"Ti films" 검색결과 61-80 / 156건

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  소결온도에 따른 압전세라믹스(PZT)의 물리적, 전기적 특성 관찰

  압전 현상을 일으키는 박막에 대해 정밀한 XRD 분석법을 적용한 결과 [그림.3]에 나타낸 바와 같이 상기의 박막은 납 (Pb), 지르코늄 (Zr), 타이타늄 (Ti)로 이루어진 PZT ... Microscope: SEM)을 이용하여 각 층에 대해 고배율 촬영을 해본 결과 [그림.1]에 보였듯이, 전극 표면은 금속 특유의 거친 표면을 갖고 있고, 압전 현상을 일으키는 박막은 film형태로

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.11.16

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  LCD란? 원리 및 이론에서부터 공정, 설계까지 (LCD 패턴의 현미경 사진 및 분석 포함)

  형광등 , LED Reflector Sheet : 빛을 전면으로 반사 , 반사율이 높은 물질 이용 , SUS, Brass, Al 위에 Silver 코팅 , 열 확산을 위해 티타늄 (Ti ... Polarizer 를 통해 나오는 빛의 휘도는 최초 휘도의 약 5% 에 지나지 않는다TFT-LCD Cell Process T hin F ilm T ransFT ArrayThin Film ... Cs 전극 Gate(Cr) Gate insulation Layer ( SiNx ) Glass Substrate Fabrication Process of TFT ArrayThin Film

  리포트 | 50페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.31

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  Investigation on microstructure and anti-wear performance of TiN-WC/TiN films prepared by the hybrid technique of arc ion plating and magnetron sputtering

  The TiN-WC films are composed with TiN, Ti and WC phases. ... The results indicated that TiN-WC films were composed of TiN, Ti and WC phases. ... The results indicated that TiN-WC films were composed of TiN, Ti and WC phases.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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  완전 이해 잘되는 [분광학적 분석 방법] 레포트

  Ga,Gd, Ge, Hf, Hg, K, La, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni,P, Pb, Pt, Rh, Sb, Se, Si, Sm, Sn, Sr, Th, Ti ... 실험전에 1시간 가량 기기를 충분히 가동시키며, 조교의 설명을 통해IR spectrophotometer의 원리와 조작 방법을 익힌다.② 보조용 표준 필림 (pohystyrene film ... 있어서 수분이 제거 되어야 한다.1) 기체시료 : 10 ~ 20cc정도의 기체시료를 주사기로 채취해온다.2) 액체시료 : Vial병에 1 ~ 2cc정도 담아온다.3) 고체시료 : Film이나

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.26

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  식물형질전환방법

  이 screen은 film을 보유하고 있으며, 입자가 대상 세포로 운반되어지도록 한다. 다른 장치도 이와 유사한 방법을 사용한다.≫입자총법1. ... Ti-plasmid에 원하는 유전자를 끼워 넣음2. Ti-plasmid를 E.coli(대장균)에 도입3. ... Conjugation에 의해 Ti-plasmid를 아그로박테리움으로 옮김4. 식물체에 아그로박테리움을 감염시킴5. 처음 원했던 유전자가 식물체의 염색체에 삽입6.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.18

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  Sol-Gel 공학의 개요

  ▶단일금속 알콕사이드 : LiOCH3(고체),NaOCH3(고체),Si(OC2H5)4(액체),Ge(OC2H5)4(액체)▶여러가지 알콕시기를 가진 예 : Ti(OCH3)4(고체),Ti( ... ------>(Heat)----> Dense Film졸의 제조에 있어서 알콕사이드를 출발물질로 할 경우 다음 3가지의 일반적인 반응을 거친다.▶ 가수분해(Hydrolysis)M-OR ... --> Aerogel| || || +-->(Evaporation of solvent)->Xerogel|(Gelation, Evaporation)||+-------> Xerogel Film

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.22

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  분광학적 분석 방법

  Ga,Gd, Ge, Hf, Hg, K, La, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni,P, Pb, Pt, Rh, Sb, Se, Si, Sm, Sn, Sr, Th, Ti ... 실험전에 1시간 가량 기기를 충분히 가동시키며, 조교의 설명을 통해IR spectrophotometer의 원리와 조작 방법을 익힌다.② 보조용 표준 필림 (pohystyrene film ... 있어서 수분이 제거 되어야 한다.1) 기체시료 : 10 ~ 20cc정도의 기체시료를 주사기로 채취해온다.2) 액체시료 : Vial병에 1 ~ 2cc정도 담아온다.3) 고체시료 : Film이나

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.03

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  면저항 A+ 실험레포트

  W(텅스텐), ITO, Ti, 실리콘 웨이퍼)? ... 실험시 직접 장치로 측정한 면저항값과 실제 계산식을 사용한 이론값이 조금 다르게 나왔는데 이는 실험시 4개의 탐침이 워낙 민감하고 작기 때문에 샘플 박막(thin Film)의 균일도가 ... Ti1.055V1mA4.85KΩ/?4.77915KΩ/?Si wafer935.1V100A41.96Ω/?42.3555Ω/?5.

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.26

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  분광학적 분석 방법

  Ga,Gd, Ge, Hf, Hg, K, La, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni,P, Pb, Pt, Rh, Sb, Se, Si, Sm, Sn, Sr, Th, Ti ... 실험전에 1시간 가량 기기를 충분히 가동시키며, 조교의 설명을 통해IR spectrophotometer의 원리와 조작 방법을 익힌다.② 보조용 표준 필림 (pohystyrene film ... 있어서 수분이 제거 되어야 한다.1) 기체시료 : 10 ~ 20cc정도의 기체시료를 주사기로 채취해온다.2) 액체시료 : Vial병에 1 ~ 2cc정도 담아온다.3) 고체시료 : Film이나

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.18

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  단위조작실험(응축 예비결과보고서)

  이와 달리, 적상응축은 막보다 큰 액적을 이루면서 액화가 되는 현상이다.3) 막상응축(film condensation): 응축한 액이 피막상으로 벽면에 붙어서 중력에 의해 흘러내리는 ... T0=73°C, Ti=23°C, A=0.298m2, ? ... 이 데이타들과 상기의 식을 이용해 총괄열전달계수를 구하면 다음과 같다.Ur=Wc(T0-Ti)=0.499kg*(73-23)°C=18.6kg·°C/m2·hA?

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.24

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  TCO에 대한 기초 내용 및 현재의 기술동향, 관련 특허 조사 및 분석, 시장 및 기술동향에 대한 전망 발표 자료

  박막을 증착 - Ti가 Al의 diffusion barrier로 작용 하여 Al의 소자 kill을 방지 - Al과 ITO 사이에 Ti 박막이 존재하여 contact resistance를 ... ITO film contact structure, TFT substrate and manufacture thereof 출원번호 : US6897479 출원인 : The webb law ... P.C. - Active channel 인 a-Si를 연결하는 Aluminum과 Pixel에 전압을 인가하는 ITO간에 contact resistance가 존재 - Al의 상하에 Ti

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.02

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  NMOS 제조과정(공정,장비,조건등) 올컬러

  planarization)11)■ PR 코팅 후 노광하여 Contact hole patterning.12)■ Dry etching 이용하여 Metal contact hole 형성.13)■ Ti ... PR 코팅5)■ 노광하여 PR에 Patterning 하여 poly-Si을 Dry etching 후 PR Lift-off6)■ Sidewall Spacer를 위한 SiO2 thick film ... annealing하여 Junction depth가 0.13㎛이 되도록 한다.9)■ LPCVD, HDP-CVD등의 방법으로 ILD(Inter Layer Dielectric) SiO2 thick film

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.31

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  H2O2/HCL 로 처리한 Ti 임플란트의 생체활성 평가

  and Ti alloy are effective in bioactivity improvement Film's thick average is thin in chemical processing ... 화학처리한 cp-Ti, Ti-6AL-4V and Ti-6Al-7Nb. ... treatment cp-Ti(a´),Ti-6Al-4V(b´)and Ti-6Al-7Nb(c´)Fig.2.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.04

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  3D패키징 실험

  ->액상에 담가서 develop하는 방법도 있지만 Film이 두꺼워서 developer이용,(용액이 PR 때려 물리적으로 떼어냄)⑤cleaning물, 질소 바람을 이용( 질소: 반응성이 ... 전기적 특성 측정◎2주차(9월 29일)1.목표Cu-Ti로 sputtering한 wafer에 Photo lithography의 일부인 PR-coating->노출(Exposing)-> ... 시편준비과정①4인치 Si wafer위에1층:Ti(20nm)/2층:Cu(200nm) ㅡ> sputtering으로 증착②Lithography 공정③Cleaning④Cu와 Sn 도금 (전기도금

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.08

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  VA방식과 IPS방식의 비교분석

  Multidomain을 구현하는 방법 - 의 발전된 형태로, 분자 배향을 기판에 수직으로 배열하는 VA Mode 를 개선하여 상하 전극 기판에 일정한 형태의 ITO(Indium Ti전압을 ... 빨라져 동영상 구현이 가능한 액정표시장치를 제작할 수 있으며, 액정패널의 상부에 소정의 트위스트 각을 가지는 고분자 필름을 광학보상용 필름(optical compensating film ... 상세한 설명][발명이 속하는 기술 및 그 분야의 종래기술]본 발명은 화상 표시장치(Image display device)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.12

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  Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발

  전도성 센서•금속산화물형 : -주로 Pt 나 Pd 와 같은 귀금속이 도핑된 Sn, Zn, Ti, W, Ir 등의 산화물을 사용 -센서의 감도-5 ~ 50 ppm ,사용 주기나 시간에 ... Spin coating Dip coating Langmuir Blodgett film Self-assembled monolayers PVD CVDSpin Coating•균일한 층의 ... 액체에 담군 후에 정해진 온도와 기압조건에서 계 산된 속도로 다시 빼내는 방법 Coating 의 두께 -퇴출속도, 재료의 성분 , 액체의 점성도로 좌우Langmuir Blodgett Film

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04

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  반도체 처음부터 끝까지

  Patterned films, such as SiO2 and Si3N4 thin film, by the PR mask could be used for another mask for ... , TiN, Ta, TaN, Cu –CVD / ALD ( Atomic Layer Deposition ) •W, TiN, Ti(Si)N, Ta, TaN, Cu, WN, TaC, WCN ... ImplantSiC –Spin on Dielectric •SiO,SiO(C), SiOC, PSG Metallization –PVD ( Physical Vapor Deposition ) •Al, Ti

  리포트 | 53페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.20

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  차세대 메모리

  Epitaxial film growth of ferroelectrics 4. ... 기술개발 현재 삼성전자, 토시바, 히타치 등 비휘발성 메모리 분야의 선두 업체에서는 Pb(Zr,Ti)O3 (PZT박막) 등을 이용하여 FRAM 소자를 구성. ... “자발분극을 가지고 있으며, 외부 전계에 의하여 분극반전을 일으킬 수 있는 물질 PZT는 Pb(Zr,Ti)O3라는 식으로 나타내는데 ABO3의 페롭스카이트 결정구조에서 Pb 금속이온이

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  CVD 와 PVD 코팅

  아크 전력 공급장치를 이용 음극과 양극으로 작용하는 Ti 타겟 사이에 아크 방전시키면 Ti+가 방출되고 모재에 충돌된다. ... Vapor Deposition)CVD상압CVD감압CVDHT CVDMT CVD☞ Plasma CVD분류상 CVD법에 속해 있으나 CVD법과 PVD법 중간적 성격대표적 Coating Film ... 특성상대적으로 저온(통상500℃이하) -모재의 치수변화와 강도변화 없음 내열, 내마모성, 내용착성이 우수 치밀한 박막 획득 인체에 무해한 공정 상대적으로 빠른 증착N, Ar전극으로부터 Ti

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

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  2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)

  Ti 증착으로 높은 층덥힘과 돌출최소화 문제가 있음- CVD TiN Barrier? ... TiN이 Barrier와 접착층으로 쓰이고 있으나 Barrier volume과 두께를 최소하하는 문제가 있음o 구리배선공정을 위한 Dielectric Films- Pitch의 미세화로 ... 스퍼터 클린으로 컨텍하부 불순물 제거, 컨택 위쪽을 깍아 작은 면을 냄(facetting)- 선택적으로 oxide 제거가 가능하나 oxide나 nitride가 제거되지 않음- PVD Ti를

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07

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