"cvd 실험" 검색결과 61-80 / 952건

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  전자회로실험 A+ 4주차 결과보고서(Application of Diode)

  실험목표In this lab, we will study the behavior and characteristics of diodes in electrical circuits, and ... 실험과정(1) Half-wave and Full-wave Rectifier1. ... Using recorded data, draw Vin-Vout graph with Vin from -5V to 5V and obtain VD,on.4.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.07.25

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  인하대학교 사회인프라공학과 생태수리학 보고서(레이놀즈 수)

  $C$1레이놀즈 수'[통합 문서1]Sheet1'! ... $C$2:$C$9General10220.9210028.075399.73215427.814821.18999999999968292.445999999999910471.6200000000018331.0159999999996유속레이놀즈 ... } over {mu } = {VD} over {nu }(수식입니다.rho :`밀도,`V:`유속,`D:`관의`직경,` mu :`점성계수,` nu :`동점성계수)위 식으로 정의되는 변수의

  시험자료 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.05.18

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  서울소재 공과대학 화학공학실험 A+ 유체역학 결과보고서

  실험값 확인 및 단위 변환물이 25 °C(=77 °F)일 때, viscosity(μ): 0.8948 cP, density(ρ): 62.28 lb/ft3,유로 직경(d): 0.4375 ... {(lb/ft ^{3} )( i n/min)( i n)} over {cP}Re=ρVd over μ의 단위를 정리하면 다음과 같다.이 단위를 다시 정리하면{pounds TIMESi`n ... 유체역학 실험 (레이놀즈 수)3.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.27

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  [A+][결과보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

  결론이번 실험에서는 MOSFET 소자의 특성 (Vt, kn, gm)을 구해보고 설계, 구현하여 Vgs와 Vds의 전압 변화에 따른 전류 Id를 측정하고 특성곡선을 탐구함으로써 MOSFET ... 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 VG=0V, VD=5V로 조정 후 Output OFF 후에 연결한다. ... (C) VGS=VT+0.6V인 경우, ro를 구하여라.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08

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  회로이론1 - 5주차 실험 직렬 회로, 전압 분배기 예비보고서

  실험 방법 (8장)2-1) 회로도와 같이 직렬 회로 구성2-2) 기준 접지를 node D로 설정한 후 나머지 노드(A, B, C)에서의 전위 각각 측정2-3) 기준 접지를 node ... D->C->B->A로 바꿔가며 2)의 측정 반복하여표 8-1~8-6 작성3. ... =4.96Vd0.0기준0.0기준Vd를 기준으로 하여 Va, Vb, Vc를 측정해본다그리고 Vd를 기준으로측정된 전압으로 전압차를 구할 수 있다Vc, Vb, Va를 기준으로 측정한

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.08

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  전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서

  [표 11-2]는 실험회로 1에서 VGS를 변화하면서 출력 전압 VD=Vo를 측정한 결과이다. ... 왜냐하면 커패시터는 교류 신호를 잘 흘려주는 역할을 하는 소자인데, 주파수가 높아지면 저항 값이 작아지기 때문이다(커패시터의 저항 크기=1/ωC이므로). ... 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(VD, VG) 및 전류(ID)를 구하여, [표 11-1]에 기록하시오.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  레이놀즈 수 측정 실험 보고서(예비+결과)/ A+자료/ 기초기계공학실험/ 한기대

  ) 비원형 파이프 내부유동의 경우 레이놀즈 수는 사용된 관의 직경D_h로 정의되며 그 값은 파이프의 단면적의 4배(A_c)를 접수둘레 p로 나눈 값이다.D _{h} = {4A _{c ... 공학실험레이놀즈 수 측정과목명분반 / 조교 수실습 연구원실험일학번이름레이놀즈 수 측정1. 실험 목적가. 유동의 특성에 따른 정의와 특징을 숙지한다.나. ... } over {mu } {VD} over {nu } = {관성력} over {점성력}Re: 레이놀즈 수,V: 유체의 평균속도(m/s),nu : 동점성계수(m ^{2} /s)rho :

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.13 | 수정일 2021.05.31

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  서강대학교 전자회로실험 - 실험 6. 접합 다이오드, 다이오드 리미터와 클램퍼 결과 보고서

  (V)IS(nA)VR(mV)VD(V)IS(nA)VR(mV)VD(V)IS(nA)VR(mV)VD(V)IS(nA)Pspice14-4.9814.1214-9.98614.1210-14.9914.1310 ... (VD - ID , VA – ID)측정. ... 만약 다르다면 그 이유를 서술하세요.VA = 0VVA = 1VVA = 2VVA = 3VVA = 4V실제 다이오드는 약 0.5V의 cut-in 전압과 약 0.7V의 순방향 전압강하가

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24

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  8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 - [전자회로설계실습 A+ 인증]

  실험할 경우, VCC = 10 V로 고정한다면, RO를 어떻게 구할 것인지 설명하라.가변저항 R1의 값이 변하면 VGS, IREF, IO 이 달라진다. ... VGS2 = VG2 – VS2 = VG2 = VD2 = 2.41 V = VS4,VGS4 = VG4 – VS4 = VG4 – 2.41 [V] = VD4 - 2.41 V = 2.41 V ... , 따라서 VD4 = 4.82 V이다.VD4 = VDD – IREF * R1 = 10[V] – 10[mA] * R1 =4.82 [V]R1 = 518Ω(B) IO = IREF = 10

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.02 | 수정일 2023.01.03

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  RC 시상수 실험(결과보고서) 물리학 및 실험

  Q(t)=(1-e^(-t/T))Vd(t)=1/C*Q(t)=e^(-t/T)실험장치 및 기구1. ... 알아본다.실험이론축전기와 전기저항으로 구성된 R-C회로에 키르히호프 제 2법칙을 적용하면R*dQ/dt+1/C*Q=이 된다. ... RC 시상수 실험실험목적직류전원에 의해 축전기에 전하가 충전되는 양상을 관찰하고, R-C회로의 전기적 특성을 대표하는 시상수를 측정하여 축전기의 직렬, 병렬연결에 대한 등가 전기용량을

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.18

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  A+ Hall effect 실험 결과 레포트

  ( /cm-2)가 결정된다.VC = V24P - V24N, VD = V42P - V42N,VE = V13P - V13N, VF = V31P - V31N.- 전압의 합(VC +VD ... ps = 8 x 10-8 IB/[q(VC + VD + VE + VF)]전압의 합이 negative이면 ns = 8 x 10-8 IB/[q(VC + VD + VE + VF)]Hall ... Effect Measurement System을 이용하여 전극이 올라간 샘플을 측정한다.- 실험자는 I-V curve를 통해ohmic contact를 확인 후 전위차를 통해 Type을

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.11

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  Common-Gate & Common-Drain Amplifiers 12주차 예비보고서

  이와 달리Common-drain amplifier는 Drain terminal을 common 시킨 amplifier 이다..예상 실험 순서3.3.1 Common-gate amplifiers1 ... terminal과 common시킨 amplifier이다. ... Common-Gate & Common-Drain Amplifiers학 과전자전기컴퓨터공학부실험일2018년도 1학기서론실험 목적MOSFET을 이용한 Common-gate 및 Common-drain

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.04

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  전자회로실험2_21장_다단 증폭기 RC 결합기

  /ENE301/7-C%20%EB%8B%A4%EB%8B%A8%20%EC%A6%9D%ED%8F%AD%EA%B8%B0.pdf예비보고서 전자회로실험2 실험일: 2022년 10 월 26 일 ... (d) 시뮬레이션값2.4kΩ2.5kΩ참고문헌[1] 전자회로실험 교재 제10판, pp.268-279[2] Hyperlink "http://radar.hannam.ac.kr/down/ch6 ... →VD (시뮬값) = 3.46V드레인 전류 ID의 값을 계산하라.이 값은 VGS=0V일 때의 드레인 전류이므로 IDSS와 같다.IDSS(Q1) = ID =(방금 계산한 ID값 이용)

  리포트 | 15페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  유체역학 실험 - 레이놀즈 수 예비레포트

  이 범위가 천이 영역이다.실험 준비물 : ① 급수 밸브 ② 착색액 용기통(잉크) ③ 잉크 주입 cock ④ glass wool⑤ 잉크 주입 노즐 ⑥ 투명 측정관 ⑦ 배수 밸브 ⑧ 유량 ... / μ = VD /ν→ Re : 레이놀즈수 ρ: 유체의 밀도 (kg.s ²/m⁴)V : 유체의 평균속도(m/s) D : 관의 직경(m)ν : 동점성계수(m ²/s) μ : 점성계수 ... 용액이 몇ml인지 측정한다.⑧측정한 용약의 부피와 시간값으로 유량을 구하고 관에 직경을 구해 속도값을 계산해준다.⑨계산한 속도값으로 레이놀즈 수를 구해준다.관련 공식 :① Re = ρVD

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.01.13 | 수정일 2021.04.26

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  레이놀즈 실험

  -임계 레이놀즈수유동이 층류에서 난류로 전이(transition)되는 지점에서의 레이놀즈수를 임계 레이놀즈수(critical Reynolds number)라고 한다. ... } = {pi *(0.022m) ^{2}} over {4} =3.8*10 ^{-4}#v=Q/A-레이놀즈수Re`=` {rho VD} over {mu } `=` {VD} over {upsilon ... } over {mu } `=` {VD} over {upsilon }여기서,rho `:`유체의`밀도`(kg BULLET s ^{2} /m ^{4} )#V:`유체의`평균속도(m/s)#D

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.10.17

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  [명지대]관로마찰시험 결과

  즉, 실험에서 사용한 ‘0.11’의 값은 임의 선정된 예상치일 확률이 높다. 이로 인해 오차가 발생했을 것이다.2. 실험장비직접적인 실험은각한다. ... 실험결과(7-14)2. ... 실험방법1. 관로마찰 실험장치에 순수 물을 주입시킨다.2. 두 개의 유동 조절 밸브를 열고 계의 압력과 유량을 조절한 뒤 눈금을 읽는다.3.

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.15

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  (결과보고서) 전자회로 설계 및 실습 MOSFET 소자 특성 측정 실험4 (중앙대학교)

  전자회로설계실습결과보고서 #4MOSFET 소자 특성 측정조학과학번이름조원담당 교수실험일제출일1. ... 실험실습 내용 및 분석4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, RG=1㏁으로 설정한다. ... DC Power Supply(2channel) : 1대?DMM : 1대?40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개?40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개?

  리포트 | 6페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.04.13

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  서울시립대학교 전전설3 6주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)

  아마 실제 diode 설계시에는 Vd와 Id는 측정을 통해 구할 수 있는 값들이다. ... 그러한 특징을 활용해 이와 같은 clamper를 구현할 수 있었다. ... 즉, Vd, Id, Vt는 고정된 상수로 봐도 무방하다. 따라서, 변화하는 상수의 값들에 따라 변화하는 Is를 측정할 수 있다는 것이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20

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  전기전자공학실험-다이오드의 특성

  순방향과 역방향 바이어스 영역에서 다이오드의 상태를 파악할 수 있는 단자(scale)가 멀티미터에 다이오드 기호로 표시되어 있다. ... 그리고 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다.실험 소요 장비계측기 ? DMM저항 - 1KΩ, 1MΩ다이오드 - Si, Ge전원 -직류전원1. ... 수평축 VD와 만나는 점이 문턱 전압 VT를 나타내며, 그 점에서 전류가 급격히 증가하기 시작한다.특성곡선의 어떤 점에서 다이오드의 DC 또는 정저항(static resistance

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  화학공학실험 레이놀드 수 측정 A+ 예비레포트+결과레포트

  점성유체의 유동은 점성이 낮을수록, 유체의 속도가 빠를수록, 관의 단면적이 클수록 불안정해지며 난류가 된다.Re= {rho VD} over {mu } = {VD} over {nu } ... 준비 과정에서 실험기기의 수평을 맞추는 것이 중요한데, 유체 흐름에 대한 베르누이의 방정식{ v^2} over {2 }+gz +{P}over{rho} =constant``````` ... 실험 순서1) 물이 Constant weir를 조금씩 넘어가고 있는 상태 (사전준비의 7)단계의 상태)에서 Flow rate control valve를 조금 열어서 물이 Flow visualization

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.06.27

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