"Ti films" 검색결과 141-156 / 156건

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  [신소재]진공증착법

  증착됨에 따라 수정 Wafer위에 건식 film이 형성. ... 그러나, cold HCD에서 전자는 내부가스의 이온화, 이차전자 방출로 생성되며 낮은 전류와 높은 전압을 특징으로 한다.☞ 아크 증발계: TiN의 증착에서 Ti 음극에 아크 방전법을

  리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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  [코팅 도금] CVD & PVD

  이용해서, Ti를 며, TiN 으로는 다이아몬드, 보른카바이트(BC)에 이어 현저히 높은 값을 얻을 수 있다. ... 뒷면에도 도금이 된다.1) 진공증착법진공 중에서 금속, 금속화합물 또는 합금을 가열증발시켜서 증발금속 또는 증발금속 화합물을 목적물질의 표면에 응축하게 하여 박막:薄膜(thin film ... 가령 TiCl를 불활성 의 Ar이나 He의 캐리어 가스로 반응용기에 보내어, 열 분 해에 의해 Ti를 기판표면으로 석출시킨다.그 반응은 환원형은 캐리어가스와 환원성을 겸한 H가 스를

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.05.29

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  [국어국문] 외래어표기법

  다만, 비음([m], [n]) 뒤의 [l]은 모음 앞에 오더라도 'ㄹ'로 적는다.예) slide[slaid] 슬라이드 film[film] 필름 helm[helm] 헬름 swoln[swouln ... ] 스월른Hamlet[h mlit] 햄릿 Henley[henli] 헨리제7항 장모음장모음의 장음은 따로 표기하지 않는다.예) team[ti m] 팀 route[ru t] 루트제8항

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.05.02

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  [건축, 화학공학]광촉매를 이용한 새집증후군의 제거

  무독물질이며, 폐기하여도 2차 공해에 대한 염려가 없다.또한, Ti(티탄)는 지각 중에 아홉 번째 로 많은 원소이며, 산화물인 TiO2는 자원적으로 매우 풍부하기 때문에 가격도 싸다 ... 광촉매 효율의 증가와 감소는 도핑된 전자의 원자가 전자에 따라 좌우되는 경향이 있음을 알 수 있다.Carbon nanotubes thin film 의 VOCs sensors 로의 이용-탄소나노튜브의

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.07.02

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  [기계공학] 능동진동제어

  따라서 형상기억특성을 나타낼 수 있는 열탄성형 마르텐사이트변태를 한다.그림은 형상기억효과를 설명하기 위해 Ti-Ni계에서 모식적으로 그린 것으로 위쪽의 막대기는 시편의 형상이고 아래쪽의 ... 결론 및 고찰실험의 목적은 Piezo film을 분포형 작동기 및 감지기로 사용한 지능외팔보의 능동제어를 통하여 PID controller로 제어하였을때의 실험결과를 알아보는 것과 ... 또한 실험에선 쓰여진 piezo beam에서 생성되는 진동에 따른 변위값을 그에 상당한 출력신호를 actuator로 쓰이는 Piezo film에 보내주어 진동을 능동적으로 제어하는

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.12

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  [금속표면공학]양극산화

  .○ Al Oxide Film의 제조시 전압에 따른 피막의 변화를 알아본다.□ 실험절차① 탈지② 중화③ 전해연마④ 양극산화Ⅰ. ... 주로 Al에 적용하고 이외에 Mg, Ti 및 Ta에도 이용된다. 양극산화 탄탈륨은 커패시터 제조에 이용된다.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.02.27

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  perovskite 구조

  Perovskite의 성질Ferroelectric thin film은 원자구조는 결정의 온도 변화에 대해 매우 민감하다. 온도가 변할 때 8면체의 결정은 뒤틀리게 된다. ... octahedron은 인접한 Ba2+ ion에 의하여 팽창되기 때문에 Ti4+ ion의 크기에 비하여 크다.rattling 따라서 Ti4+ 이온은 body-center의 위치에서 ... 같이 FCC를 형성하고 cube의 꼭지점에 Ba가 위치하면 Ba는 총 12개의 O와 배위를 하게 된다.Charge NeutralityBa2+의 Bond strength = 2/12Ti4

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.28

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  [재료공학실험] CVD와 PVD

  CVD System의 활용 범위1 Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD2 향상된 마모 저항성을 지닌 ... PVD 공정의 개요PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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  [재료] 뉴세라믹용어정리

  예를 들어, PbTiO3의 thin film을 제조할 경우 먼저 Pb와 Ti의 com ... Step은 원하는 재료의 양이온이 포함된 metal alkoxide를 Hydrolysis, Condensation, Coating, Drying, Heating등의 과정을 거쳐 thin film등을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.16

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  [공과대] 기술동향과 재료 중심의 IT란 무엇인가?

  차세대 평판 디스플레이 기술로는 TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)를 중심으로 PDP(Plasma Display Panel ... Rockwell, Raytheon, TI, Siemens, Omron, NEC 등은 이들 소자를 시험제작 완료하고 통신 칩과의 집적기술을 연구하고 있으나, 국내 경우는 인덕터, 스위치

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.14

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  [금속 물리 실험] 부동태

  이것을 산화물피막설(oxide film theory)이라고 한다. ... 이에 속하는 부동태 금속으로는 대부분 전이금속으로서 Fe, Cr, Mo, Ni, Zr, Ti 등이 이에 속한다. ... 부동태 금속, 합금은 그림처럼 's-형"의 양극분극곡선을 나타낸다(Ti는 부동태통과영역이 없다). 또, 활성-불활성전이에 따르는 용해속도의 감소를 볼 수 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.31

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  [표면분석] RBS에 대하여

  RBS analysis in thin films신 상 훈E-mail: sanghoon76@nate.com목 차개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 ... ]t 로 부터 해당원소의 박막두께 t 측정 [S] (에너지 loss factor): 참고문헌의 참조 ∆E : 실험결과로 부터 측정 오차 : 약 5%미만Si 기판위에 Pt, Pd, Ti가

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.07.05

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  [화학] 디스플레이와 디스플레이 형광체

  Eu3+이온에 의해 활성화되는 Y2O3적색 형광체는 Y2O3:Eu로 표시한다.형광체의 형상은 이들 활성제가 혼입된 결정구조로 구성된 수 ㎛크기의 분말형태를 띄거나 박막(thin film ... Mnred-orangemedium long (52 msec)militaryP-14ZnS:Ag+ZnCdS2:Cu2μsec)very long (429 msec)radarP-18(Ca,Mg)SiO3:Ti

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.16

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  [금속] cvd와 pvd

  즉 10000eV의 아르곤 이온은 Ti의 증착막 중의 표면으로부터 대략 1.5mm깊이로 파묻히게 주입 ... 건식도금기술은 소재(基板:기판에 엷은 금속 또는 금속화합물을 피복시킨다는 의미에서 박막(薄膜)제조기술(thin film technology)이라는 말을 많이 사용하고 있다.이 중 CVD ... & 뒷면에도 도금이 된다.【1】진공증착법진공 중에서 금속, 금속화합물 또는 합금을 가열증발시켜서 증발금속 또는 증발금속화합물을 목적물질의 표면에 응축하게 하여 박막:薄膜(thin film

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.06

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  [무선통신] 중국의ADSL시장

  )와 제휴를 맺고 TI의 선진기술과 장비를 공급받으며 ADSL시장에서 경쟁하고 있습니다. ... 그리고 Cable은 SARFT(the State Administration of Radio, Film, and Television) 기관으로부터 규제를 받아왔으며 Cable을 통한 ... 수백만달러에 달하는 계약을 중국 광동(廣東: Guangdong) PTA와 체결하고 ADSL장비를 공급하고 있으며, 중국업체인 Huawei는 최근에 미국 Texas Instruments(TI

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.05.28

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  [반도체] 반도체란 무엇인가?

  가속에너지 정도에따라 High Implanter와 Medium Implanter가있다.박 막(Thin Film)Sputter금속증막장치. ... 고장내는 주요 원인이 되었던 것이다.이때 여러 개의 전자부품들(트랜지스터, 저항, 캐패시터)을 한 개의 작은 반도체 속에 집어넣는 방법을 연구한 사람이 있었다. 1958년 미국 TI

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.03

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