"음극스퍼터링" 검색결과 61-80 / 227건

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  85화합물 반도체 공정(유전막 증착)

  PUMPSTARGETSUBSTRATEPOWER SUPPLY○○○○○○○○○○○○○PLASMA○○○○○++--○○○○○VACUUM CHAMBERSputter의 구조(반응관)플라즈마의 생성Target쪽을 음극 ... RF 스퍼터링 Magnetron 스퍼터링 그 밖의 스퍼터링 - 3극 스퍼터링 - Unbalanced magnetron 스퍼터링 - 반응성 스퍼터링DC 스퍼터링DC 스퍼터링은 diode ... (스퍼터링)스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견됨.

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  SEM 이미지의 생성 원리, charging현상과 해결 방법, OM과 SEM의 image의 차이점과 그 이유

  마그네트론 스퍼터링 (저진공 ~ 수pa) : 이 장치에서는 음극과 양극이 동축으로(coaxially) 배열되어 있으며 동축의 시린더 자석은 음극 뒤에 위치한다. ... 이온 스퍼터링 (저진공 ~ 수Pa) : 시료를 코팅하기 위해 사용되는 코팅금속재료는 음극판에 위치 시킨다. ... 이온빔 스퍼터링 (고진공 ~ 10-3Pa) : 코팅금속재료는 불활성가스 이온빔에 의하여 스퍼터링 되어 시료 표면에 코팅된다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.14

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  고려대학교 재료공학실험1 진공 증착기를 이용한 Ohmic Contact 형성용 Metal 박막 증착(예비보고서)

  선형타겟 기술과 같이 HiHUS 플라즈마 스퍼터링 기술은 정밀도, 균일성, 수축에서 0 사이의 장력으로 스트레스 제어 같은 요구된 결과로 큰 개선을 시연하였고 기판 위의 표면차 측정은 ... 이 사실은 당시에 엄청난 과학적 관심을 불러일으켰었다.톰슨의 음극선실험양극판 사이에 흐르는 방전효과라고 과학자들은 보고 그 현상을 '음극선'이라고 명명하였다. ... 진공기술이 좋지 않았던 초기의 음극선관은 성능이 좋지 않았다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.07.16

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  cu를 이용한 박막 증착 실험보고서

  이런 단점을 보완하기 위해 페닝(Penning) 같은 냉음극 이온게이지를 쓰기도 한다. ... 최근에는 모재와 코팅층 사이에 스퍼터링, 침투확산, 이온믹싱, 화학반응 등의 표면반응을 통해 경사가능(graded interface)의 개념이 확립되어 우수한 밀착력을 얻을 수 있다

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.20

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  SEM image의 생성원리, Sample에서 charging 현상의 원인과 방지법, OM과 SEM의 차이

  코팅층의 두께는 이온전류와 스퍼터링 시간에 비례한다.2) 마그네트론 스퍼터링 (저진공~수Pa)이 장치에서는 음극과 양극이 동축으로 배열되어 있으며 동축의 실린더 자석은 음극 뒤에 위치한다 ... 코팅 금속재료는 음극판에 위치시킨다. ... 불활성가스 이온빔에 의하여 스퍼터링 되어 시료 표면에 코팅된다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.21 | 수정일 2021.11.21

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  Photolithography 예비보고서

  이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다. ... 양극(anode)로을 인가하면 주입된 sputtering 가스(Ar)는 음극쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기(exite)되어 Ar+로 되고 이 여기된 가스는 음극인 target쪽으로 ... 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다. sputter장치의 시스템은 target쪽을 음극(cathod)으로 하고 기판쪽을

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.07.10

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  sputtering(스퍼터링)

  Ar양이온은 직류 전류계에 의해서 음극으로 가속되어 Target표면에 충돌하게 된다. ... 스퍼터링(Sputtering)1) 스퍼터링(sputtering)의 정의Figure 1. ... 진공이 유지된 Chamber내에서 스퍼터링 기체로 불활성 물질인 아르곤(Ar)가스를 흘려주면서 Target에 직류 전원을 인가하면(㎠당 1W정도), 증착하고자 하는 기판과 Target

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.01

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  스퍼터링(sputtering)

  Structure-zone diagram showing schem의 개략도2) 3극 스퍼터링직류 2극 스퍼터링의 단점을 보완하기 위해서 음극과 양극의 배치에 여러가지 고안을 하거나 ... 放電)을 만들어 음극 쪽에 스퍼터해야 하는재료를 놓고 양극 쪽에 기판을 놓는 방식이었다.글로 방전으로 만들어진 플라스마로부터 이온이 나와서 음극에 들어간다.이 이온은 음극에 놓인 ... 이러한 문제에 대해서 스퍼터 증착은진공 증착에 비해 뛰어나다,스퍼터 성막(成膜)의 주류는 2극 스퍼터링이었다. 5cm 쯤의 거리를 두고 평행으로놓은 음극과 양극 사이에 글로 방전(glow

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  띤 티타늄 음극 안으로 가속되는데 이 충돌은 스퍼터링을 일으키거나 티타늄 음극 물질을 조각내어 떨어지게 한다. ... 스퍼터링된 티타늄은 펌프의 내부구조에 증착되는데 거기에서 기체분자와 화학 결합을 하여 기체분자를 고체로 전환시키는 것이 가능하다. ... 이온화 된 분자들 중 몇 개가 음극안에 묻히게 될만큼 충분히 큰 힘으로써 음극과 충돌한다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  09Dry_Etching_&_ECR-RIE

  화학적으로 증강된 물리적 스퍼터링 손상에 의해 증강된 화학 반응성 화학적 스퍼터링 ( 즉 , 이온충격은 화학반응이 진행될 에너지를 제공 ) 중 어느 하나 , 혹은 혼합적인 요소에 의해 ... 음극 강하가 생기게 되어 전극표면 근방에 이온시스층이 형성 ( 이 층의 두께와 걸리는 전압은 각가 0.1~1mm, 수백 ~1000V 정도 ) 5. ... 저압 다이오드 반응 식각이라고 함 반응성 이온 식각 (Reactive Ion Etching, RIE) 원리평행평판형은 대표적인 RIE 방식 RF 전원이 공급되는 웨이퍼가 놓이는 음극과

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  [실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정

  예를 들어 물에 전류를 흐르게 하면 전기분해가 일어나 음극에 수소, 양극에 산소가 발생한다. ... PVD방법은 전극 형성법중에 가장 좋은 방법으로 압력이 높아지면 끓는 점이 높아지는 것을 이용한 방법이다.PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05

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  주사전자현미경(SEM)

  이를 위하여 진공 증착 또는 스퍼터링에 의해서 2차 전자 방출률이 큰 금속을 시료 표면에 얇게 코팅을 하게 된다. ... 진공 증착의 경우에는 금(Au), 금-팔라듐(Au-Pd)을, 스퍼터링의 경우에는 금, 금팔라듐, 백금(Pt) 등을 사용하고 있다. ... 최근에는 스퍼터링이 더 손쉽기 때문에 많이 사용되고 있지만, 복잡한 구조인 경우에는 깊은 곳까지 똑같이 코팅하려면 진공 증착이 더 우수하다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.31

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  SPUTTERING

  전원을 인가하면 주입된 플라즈마 가스(Ar)는 음극 쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기 되어 Ar+로 되고 이 여기 된 가스는 음극인 타겟 쪽으로 끌려서 타겟과 충돌한다. ... 스퍼터 장치의 시스템은 타겟을 음극(cathod)으로 하고 기판을 양극(anode)로 한다. ... 압력, excitation 등의 특징으로, discharge 내의 구성요소들의 존재는 특성 스펙트럼 파장의 조사로 파악.3) Sputtering yield정의 ) 하나의 양이온이 음극에

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.18

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  Ion plating(이온플레이팅)

  ION - PLATING이온플레이팅은 진공증착, 스퍼터링에 이어 개발된 것이지만 종래 진공증착의 개량법으로도 생각할 수 있다. ... 이러한 고정을 이온스퍼터링 ( ion sputtering )이라고 부른다. 한편으로, 전자빔을 코팅시킬 금속에 충돌시켜 코팅물질을 이온화시킨다. ... 따라서 이온플레이팅은 증발원자의 이온화에 의해 막의 밀착성이 뛰어난 점이 특징이다.응용분야는 현재 진공증착, 스퍼터링이 주로 전자재료, 광학재료 등의 박막형성에 이용되는데 비해 이온플레이팅은

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.05

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  Lithography, Sputter, VSM, PHR, MR 의 실험 이론 및 방법 및 결과 및 고찰

  이러한 원자들이 원하는 기판위에 쌓이게 되는데 우리가 원하는 물질로 성장 시키는 것이다.1-2 스퍼터링 장치- 스퍼터링의 장치는 대략 왼쪽과 같은 그림이 기본이다. ... 그렇다면 음극인 타겟으로 끌려가서 충돌한 이유가 없어진다. 하지만 실제로는 초기 가속력을 가지고 그래도 충돌을 한다. ... 그런데 Ar 양이온이 타겟으로 가속되어 충돌하는 이유는 타겟은 음극이고 Ar은 양이온이기 때문에 전기적 인력이 발생했기 때문이다.

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.18

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  PECVD / SPUTTER

  들어가는 이온에 의한 스퍼터링 현상이며 음극 재료인 원자가 튕겨 나갔기 때문이다. ... 이러한 현상을 응용한 것이 스퍼터링 기술이다.왼쪽 그림을 보고 설명하자면, 예를 들어 운동 에너지를 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 ... 이러한 문제에 대해서 스퍼터 증착은 진공 증착에 비해 뛰어나다,스퍼터 성막(成膜)의 주류는 2극 스퍼터링이었다. 5cm 쯤의 거리를 두고 평행으로 놓은 음극과 양극 사이에 글로 방전

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  SEM 이미지 생성원리 & OM과 SEM 이미지 생성 차이

  코팅층의 두께는 이온전류와 스퍼터링 시간에 비례한다.②마그네트론 스퍼터링(저진공~수pa)이 장치에서는 음극과 양극이 동축으로(coaxially) 배열되어 있으며 동축의 실린더 자석은 ... 음극판에 위치시킨다. ... 음극 뒤에 위치한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25

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  ITO Scribing & Cleaning 예비보고서

  ◇ITO 박막 증착=일반적으로 ITO 박막은 스퍼터링(sputtering)에 의하여 형성된다. ... 고진공 스퍼터링 증착 방법을 사용하여 코팅막의 오염원을 최소화함으로서 Total Pitch 16㎛ LCD제품에 사용되고 있다2. ... 이때 절연층과 음극분리 격벽에 영향을 주지 않는 정도의 초음파 세기와 시간에 대한 조건의 선정이 중요하다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

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  스퍼터링 실험실 설계

  판형 다이오드 스퍼터링(Planar Diode Sputtering) 그림처럼 음극인 표적재료와 양극인 피처리물 사이에 불활성 가스(통상 아르곤 가스)를 불어넣고 전압을 걸어주면 저압력 ... 그러므로 피처리물과 마주보는 표적재료 표면(다이오드 상태)에서 무거운 불활성 가스인 아르곤 가스가 글로우 방전에 의해 플라즈마를 형성하고 음극인 표적재료 표면에 아르곤 이온이 충돌하는 ... 이온 스퍼터링의 종류 - 표적재료를 스퍼터링 시키는 이온을 발생하는 방식에 따라 다음 4가지로 분류된다. 가.

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.28

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  스퍼터링

  전원을 인가하면 주입된 플라즈마 가스(Ar)는 음극쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기되어 Ar+로 되고 이 여기된 가스는 음극인 타겟쪽으로 끌려서 타겟과 충돌한다. ... 각 1/2싸이클 동안 음극과 양극이 반대가 되며, 전극이 이온 방전이 축적되는 싸이클 동안 방전이 일어나며 전극이 음극이 되는 싸이클 동안은 방전이 일어나지 않는다.낮은 주파수 영역에서는 ... 스퍼터장치의 시스템은 타겟을 음극(cathod)으로 하고 기판을 양극(anode)로 한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.21

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