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"Ti films" 검색결과 81-100 / 156건

  • Multiferroics.다강체 관련 레포트
    결과를 네이처 재료(Nature Materials) 저널에 “Electric modulation of conduction in multiferroic Ca-doped BiFeO3 films ... 하지만 온도에 변화를 주게 되면 Ti가 이동하면서 균형이 깨지면서 분극이 발생하게 된다. 이것은 대칭성이 깨지면서 dipole을 형성한다는 것이다. ... 또한 Ti가 이동하는 방향이 온도를 낮추면 위로 움직이게 되고, 높이면 아래로 움직여서 분극을 발생시키는데, 이것은 같은 성질을 내지만 같다고는 할 수 없다고 한다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11
  • [공학]반도체 집적소자 제조 단위공정 실험
    이때 주위의 Ti의 증착막의 원자에 굉장한 에너지를 주게 되므로 Ti 원자 배열이 변형되며 따라서 가공경화막과 같이 강한 표면이 된다. ... 즉 10000eV의 아르곤 이온은 Ti의 증착막 중의 표면으로부터 대략 1.5mm깊이로 파묻히게 주입된다. ... process)의 개요-Thin film process란 thin film deposition(증착)과 photolithography(사진식각) 기술을 이용하여 원하는 형상의 회로를
    리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.07
  • TRIZ의 개요및 기초이론
    유럽등 서방세계에 소개되면서 본격적으로 서방 세계에서 활용이 본격화 됨 현재 차세대 기술개발 및 혁신 도구로서 자리 매김 중 미국기업 : GE, HP, 3M, FORD, GM, TI ... , Coca Cola, 보잉사 등 일본기업 : Sony, Sharp , Sanyo , 三菱電機 , Honda, Toyota , 松下電器 , Fuji Film 등 유럽기업 : Nokia
    리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.27
  • XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
    Many modern technologies are based on the use of large surface-to-volume materials or devices :thin film ... metal12Ti 2p spectrum from the pure metal (Tio ) is compared with a spectrum of titanium dioxide (Ti4 ... spectrum obtained from Zn10Characteristics of XPS 111Chemical shiftTi 2p1/2 and 2p3/2 chemical shift for Ti
    리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.20
  • 염료감응형 태양전지
    Sc-ZnO를 Deposition*TiO2 도포Semiconductor Physics LabGlassTiO2(TiO2는 Dr. blade 방법으로 도포)Solar System SA 의 Ti-Nanooxide ... DSSC제조제조과정Semiconductor Physics Lab1)Eagle 2000 glass에 TCO Depo 2)TiO2 도포 3)Dye 흡착 4)하부전극 Depo 5)전해질 주입*Sc-ZnO Thin Film
    리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.22
  • Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션)
    (typically less than 1000 nm per minute) - low substrate temperature : Very well controlled : Grow films ... - AuGa Ge(Ⅳ) diffuses into the wafer and acts as a dopant Ni Damage near the surface Deposition of Ti ... alloy temp. - Slip down the edge - Irregular surface Solution of AuGe problems Ni, Ag Deposition of Ti
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03
  • Four point probe의 원리 및 실험
    Experiment1) Step 1 :- Measurement of sheet resistance of Al, Ti thin films on silicon dioxide/Si* Sample ... Rs vs 1/t3) step 3:- From the relationshp between Rs and t, estimate the thickness of Al and Ti with ... :]Unknown thickness :,2) Step 2 :- Draw the graph that shows the relationship between Rs and Al and Ti
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.17
  • 반도체 공정의 이해
    저 저항 배선기술차세대 적용 기술차차세대 적용 기술←CU(구리) ……..현행 사용 기술AL,W (MONO/MULT) :CVD TiN/Ti PVD AL REFLOW항목물질 및 방법64MD ... 성능 비교 : STEPPER vs SCANNER이온주입ETCHCVDDIFFPHOTOSiO2 + CF3+ ion → SiF4 + CO + 2O (Pump out)다양한 종류의 박막(Film ... AlCl3 (Pump out)배선 형성절연 Pattern 형성Rf Power++PlasmaGas원자 / 분자ETCH 개요ETCH Mechanism+=Si감광막Cl+(ion)+각 박막(Film
    리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25
  • PVD와 CVD의 비교 및 분석
    Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD2. ... (Physical vapor deposition)PVD 공정은 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, W, Pt등)의 입자를 진공중에서 여러 물리적인 방법에 의하여 기판
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15
  • 연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)
    Plasma Enhanced CVD)장점 Low Temperature Process Good Adhesion Good Step Coverage Low Pinhole Density 단점 Films ... , TiN, Al, Co, W, ……WSix, W, TiN, Ti, Al, …… SiO2, Si3N4, SiON, BPSG, PSGPVDPVD는 thermal evaporation, ... Safe processGood step coverage단점Bad step coverageHigh impurity Using toxic gas Hardware complexity적용공정Ti
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17
  • 금속계 세라믹계 신소재
    또한 초탄성 합금을 항복구역까지 변형한 후 하중을 제거하면 원상태로 되돌아간다.최근에는 Sputter를 이용하여 Ti-Ni 및 Ti-Ni-Cu 합금 등의 형상기억합금 박막(Shape ... Memory Alloy Thin Films)을 제조하는 기술이 개발되어 있다.형성기억합금은 온도에 따른 구조변화가 그 기능의 기본이 되나 구조 및 자성의 상변화가 그 기능의 기본이 ... 금속계형상기억효과란 처음에 주어진 특정 모양의 것을 인장하거나 소성변형된 것이 가열에 의하여 원래의 모양으로 돌아가는 현상을 말한다.금속 또는 합금의 기억기능은 1960년대 후반 Ti-Ni
    리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.13
  • Electron Beam Evaporation
    .Type of E-beam Evaporation장점과 단점wehnelt cup으로 둘러싸인 국소부위만이 가열됨으로써 시편에 어떠한 열적 영향도 미치지 않아 Fine grain film ... 2100~280026403.6540.32MgO〃2100~280020463.6101.94Al2O3〃1600~280018606.5391.22Zr〃1600~210017274.547.90Ti ... E-beam evaporator는 각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비 원리 : 고온 필라멘트 대신 electron
    리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.21
  • 실험배지제조, Plasmid DNA isolation and purification, Agarose gel electrophoresis 실험
    시약 및 재료Agarose, EtBr, 6x loading buffer, DNA solution, λ HindⅢ DNA marker, Yellow tip, Blue ti직이는 속도에 ... Power supplier, Electrophoresis kit, Microfuge tube rack, 비커, 삼각플라스크, UV transilluminator, Polaroid film
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.27
  • 반도체공정 (Deposition & Evaluation)
    Voids in film.Critical parameters forelectroplating film uniformityare:? ... FabricationReport(12월)박 형 석< Film Deposition의 종류와 특징 >Film을 형성하는 방법에서 크게 3가지로 분류를 하는데, 다음 표와 같이 분류를 한다.Table ... , TiN, Al, Co, W, etc.WSix, W, TiN, Ti, Al,SiO2, Si3N4, SiON, etc.Single crystalline Si growth1.
    리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27
  • 이중열교환기
    실험 결과1) 향류에서 뜨거운 물과 찬 물의 유량에 따른 각 부분의 온도 Ti를 Table로 정리한다.2) 총괄열전달 계수를 구하기 위하여 아래 두 식의 수치를 계산한다.※ 관의 재원 ... .⇒ 경막두께(film thickness)라고 하며 일반적으로 층류층의 두께보다 약간 큰 값(완충영역 포함하기 때문).경막전열계수는 각각 고온유체측과 저온유체측에 대하여: 관의 내부면적
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.01.14
  • sheet resistance 측정 실험보고서(4 point probe)
    thin films on silicon dioxide/Si*Sample Set 1-Materials: Aluminum-Thicknesses: 3 known samples and 1 ... probe measurements method.Rs(Ω/㎠)=ρ(Ω/㎝)/t(s≫t)ExperimentStep 1:-Measurement of sheet resistance of Al, Ti ... 때문에 resistance가 커진다.Step 3:-From the relationship between Rs and t, estimate the thickness of Al and Ti
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.14
  • SPUTTER
    TiN, AlN, Si3N4 - Carbides : TiC, WC, SiC - Sulfides : CdS, CuS, ZnS - Oxycarbides and oxynitrides of Ti ... Cd2SnO4 thin film의 transmittance 측정 결과 [J. Vac. Sci. Technol. A 18(6), Nov/Dec 2000]Figure 3. ... Sputter Intro2009년3월20일 유균경Thin Film DepositionChemical ProcessPhysical ProcessEvaporationSol-GelPlatingCVDSputteringElectro
    리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07
  • [공학]Al thin film and PVD
    TiN film – Sputtered Ti atoms (surface) + N gasPhysical Vapor deposition (PVD) by sputteringⅦ. ... ALUMINUM THIN FILMS AND PHYSIC VAPOR DEPOSITION IN ULSIContentsⅠ . ... Thickness Evaluation of Opaque thin filmThe properties of Aluminum thin film in ULSI1.
    리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.05
  • 골프채 샤프트의 제작
    itself피막difficult어렵다.6-12%Ti alloys4.541550만100-130ksihigh파괴 한계높다.coated with thin film itself피막very ... Fatigue(1)Corrosion(1)Fabrication(2)Elongation(2.5)totalsteels2.543.543.534461Al alloys33332.53.533.552.25Ti ... hard아주 어렵다.20-30%Mg alloys1.54600만16-40ksimiddle파괴한계가 없다.coated with thin film itself피막severe electrical
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.21
  • 외래어표기법
    (steam[sti:m]스팀, ring[riŋ]링, hint[hint]힌트, corn[k? ... (slide[slaid] 슬라이드, helm[helm] 헬름, Hamlet[hæmlit] 햄릿, film[film] 필름, swoln[swouln] 스월른, Henle실제로 속하는
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.05
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2024년 09월 03일 화요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대