"RF Magnetron Sputter" 검색결과 101-120 / 147건

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  lcd 개론

  (통상적으로 RF 방전 이용)• Magnetron Sputtering 방법: DC Plasma 이용. ... 시켜, Sputtering된 원자들은 상호 충돌과 간섭을 통하여 가진 에너지를 소모하고 유리 기판 표면에서 상호 결합하여 박막 형태로 성장. ... Sputtering금속막 및 투명전극의 박막 증착에 사용• 원리: Ar 가스에 플라즈마 방전을 일으켜 이 때 생성되는 Ar+ 이온으로 target 금속(증착 물질)을 sputtering

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.09.24

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  [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>

  이론적으로 배웠던 스퍼터링의 종류에 DC planar diode 스퍼터링, Triode 스퍼터링, Magnetron 스퍼터링, RF 스퍼터링, Ion beam 스퍼터링 기술 등이 있다 ... 이와 같은 스퍼터링 공정 중 대표적인 스퍼터링 기술은 Magnetron 스퍼터링법 이라고 할 수 있는데 Sputtering Target 뒷면에 자장을 인가하여 Plasma 내의 전자가 ... 공정의 단점인 낮은 증착 속도를 높일 수 있어 대부분의 Sputtering 공정에서 이용되고 있는 추세이다.박막증착이 특히 핵심적인 분야인 반도체 산업에서는 RF 스퍼터링 혹은 Ion

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

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  [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링

  이온빔 보조 DC 반응이온 마그네트론 스퍼터링 장비 모식도PlasmaTarget-Ion Beam source그림11. ... 플라즈마 발생원리+고주파 가열 플라즈마 (RF) 전자파의 진동 전계에서 흔들린 전자가 기체 분자와 충돌하고 전리가 진행하여 방전이 유지왜 RF를 이용하는가? ... Sputtering 원리투사입자방출입자그림4.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27

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  스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리

  (Magnetron sputtering)• 원리 - 강한 자기장을 이용하여 target 표면근처에 플라즈마를 모으게 된다. ... (RF sputtering)• 원리 - 고주파의 주파수 영역 : 공업용 해당 주파수인 13.56 MHz - 고주파 전위를 전극에 걸어주었을 때 음의 반주기 동안은 양이온을 끌어들여 ... (장치)Ar g a sDC/RF 전원MFC기판전극기판plasmaRotary pumpDP/TM pumpMain valveforeline valveroughing valveconductance

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  CVD 와 PVD 코팅

  법(DC, RF, Magnetron, Reactive) 진공 챔버내에 불활성 기체(Ar, He, Ne, Kr)을 채워 고전압내에서 방전시키면 이온화된 불활성 기체가 타겟에 충돌하게 ... 계략도CathodeSSNAr+N2Ti-TargetSubstratePumpHeated SupportHeatingUBDC BiasDC EquipmentUK Magnetron Sputtering ... 조건을 결정하는 인자를 독립적으로 변화시키는것이 어려움 2) 형성되는 막에 sputter gas가 포함됨 3) Sputter 속도는 증착법에 비해 일반적으로 느림 4) 고전압이 요구되며

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

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  MOS소자

  직류가 아닌 교류를 가함.- Magnetron Sputter : DC Sputtering과 유사. ... Sputter의 종류- DC Sputter : Target은 conductor를 사용. 음극과 양극에직류전압을 가해줌.- RF Sputter : 절연체의 박막을 증착.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  열전도성이 좋지 않아 열충격에 약하다.- 제한된 증착 속도로 증착⇒ 금속 target을 반응성 증착으로 절연막 형성- 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지 않는다.3) magnetron ... Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험1. ... DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 spu가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.- 전류량과 생성피막의 두께가 정비례하므로 콘트롤이 쉽다.- RF

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  플라즈마 공정

  (RF Sputtering) →플라즈마를 DC전력공급장치가 아닌 AC전력공급장치로 얻는 방식으로, 비전도성 표적재료의 경우 DC전력공급장치를 사용할 경우 피처리물 표면에 전학 축척되어 ... 낮은 압력에서도 사용 가능 - 단점 : 생성된 막이 타겟 물질의 조성과 반드시 일치하지는 않음 공정상 정밀제어와 주의 요함 ▶Magnetron 스퍼터링 - 소스 타겟 뒷면에 영구자석이나 ... 또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다.RF스퍼터링RF스퍼터링

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

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  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  금속 표적재료의 경우 한 개의 아르곤 이온이 표적재료에 입사할 때 표에 보이는 것처럼 1~2원자가 증기상으로 방출되어 증발효율이 낮은 편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 비를 증가시키는 ... 반응과정이 아니며, 기계적 과정에 의해 증기상을 만드는 방법으로 어느 재료의 표적재료도 사용할수 있는 장점이 있으며, 일반적으로 DC방법을 사용하나 비전도성 표적재료인 경우는 AC과정인 RF전위를 ... 다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

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  sputter deposition에 대한 이해

  그러 나 RF, triode, magnetron plasma 에서는 plasma potential이 이러한 약간의 posit증가 ... cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용 됨.2 RF voltage ... Sputter Deposition1. Basic aspects of sputtering1.1.

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

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  진공증착 (Sputtering)_pre

  금속막의 스퍼터링에는 DC 바이어스를 건다.RF 바이어스는 노출된 웨이퍼를 식각하고 세척한다는 또 다른 정점을 준다. ... Sputtering스퍼터링 기술은 웨이퍼에 금속 박막과 절연체 등을 증착하는 방법이다. ... 마그네트론 스퍼터링 시스템은 타겟의 뒤, 때로는 옆에도 자석을 설치해서 이러한 전자들을 제거한다. 이 자석은 떠도는 전자를 타겟 근처에 가두어 놓는다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  전자 방출용 보조전극 부착2 열전자 공급에 의한 가스 이온화율 향상3 가스 압력 저하4 스퍼터링 도금속도 향상5 활성화가스 사용시 비효율적6 축자장의 적용으로 플라즈마 손실 방지▶ Magnetron ... film - substrate 에너지가 강하여 박막이 완전히 표면을 덮고 그 dln에 증착층이 cluster 혀성하여 성장▶rmal energy- resistance heating- RF ... Parallel flow1 the horizontal of cold wall type : a classical configuration2 the horizontal reactor with rf

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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  TFT LCD manufacturing, 생산공정, TFT 원리, Thin Film Transistor (TFT) 원리

  Sputtering된 원자들은 상호 충돌과 간섭을 통하여 가진 에너지를 소모하고 유리 기판 표면에서 상호 결합하여 박막 형태로 성장하게 된다.일반적으로 금속막 증착시에 쓰이는 Magnetron ... 인(P)를 Doping하는 n+a-Si:H막의 경우는 PH3가 첨가되며, Rf Power, 증 착 온도, Gas 유입량 및 전극과 Substrate 간의 거리가 형성되는 막의 성질을 ... Reactive Sputtering은 증착 중에 Chamber내에 Reactive Gas를 주입시켜 Targ et으로 부처 Sputtering 되는 원자들과 주입된 Gas들이 반응하여

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.23

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  열처리 온도에 따른 비저항 변화 및 silicide 형성관찰

  :Triode ion plating, Magnetron ion Plating, Hollow cathode를 이용한 ion plating, rf bias ion plating 등 일반적으로 ... 또 다른 특징으로 Sputtering에 의한 모재 표면의 청정화이다. ... 두 번째로 Sputtering process는 전기적 힘에 의해 plasma내의 양이온이 coating 재료(cathode)에 충돌함으로써 coating 재료의 원자가 밖으로 튀어나와

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.20

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  TCO(Transparent Conductive Oxide) 의 종류 및 ITO 제조 공법에 따른 장, 단점 비교 분석

  스퍼터CTO90161.2*10202*10-340RF 스퍼터ZO80301*10212*10-4400진공증착≥8833.11.36*10211.38*10-4350RF 스퍼터88--2.8*10 ... Unit●:양이온 In3+ ○:음이온 O2-ITO의 결정 구조1) 비저항의 낮음 2) 유리기판에 대한 강한 부착력 3) 투명도가 높음 4) 적절한 내약품성 5) 전기화학적 안정성 6) Magnetron ... Sputtering 의 ITO 막이 Pattern Etching 이 우수ITO막이 사용되는 이유Glass 위에 ITO 박막이 형성될 경우 빛의 파장에 따라 빛의 보강.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  Sputtering

  끼침 고전압을 사용하므로 작업상 주의 요망Micromachining ProcessSputtering 종류DC sputtering - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF ... 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron ... 흡수층,LCD , 터치패널등 에 사용 ➂ 컴퓨터 메모리 자기디스크 원판의 Al 기판이나 유리기판에 sputtering하여 자성박막을 만듦Micromachining Process결론Sputtering은

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03

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  Sputter

  Magnetron SputteringMagnetron Sputtering이란 target(cathode)의 뒷면에 영구자??? ... 1.실험제목 :RF-Spuutter를 이용한 ITO 증착2.실험목적 :1.Sputter를 이용하여 ITO박막을 증착해보자.2.Sputter 장비의 증착 순서를 익히고, 각각의 부품 ... ITO 박막의 특성을 결정하는 조건(증착압력, RF power 등등)에 대하여 알아보자.3.실험기구, 장비, 재료 :-증착 장비 (RF-Sputter, 고진공 펌프, 저진공 펌프)-

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24

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  진공증착 (Evaporation)

  (Iom-beam Sputtering)마) 중성입자 스퍼터링(Neutral-particle Sputtering)2RF(Radio Frequency) 과정 : RF 마그네트론3. ... ) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering)나) 삼극 스퍼터링(Triode Sputtering)다) 자기 스퍼터링(Magnetron Sputtering)라) 이온빔 스퍼터링 ... 증발(Magnetron Evaporation)5) 이온빔 증발(Ion-beam Evaporation){(이온도금 과정).

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.04.10

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  [금속재료공학]스퍼터링

  실험 장비RF/DC MAGNETRON SPUTTER 기기 , 기판(GLASS) , 초음파 세척기 ,4 point prove, Target4. 관련 이론(1) 스퍼터링이란? ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.마그네트론 스퍼터링 ... 이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게 된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

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  박막증착 (박막공정)

  DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판 상에 옮겨 붙이는 공정이다. ... 이 중 Sputtering의 경우 타겟에 박막의 원하는 물질 넣어주고 챔버 위에 이를 증착시킬 기판을 놓아둔다. ... 방법상으로 분류되어진다.또한 박막 증착은 플라즈마(Plasma)를 사용하는가에 대한 유무에 따라 분류해보면 앞에서 얘기한 CVD중 PECVD(Plasma Enhanced CVD)와 Sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.13

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