"RF Magnetron Sputter" 검색결과 141-147 / 147건

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  박막의 증착 실험

  Sputter etch(Back sputtering)에서는 기판에 -100V -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어 주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크며 박막의 균일도가 크다. 높은에너지의 공정이므로 밀착 강도가 높다. ... 결점은 diode 대신 tride형으로 하여 plasma 형성용 전자 방출전극을 이용, 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar 압력 하에 sputter 할 수 있게 하거나, magnetron

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  [증착법] 증착법

  , DC, RF, DC MAGNETRONRF MAGNETRON,BIAS, REACTIVEION PLATING2. ... (단점) - 성막속도가 낮다(10Å/sec 이하)→ Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다.- High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 damage ... (Sputtering 할 때 조절해야 할 조건)- 기판재료 선정 및 세정- 박막두께 결정 및 조성결정- 박막조성에 따른 target 결정- 기판온도 결정- Background 압력

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  [전자공학] 박막형성법과 박막특성

  :9Reactive Sputtering임의의 목적에 따라 산화물 또는 질화물등의 박막을 형성하기 위해 reactive sputtering을 이용한다. ... 열전자를 방출시켜 이온화 율을 높임낮은 압력(10-5 torr)에서 sputtering 가능낮은 전압(40V 이하)에서 가능증착 속도 증가사용이 복잡하다.스퍼터 법의 종류..PAGE:7Magnetron ... 이러한 단점은 RF sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [박막] 박막(thin film)

  Sputter etch(Back sputtering)에서는 기판에 -100V -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어 주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... 결점은 diode 대신 tride형으로 하여 plasma 형성용 전자 방출전극을 이용, 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar 압력 하에 sputter 할 수 있게 하거나, magnetron ... Sputter된 합금박막은 위에서 보여진 주상정 박막의 구조적 불균일 이외에도 박막조성의 불균일을 자주 보인다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27

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  [반도체재료] 박막증착

  RF스퍼터링(RF Sputtering)플라즈마를 DC전력공급장치가 아닌 AC전력공급장치로 얻는 방식으로, 비전도성 표적재료의 경우 DC전력공급장치를 사용할 경우 피처리물 표면에 전학 ... 원통형 마그네트론은 판형의 이런 단점을 해결하게 설계된 것으로 전자가 원통형 음극을 싸고 있는 플라즈마내에 잔류하게 하여 음극이 거의 균일하게 마모되도록 한다.마그네트론 스퍼터링은 ... , 가자 많이 사용되는 형태는 오른쪽 그림의 판형 마그네트론이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.10

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  [재료공학] Ag(Mg)/Si 의 증착 및 열처리

  sputtering, RF plasma sputtering, magnetron sputtering등이 있다.Heat Treatment일반적으로 가열 ·냉각 등의 조작을 적당한 속도로 ... 이때 substrate는 ground 상태를 유지한다.Sputtering의 특징은 universality에 있다. ... 실험목적Sputter를 사용하여 Ag(Mg)와 Ag(Co)를 증착하고 열처리를 통해 (100℃~500℃ 까지)각 박막의 비저항, Precipitate 형성, 박막 내부에서의 Alloy

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.13

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  반도체공정

  이들 2가지의 plasma 제량은 plasma 밀도를 높이려고, cathode에 인가하는 RF 전력을 증가 시키면, 동시에 plasma 전위도 높아져 버리는, 결과적으로 이온 에너지도 ... 방법으로서는 1ICP(Inductive Coupled Plasma)나 ECR(Electron Cyclotron Resonance)등의 고밀도 이온 원을 탑재한 장치, 2자장을 이용한 마그네트론 ... wafer에 vacuum - deposit 된다.1) Filament Evaporation2) Flash Evaporation3) Electron-beam Evaporation4) Sputtering절연막

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.03.31

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