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"RF-Magnetron sputtering" 검색결과 81-100 / 144건

  • Sputtering
    - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속 ... 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron sputtering 강한 자기장을 이용하여 target 근처 plasma 밀도를 ... 조업이 가능 단점 증착속도가 매우 느림 증착 조건이 민감하고 서로 영향을 끼침 고전압을 사용하므로 작업상 주의 요망Micromachining ProcessSputtering 종류DC sputtering
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03
  • 스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리
    - 사용이 복잡함. - 열전자 방출로 인한 오염 증가 - 반응적인 과정에는 어렵다. - 규모를 크게 하기 어렵다.Sputtering (Magnetron sputtering)• 원리 ... 방전가스의 압력이 높고, 절연체의 sputtering이 불가능Sputtering (RF sputtering)• 원리 - 고주파의 주파수 영역 : 공업용 해당 주파수인 13.56 MHz ... 피하기 위해 공정의 주의 깊은 조절이 필요 2) compound-coated cathode - 간단하나 sputtering 속도가 느리다. - sputtering 기술, 물질, 증착조건에
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24
  • DSSC
    cathodic electrodeposition, rf-magnetron sputtering, Chemical vapor dsposition 등이 있다.이런 차단층의 조건 또한 매우 ... 실험 목적dye-sensitized solar cell(DSSC) 태양전지의 원리와 Cell의 제작과정을 익힘으로써 태양전지를 완벽히 이해하고 TiO2의 Sputtering두께와 Screen ... 형성 하는 재료로는 TiO2, ZnO, Nb2O5 등과 같은 물질이 주로 연구 되고 있으며 그 층의 형성방법으로 Spray pyrolysis deposition(SPD), One-step
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25
  • 플라즈마 공정
    또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다.RF스퍼터링RF스퍼터링 ... (D.C Glow Discharge sputtering) →가장 간단한 스퍼터링 구조로서 전도성 물질의 스퍼터링에 사용된다. ... 낮은 압력에서도 사용 가능 - 단점 : 생성된 막이 타겟 물질의 조성과 반드시 일치하지는 않음 공정상 정밀제어와 주의 요함 ▶Magnetron 스퍼터링 - 소스 타겟 뒷면에 영구자석이나
    리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16
  • [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링
    이온빔 보조 DC 반응이온 마그네트론 스퍼터링 장비 모식도PlasmaTarget-Ion Beam source그림11. ... 증착시 이온빔의 역활그림12.보조이온빔의 역활보조이온총에서의 이온빔 divergence(발산)가 적어야 되는 이유는 보조빔에 의해 증착된 박막의 선택적인 sputtering이 일어나게 ... 되며 이 선택적 sputtering이 박막의 집합조직 형성에 결정적인 역할을 하기 때문TaegetIon beamIon beamSubstrate그림13.이온빔 스퍼터링 공정Ion Beam
    리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27
  • PECVD / SPUTTER
    1PECVD / SPUTTER2.실험방법 및 목적-Deposition(증착) 공정중 sputtering 방식과 PECVD 방식을 알아보고 PECVD 공정과정 을 실제로 관찰해 본다. ... 또한 시간 ,압력 ,RF전력, 가스 과 같은 것을 조절하여 증착 공정을 바꾸어 줄수 있다. ... 원리이다.왼 쪽 그림은 평판형 마그네트론 스퍼터링의 그림이다.평판 캐소드의 뒤쪽에 영구 자석을 둔다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12
  • [금속재료공학]스퍼터링
    박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.마그네트론 스퍼터링 ... (magnetron sputtering)이란 발생된 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해 집진하여 기판에 성막시키는 방법이다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15
  • Sputter
    sputtering)에서는 기판에 -100V ~ -200V정도의 RF 또는 DC(-)를 걸어주면, Ar+ ion과 전자들이 기판에 걸린 (-)bias에 의해 기판에서 멀어지므로 박막내에 ... 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... RF SputteringDC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다.
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24
  • CVD 와 PVD 코팅
    PVD의 종류 및 원리1) Evaporation(2원 증착법, 플래쉬 증착법) - 진공중에 박막 물질을 가열, 증발시켜 그 증기를 증착 - 증발 과정이 열교환 과정으로 sputtering와 ... 교환빈도가 적어 연속화 작업이 용이 5) 반응성 가스를 혼합시켜 화합물의 증착이 가능 단점 1) Sputter 조건을 결정하는 인자를 독립적으로 변화시키는것이 어려움 2) 형성되는 막에 sputter ... 원소를 별도로 증발시켜 독립적으로 제어하는 방법 플래쉬 증착법 : 합금을 분말 또는 립으로 하여 고온의 히터속에 떨어뜨려 순간적으로 증발시키는 방법2) Sputtering 법(DC, RF
    리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05
  • Investigation on microstructure and anti-wear performance of TiN-WC/TiN films prepared by the hybrid technique of arc ion plating and magnetron sputtering
    magnetron sputtering. ... of arc ion plating and magnetron sputtering.The TiN-WC films are composed with TiN, Ti and WC phases ... technique of arc ion plating and magnetron sputteringAbstract:By adjusting the power of WC target, TiN-WC
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07
  • 진공증착 (Sputtering)_pre
    이 과정을 스퍼터 식각, 리버스 스퍼터링(reverse sputtering) 또는 이온 밀링(ion milling)이라 한다.트라이오드 스퍼터링은 가스를 이온화시키는데 필요한 전자를 ... 금속막의 스퍼터링에는 DC 바이어스를 건다.RF 바이어스는 노출된 웨이퍼를 식각하고 세척한다는 또 다른 정점을 준다. ... 마그네트론 스퍼터링 시스템은 타겟의 뒤, 때로는 옆에도 자석을 설치해서 이러한 전자들을 제거한다. 이 자석은 떠도는 전자를 타겟 근처에 가두어 놓는다.
    리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10
  • [공학]Al thin film and PVD
    to replenish lost electron - ac voltage - “ rf sputtering ” - RF Sputtering Requirements (a) ~(e)Physical ... - strong sputtering (e) RF power 와 glow discharge의 연결 (to maximize sputter deposition rates) - impedance ... planar magnetrons 1) issues : (trade off) film deposition rate and film thickness uniformity - deposition
    리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.05
  • evaporator의 원리 및 이론
    LaserDC RF Pulsed DC Magnetron ReactiveReactive Cathodic arc3. ... 2.5 IP, Ion beam sputter : 2.5~ 2.6장치가 비교적 간단함. ... 전자중성가스RF discharge 에서 Self-bias생성이온과 전자의 이동도 차이에 의한 self-bias 생성PRF: input RF power P : gas pressure3
    리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24
  • 박막 증착 방법, 종류
    sputtering, magnetron sputtering 등이 있는데, 특히 magnetron sputtering은 고속 스퍼터링 방법으로서 다방면에서 주목받고 있다.스퍼터링의 응용분야는 ... 이 이온충격에 의해서 튀어 나온 분자 또는 원자가 (+)극의 기판에 붙어서 박막이 형성되는 것이다.스퍼터링의 종류에는 DC sputtering, RF sputtering, bias ... 얻을 수 있기 때문에 최근 표면경화의 한 수단으로 주목을 받고 있다.PVD법을 크게 분류하면 ① 이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ② 이온을 이용하는 스퍼터링(sputtering
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14
  • ITO Glass에 대한 소개와 쓰임
    다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering ... 100tons/㎡의 접착력)NSIB의 원리● Cs 환경에서 target 표면의 work function이 감소되어 표면에서의 전자의 밀도가 현격하게 증가하게 된다.● 이 전자들은 sputtering시 ... 금속 표적재료의 경우 한 개의 아르곤 이온이 표적재료에 입사할 때 표에 보이는 것처럼 1~2원자가 증기상으로 방출되어 증발효율이 낮은 편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 비를 증가시키는
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14
  • [금속공학실험]ZnO박막 실험
    Sputtering)라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)②RF(Radio Frequency) 과정 : RF 마그네트론3. ... 증발(Arc Evaporation)4) 마그네트론 증발(Magnetron Evaporation)5) 이온빔 증발(Ion-beam Evaporation)● 스퍼터링이란? ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.25
  • [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서
    고주파 스퍼터링(RF sputtering)37p4.4.3. 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)38p4.4.4. ... 또한 step coverage가 좋아서 균일한 성막이 가능하다. sputter 방법이 갖는 단점인 낮은 성막 속도는 magnetron 이나 ECR (Electron Cyclotron ... 플라즈마: 양전하(gas+)와 음전하(e-)가 같은 수로 이온화된 가스- 플라즈마를 생성, 유지하는 것은 글로우 방전임.- 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems)에 의해
    리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16
  • 박막증착 (박막공정)
    DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판 상에 옮겨 붙이는 공정이다. ... 물리 증착은 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 아크증착(arc deposition), 이온 빔 보조증착 (ion ... PVD (Physical Vapor Deposititon)PVD(physical vapor deposition, 물리 기상 증착)은 보통 evaporation, sputtering
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.13
  • MOS소자
    : 절연체 위에 원하는 형상의 pattern를 형성(4) Deposition: DC sputter를 이용하여 상부전극 Pt를 증착(5) lift-off: 원치않는 부분의 Pt를 아세톤을 ... 직류가 아닌 교류를 가함.- Magnetron Sputter : DC Sputtering과 유사. ... Sputter의 종류- DC Sputter : Target은 conductor를 사용. 음극과 양극에직류전압을 가해줌.- RF Sputter : 절연체의 박막을 증착.
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25
  • [전자공학]Sputter
    , modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic cathode? ... 불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron ... Magnetron sputtering(1) 다른 sputtering 방법과 다른 점① 강한 자기장을 이용하여 플라즈마의 대부분을 target 표면 근처에 묶게 된다. - 방출된2차
    리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13
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2024년 09월 15일 일요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대