"RF Magnetron Sputter" 검색결과 81-100 / 147건

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  Diode-3주차 예비레포트

  .ⓐ Sputtering methodIn a sputtering method, generally a film is formed by causing a glow discharge to ... Normally, a DC magnetron sputtering method is used to manufacture the transparent oxide electrode films ... the target, to raise the collision efficiency of the argon ions even under low pressure, are called magnetron

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.18

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  [LCD실험] TFT-LCD 분석

  증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기

  절연막의 증착에는 주의가 요망된다.④ Magnetron 스퍼터링Magnetron 스퍼터링장치는 DC 스퍼터링 장치와 비슷하지만 cathode에 영구자석이 장착되어 target 표면과 ... 된다.⑤ Strip마지막으로 photoresist가 제거된다. wafer위에는 pattern 대로 생성된 산화막 만이 남음으로써 photolithography 과정이 완성된다.2) Sputter의 ... Magnetron 스퍼터링에서는 자기장이 target 표면과 평행하기 때문에 전기장에 대해서는 수직하다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  [전자공학]Sputter

  , modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic cathode? ... 불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron ... Sputtering의 장단점1.2.

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13

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  각종증착장비에대하여...

  Magnetron SputteringMagnetron Sputtering이란 target(cathode)의 뒷면에 영구자석(CoSm, Alnoco)이나 전자석을 배열함으로써, 전기장에 ... ◎Sputter의 종류?DC Sputtering직류전원을 이용한 Sputtering 방법이다. DC Sputtering의 특징을 보면장 점단 점? ... Sputter◎Sputter 원리Sputtering은 chamber 내에 공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  반도체공정 레포트 최종

  척의 중심부에 올려놓는다.2) Thermal Evaporation 과정① 보트 위에 유리를 올려놓는다.② 쳄버 닫고 진공을 잡는다.③ 열 증착기 이용하여 박막을 증착한다.3) DC Magnetron ... 이러한 단점은 RF s과정)⑥ 잔류 용제를 증발시켜 PR이 표면에 잘 붙게 하기 위해 105℃로 다시 약 3분간 hard baking 한다.⑦ 약 2분 30초간 에칭 한다.※ 에칭의 ... 크다.반면에 4가지 단점이 있다.① Target의 재료가 금속으로 한정된다.② 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15m Torr)③ 기판이 과열되기 쉽다.④ 불순물 증착률이 높다.※ RF

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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  반도체 입문교제(Metal)

  system]2) Magnetron Sputtering 가) 원리 및 Mechanism Target에 인가된 “-” power는 target면에 수직한 방향으로 전기장을 형성시킨다 ... Overhang: 비아/콘택 홀 상부의 모서리, 스파터링시 이 모서리에 증착된 금속이 홀 하부 측벽 에 금속이 증착되는 것을 방해한다.METAL 공정RF coil금속 입자전자secondary ... 최근에는 막 두께의 uniformity, deposition rate, target erosion 개선을 위해, 기존의 planer Magnetron 방식 대신 자장의 범위를 target

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  [박막 증착] PVD의 원리와 종류

  diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다. metallic cathodetarget은 ... 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용됨.② RF voltage 사용electron field vector의 진폭과 방향이 ... 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성한다.Sputtering의 특징은 universality에 있다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  E-Beam Sputtering

  Magnetron Sputtering☞장 점- sputtering 효율이 증가- 전자의 와류운동으로 전자의 기판 및 박막에의 충돌 감소따라서 기판온도 상승효과가 적다- SiO2, Al2O3 ... 조절이 쉽다.- RF sputtering 에 비해 성막속도가 크다.- 박막의 균일도가 크다.- 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다. ... 종류별 Sputtering의 장.단점?

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  Reactive magnetron sputtering을 이용한 ZnO박막증착

  RF 스퍼터링152.2.6. Magnetron 스퍼터링182.2.7. RF 마그네트론 스퍼터링192.3. 플라즈마223. 실험 방법 및 분석243.1. ... 학사학위논문Reactive Magnetron Sputtering에 의한ZnO 박막증착Deposition of ZnO thin film by reactive magnetron sputteringK대학교화학공학부 ... 홍 길 동2009. 2.학사학위논문Reactive Magnetron Sputtering에 의한ZnO 박막증착Deposition of ZnO thin film by reactive magnetron

  리포트 | 57페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.12.06

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  DSSC

  물질이 주로 연구 되고 있으며 그 층의 형성방법으로 Spray pyrolysis deposition(SPD), One-step cathodic electrodeposition, rf-magnetron ... DSSC(Sputtering 및 Cell 제작)- 예비 보고서 -과 목재료공학실습Ⅱ분 반1 분반담당교수김상호 교수님학 과신소재공학과학 번2005171032이 름임 언 호목 차1. ... 실험 목적dye-sensitized solar cell(DSSC) 태양전지의 원리와 Cell의 제작과정을 익힘으로써 태양전지를 완벽히 이해하고 TiO2의 Sputtering두께와 Screen

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  이온플레팅

  Triode ion plating, Magnetron ion plating, Hollow cathode를 이용한 ion plating, rf bias ion plating등 일반적으로 ... 이것은 크게 Evaporation Process, Sputtering Process, Plasma-Asisted PVD(Ion Plating) 3가지로 나누어 진다.첫 번째로 Evaporation ... discharge 또는 electric beam)으로 가열하여 원자를 증발시켜 모재에 증착하는 방법으로서, 모재에 증착하는 원자의 에너지는 2000K에서 약 0.2eV로 매우 낮다.두 번째로 Sputtering

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  단점인 낮은 성막속도는 magnetron이나 ECR (Electron Cyclotron Resonance)을 이용한 Sputter로 해결 Ion-plating – 대형제품, 복잡한 ... 단점 1)성막속도가 낮다( 10Å/sec ) -magnetron sputtering 으g이온충돌에 의한 모재의 세정효과와 높은 이온 에너지로 인해 공극이나 불순물등이 없는 치밀한 조직을 ... sputtering Magnetron sputtering Ion-beam sputtering금속Cu,Au,Al,Co,Ni,Fe,Si저항막,전극, 반사막,태양전지,Sensor,IC,

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  DRY ETCHING

  RIE 는 그림에 표시된 것처럼 웨이퍼가 RF 가 인가되는 전극 (cathode) 에 위치벽 특성을 만들어낸다 . 애노드에는 스퍼터링이 없다 . ... 압력은 0.1torr 이하로 비교적 낮다 .( 장비 )MERIE 자기적으로 강화된 반응성 이온 식각 반응기인 마그네트론은 물리적 , 화학적으로 결합된 식각 시스템이다 RIE 반응기와 ... resolution 이 좋음 , Gas 사용으로 습식식각에 비해 상대적으로 깨끗하고 안전 단점 : 물리적 충돌에 의한 식각도 일어나므로 완벽하게 특정 물질의 선택적 식각이 어려움건식 식각의 분류 Sputter

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.21

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  [LCD실험] Color filter 제작 및 분석

  : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이다.2) Evaporation: evaporation의 ... 이는 측정 하려는 용액의 농도에 따라 변하므로 흡광도 A=log(1/광계수, c : 몰농도, l : 샘플의 길이 )공정 process1)증착(Deposition)1) Sputtering

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

  Magnetron sputtering process of WC (RF) + Ti확인. ... Magnetron sputtering시 TiN은 DC Power를 사용하였고 WC는 RF Power를 사용. ... 실험 결과 및 고찰3.1 AIP & Magnetron Sputtering condition본 논문을 통하여 제작한 장비를 이용하여 AIP와 Magnetron Sputtering에 의해

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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  스퍼터링(sputtering)

  기판이 과열되기 쉽다.3) RF 스퍼터링D.C 스퍼터링에서 특히 문제가 되는 것은 타겟이 절연체일 경우이다. ... Sputtering은 실로 많은 부분에 사용되어지는 없어서는 안 될 기술이라고 할 수 있다. ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? 박막의 균일도가 크다? Target의 재료가 금속으로 한정된다.? 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15m Torr)?

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18

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  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. ... 원리 및 사용방법1) Sputtering 원리운동 에너지를 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 또는 제 2층에 있는 원자의 어떤 것을 ... 격자 형태로부터 뜯어내어 공간을 튀어나가게 하는 데 이것이 sputtering 현상이다.Sputtering은 chamber내에 공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자 사이의

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  PECVD / SPUTTER

  또한 시간 ,압력 ,RF전력, 가스 과 같은 것을 조절하여 증착 공정을 바꾸어 줄수 있다. ... 원리이다.왼 쪽 그림은 평판형 마그네트론 스퍼터링의 그림이다.평판 캐소드의 뒤쪽에 영구 자석을 둔다. ... 가하는 방법도 있다.자기장이 어떤 일정한 세기를 넘으면 (컷오프 자기장이라고 한다)전자는 음극을 나가서 양극에 도달하지 못하고 양극 사이에서 나선 운동을 계속하게 되는데 이것이 마그네트론의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  방사선 응용 및 실험 (Sputtering의 원리, HgI2, Diffusion Pump, Rotary pump, 진공, Magnetron sputtering)

  sputtering- Target의 뒷면에 영구자석이나 전자석을 배열함으로써 전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를 target 바깥으로 형성되는 자기장내에 ... 요오드화칼륨 수용액으로 요오드화수은(Ⅱ)착염을 만든다.[2] Sputtering의 원리- 높은 에너지를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들 에게 에너지를 전달해줌으로써 ... .- 이온화된 가스 원자는 타겟에 충돌하고 모멘텀 전달에 의해 타겟 내의 원자는 방출됨.- 충돌 시 Ar은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충돌하는 과정을 반복함.[3] Magnetron

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.20

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