"RF-Magnetron sputtering" 검색결과 61-80 / 144건

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  각종증착장비에대하여...

  sputtering)에서는 기판에 -100V ~ -200V정도의 RF 또는 DC(-)를 걸어주면,ion과 전자들이 기판에 걸린 (-)bias에 의해 기판에서 멀어지므로 박막 내에 ... 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... Bias SputteringBias sputtering은 sputter 하기 전 기판에 (-) bias를 걸어주어 기판을 sputter하는 sputter etch와 sputtering하는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  Sputter Deposition

  RF sputtering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter ... cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용됨.② RF voltage ... electron trajectories.(4) magnetron sputtering system① electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02

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  각종 진공 pump 원리 및 사용 방법

  Sputtering 증착법: RF Sputtering 증착법v RF sputter의 구조⑺. ... Sputtering 증착법: DC sputtering 증착법v DC sputter의 구조⑹. ... 가 같은 수로 이온화된 가스v 플라즈마를 생성, 유지하는 것은 글로우 방전임.v 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems)에 의해 이루어 짐.⑶ 중립의 원자 상태로존재함.v

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.03

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  박막증착

  비균형적인 스퍼터링이 불리한전도 plasma의 밀도가 낮아서 target의 효율과 sputter rates가 낮아진다는 것이다.(5) E-Beam 일반적인 증착 /반응적 증착E-Beam ... (일반적인 마그네트론 스퍼터링의 자기장sma를 사용한다. 박막이 더 낮은 기판온도에서 만들어지므로 PECVD는 온도에 민감한 박막이나 기판용이 선호된다. ... -후자는 스퍼터링 하는 동안에 그 전기적 에너지를 일컫는다.(1)다이오드/마그네트론 스퍼터링초기의 다이오드 스퍼터링 소스는 plasma 최적화를 위해 전기장모양으로 만들어진 target을

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  Reactive magnetron sputtering을 이용한 ZnO박막증착

  스퍼터율(sputter yield)132.2.4. 스퍼터링을 이용한 박막형성의 영향요소142.2.5. RF 스퍼터링152.2.6. Magnetron 스퍼터링182.2.7. ... 반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 실험 장치본 연구에서 사용한 반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 실험 장치에 대한 schematic diagram과 그 사진은 Fig. 6과 같다. ... Fig. 3는 일반적인 RF 스퍼터링 시스템의 개략도이다.Figure 3. Simplified RF sputtering system.2.2.6.

  리포트 | 57페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.12.06

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  반도체공정 레포트 최종

  sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.⑤ 박막의 균일도가 크다.반면에 4가지 ... , Ar을 이온화 시킨다.Ar + e-(primary) = Ar + e-(primary) + e-(secondary)- Ar 이 excite 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  영향이 큼화합물GaAs,InP,GaSbSputteringDC sputtering RF sputtering Magnetron sputtering Ion-beam sputtering금속Cu ... 단점 1)성막속도가 낮다( 10Å/sec ) -magnetron sputtering 으g이온충돌에 의한 모재의 세정효과와 높은 이온 에너지로 인해 공극이나 불순물등이 없는 치밀한 조직을 ... heating or rf induction heating - PECVD (Plasma Enhanced CVD) : rf(13.56MHz) or microwave(2.45GHz) -

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  [LCD실험] Color filter 제작 및 분석

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... 그 특성은 다음과 같다.UV-Visible spectroscopy분자나 원자는 에너지 레벨이란 것을 가지고 있으므로 그 특정 에너지 레벨만큼의 외부 에너지를 받아 전자가 들뜨게 되고 ... 용액의 농도에 따라 변하므로 흡광도 A=log(1/광계수, c : 몰농도, l : 샘플의 길이 )공정 process1)증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  박막제조기술

  + chamber+++-+++-+TimeMagnetron sputterDC RF Magnetron sputterIon beam sputterSputter vs. evaporationEVAPORATIONSPUTTERINGlow ... to be as highPVD SummaryCost : evaporation sputtering PLD MBEFilm quality : evaporation sputtering PLD ... distancePhysical vapor depositionEvaporationEvaporationSputterDC sputterRF sputtertarget---+---+-substrate

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25

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  방사선 응용 및 실험 (Sputtering의 원리, HgI2, Diffusion Pump, Rotary pump, 진공, Magnetron sputtering)

  .- 충돌 시 Ar은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충돌하는 과정을 반복함.[3] Magnetron sputtering- Target의 뒷면에 영구자석이나 전자석을 배열함으로써 ... 전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를 target 바깥으로 형성되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써 sputter yield를 ... 구조를 살펴보면 고정된 정지자(stator)가 있고 그 속을 회전자가 회전하게 되는데 회전자의 크기가 약간 작고 그 회전 중심이 정지자의 중심으로부터 약간 어긋나 있는 것이 특징이다

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.20

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  E-Beam Sputtering

  조절이 쉽다.- RF sputtering 에 비해 성막속도가 크다.- 박막의 균일도가 크다.- 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다. ... Magnetron Sputtering☞장 점- sputtering 효율이 증가- 전자의 와류운동으로 전자의 기판 및 박막에의 충돌 감소따라서 기판온도 상승효과가 적다- SiO2, Al2O3 ... 등의 절연체의 경우에도 성막속도가 크다.- 유전체 재료의 sputter 또는 reactive sputter가 가능- 주어진 input power에서 성막속도가 일정☞단 점- 자기장이

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  ITO

  sputtering에 적합함3) Magnetron SputteringTarget(Cathode) 뒷면에 영구자나 전자석을 배치함으로써, 전기장에 의해(RF or DC) cathode로부터 ... 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar압력하에 Sputter할 수 있게 하거나, magnetron방식을 사용하여 해결할 수 있다.2) RF sputteringDC Sputtering에서는 ... 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅한 유리를 말한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05

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  sputter deposition에 대한 이해

  RF sputtering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter ... chamber 벽과 기판으로부터의 sputtering 감소3 증착 도중 기판 가열 감소4 작용기체의 필요 압력 감소(10-1∼10-2Pa)(3) 가장 일반적인 magnetron source앞에서 ... cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용 됨.2 RF voltage

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

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  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. ... 두께측정증착된 박막은 tape를 떼어낸 후 surface profiler와 4-point probe를 이용하여 두께를 측정하였다.▶ surface profiler (-step)ALPHA-STEP은 ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  [전자공학][공학][초전도이론][제어시스템][반도체][다이오드]전자공학의 교과과정, 전자공학과 초전도이론, 전자공학과 제어시스템, 전자공학과 반도체, 전자공학과 다이오드 분석

  박막제작에 가장 많이 쓰이고 있는 방법은 off-axis magnetron sputtering 과 고출력 엑시머 레이저를 이용한 레이저 증착(PLD) 방법이다. ... Microelectro 소자② mm파의 검출, dc 및 rf 스퀴드(SQUID) 등과 같은 능동 아날로그 소자③ 고속으로 작동하는 마이크로 프로세서 등에 쓰일 능동 디지털 소자이러한 ... ■microelectronics■electronic systems■telecommunication systems■computer engineeringComputer engineering

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.25

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  반도체 입문교제(Metal)

  전자가 target 부근에서만 운동하므로, 실제로 sputtering이 일어나는 target 표면 근처에서 Ar을 집중적으로 이온화시킬수 있다. ... Overhang: 비아/콘택 홀 상부의 모서리, 스파터링시 이 모서리에 증착된 금속이 홀 하부 측벽 에 금속이 증착되는 것을 방해한다.METAL 공정RF coil금속 입자전자secondary ... 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

  Magnetron sputtering process of WC (RF) + Ti확인. ... Magnetron sputtering시 TiN은 DC Power를 사용하였고 WC는 RF Power를 사용. ... Process of AIP and Magnetron sputteringAIP and Magnetron sputtering 공정 조건입니다.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  반드시 일치하지 않는다.3) magnetron sputtering4) Reactivity Sputtering3y의 변화resistivity(μΩ-㎝) = sheet resistance ... DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 spu가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.- 전류량과 생성피막의 두께가 정비례하므로 콘트롤이 쉽다.- RF ... 즉 물질에 따라서 수 10nm/분 ~ 200nm/분의 두께이다.- 타깃은 판상으로 해야 한다.- 기판이 과열되기 쉽다.2) RF SputteringDC sputtering에서는 target이

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  스퍼터링

  마그네트론 스퍼터링 (Magnetron Sputtering)마그네트론 스퍼터링 기술은 발생된 플라즈마(아르곤 등의 비활성가스)를 영구자석을 이용해 만든 자기장을 이용해서 수백볼트의 ... 여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 스퍼터링에 사용된다.2. ... 그러무로 RF를 공급한 경우 (-)전압 싸이클 동안 흐르는 이온의 총흐름은 짧은 (+)싸이클 동안 흐르는 전자흐름과 같기 위해서 전극은 음으로 바이어스 되어야 한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.21

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  이온플레팅

  또 다른 특징으로 sputtering에 의한 모재 표면의 청정화이다. ... Triode ion plating, Magnetron ion plating, Hollow cathode를 이용한 ion plating, rf bias ion plating등 일반적으로 ... 이런 문제를 막기 위해서 가장 기본적인 ion plating에 이용되는 진공(10-1Pa)보다 더높은 진공(

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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