd rho } over {eta } = {vd} over {nu }v=유속#d=유로의`지름#rho = ... 실험제목: 관 마찰 손실 실험1. 실험 일자: 2019. 4. 52.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.10.17

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  울산대학교 전자실험예비2 다이오드 직렬 및 병렬연결

  다이오드가 켜진 상태에서는 그림 2-1(c)와 같이 임계전압으로 대치하여 해석한다. ... 실험 이론DC 전압이 공급될 경우 다이오드 회로의 해석은 다이오드가 켜진 상태인지, 아니면 꺼진 상태인지를 먼저 결정하여야 한다. ... 실험 목적특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결하였을 경우의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용회로를 해석하는 능력을 개발한다.2.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20

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  3. 휘트스톤 브릿지 결과레포트 A

  (VB=VD, V1=V3, V2=Vx) 이때, A-B-C 방향으로 흐르는 전류와 A-D-C 방향으로 흐르는 전류는 직류이므로 I1=I2 , I3=I4 이다.따라서 V=IR 이므로 R1I1 ... (1) 실험목적평행판 극판에 고전압을 걸고 전자저울을 사용하여 직접적으로 쿨롱의 힘을 측정하는 실험이다.(2) 이론① 휘트스톤 브릿지 회로검류계에 전류가 흐르지 않는다면 B 와 D

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.11.25

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  A+ 받은 유체역학,레이놀즈 수 예비 보고서-화학공학실험2

  점성(viscosity): 유체의 내부 저항 또는 저항력을 나타내는 물성c. ... 개 요1) 실험 목표: 실험장치를 이용해 유량, 유속의 변화에 따라 레이놀즈 수 값과 유체 흐름이 어떻게 변하는지 관찰하고 레이놀즈 수에 영향을 주는 요인들을 배운다. ... Reynolds number(레이놀즈 수):Re=ρVD / μ(Re= 레이놀즈수, V [L/T]=Q/A: 관에 흐르는 유체의 평균속도, D[L]: 관의 직경, ρ[M/L3]: 유체의

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.30

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  서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 8주차

  /Transistors/2N7000.shtml" http://www.futurlec.com/Transistors/2N7000.shtmlFDC6329L : Hyperlink "https ... VG가 커질수록, Channel의 폭이 넓어진다.√ VD 가 커지면 VG 로 인해 생겼던, Channel이 작아진다. ... ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET" https://ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET2N7000 : Hyperlink "http://www.futurlec.com

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10

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