"RF-magnetron sputtering" 검색결과 101-120 / 144건

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  [신소재]진공증착법

  electron trajectories.-☞ magnetron sputtering system① electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow ... cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용됨.② RF voltage ... 존재☞ 장점① 높은 증착 속도② 낮은 sputtering 압력③ 기판 온도 감소④ 산업적 규모의 공정으로 변환이 용이(7) Unbalanced magnetron sputtering

  리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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  스퍼터링

  마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)Glow 방전(discharge)의 경우 낮은 가스압 하에서는 전자들의 평균자유 행로가 너무 커서 이온화 효율(ionization ... 타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인 ... 이 현상을 스퍼터링(sputtering) 현상이라고 부른다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

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  산화아연의 전망

  Ryu등9)은 PLD 법을 이용하여 GaAs 기판에 의한 As 도핑 방법을 이용하여 p-형 ZnO 박막을 제조하였다고 보고하였으며, RF magnetron sputter 법을 이용하여 ... GaMnAs을 이용한 spin-LED15Fig. 5. p-형 반도체의 예상 Cruie 온도16Fig. 6. Green la 가능성을 제시하였고, 같은 대학의 M. ... GaMnAs을 이용한 spin-LED.Fig. 5. p-형 반도체의 예상 Cruie 온도.ZnO DMS에 관한 연구로서 일본 Osaka 대학에서 전이금속 원소들인 Fe, Co, Ni

  리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.29

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  필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성(optical property)에 미치는 영향

  Schematic of low-frequency inductively coupled plasma assisted rf magnetron sputtering system* A mixture ... Visible photoluminescence from plasma-synthesized SiO2-buffered SiNx films: :Effect of film thickness ... (a) (150 nm) SiO2 film.The strongest emission is observed in the spectral range 600–-620 nmThe strongest

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.02

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  스퍼터링

  종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided Sputtering, Magnetron ... sputtering yield 특징 ? ... 그 cathodic sputtering이다.

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.13

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성 스퍼터링 장치로 이용될 수 있다. ... 가스의 원자량이 클수록 sputter yield가 크기 때문에 argon 이 널리 사용된다.2) RF 스퍼터링RF 스퍼터링 장치는 절연체의 박막을 증착시키기 위하여 개발되었다. 5 ... 하지만 이러한 공명 회로를 이루는데 필요한 inductance를 만들기 위해서는 RF 발생기와 load 사이에 impedance-matching network이 필요하다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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  반도체공정 (Etching & Doping)

  실제적으로 magnetic field을 electric field와 수직으로 인가하는 magnetron 방전을 주로 이용한다. → magnetron sputter② 용량 결합형 RF ... RF 방전의 경우 전극이 plasma 내에 노출되지 않아도 방전이 가능하나 DC의 경우는 반드시 노출이 되어야 하므로 전극 물질의 sputtering, develop 등에 의해 오염될 ... RF plasma의 방전 유지 압력이 DC plasma에 비해 낮다.Figure 4.1 Development of a self-bias in a parallel plate of discharge

  리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [전자공학] 박막형성법과 그성질

  이방법에는 Diode sputtering, RF sputtering, Triode sputtering, Magnetron sputtering, Unbalanced magnetron ... ·불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron ... 있다.(4) magnetron sputtering system① electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow cathode enhanced magnetron이온화를

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [박막 증착] PVD의 원리와 종류

  yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 ... 작용기체의 필요 압력 감소(10-1～10-2Pa)가장 일반적인 magnetron source앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 ‘racetrack'형태로 ... 추가로 triode mode에서 수행- hollow cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [재료공학]박막의 증착 공정

  yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 ... ․불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering- 타겟이나 기판에 직접적인 화합물 형성에 참여하지 않음․불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering ... 형성과 타겟의 오염을 피하기 위해 공정의 주의 깊은 조절이 필요(2) compound-coated cathode간단하나 스퍼터링 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물 타겟은 sputtering

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.09

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  [나노입자]나노 입자 제조 및 분석 방법

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.- 마그네트론 스퍼터링 ... 또한 발생 입자가 상당히 넓은 크기 분포를 가지며, 일반적으로 기본입자가 강하게 tering 법· sputtering 의 원리- sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 ... 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다.

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.05.28

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  이온 플래팅

  (저항가열, e-beam, 유도가 열, sputter, magnetron 등)7)오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8)순수한 물질을 source로 ... (Vp-Vc)- Rf : Vp는 anode의 면적과 anode에 걸린 전압에 관련된 값.플라즈마 전위는 일차적으로 양극의 전위와 양극의 접촉면적에 의존한다. ... (보통 RF bias를 사용함)6)다양한 증발원을 사용하기 때문에 증착율를 제어할 수 있다.

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.27

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  [박막증착]박막증착

  따라서, target에서 균일한 증착속도가 얻어지지 않는다.이처럼 Magnetron target은 전형적으로 racetrack 형태로 sputter erosion이 일어난다. ... , DC Magnetron, RF Magnetron,Bias, ReactiveIon Plating◎ 무전해 도금전기를 사용하지 않고 화학반응을 통해 도금하는 방식을 무전해 도금이라 ... 화학증착법 (CVD)APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY, MOCVDSOL_GELDIPPING물리적 박막 형성진공증착법 (Evaporation)SputteringDC, RF

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.20

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  Thermal evaporation system

  증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... 증착), sputtering, CVD(화학증착), MOCVD, MBE 등이 있다. ... 따라서 이런 경우에는 오염의 염려가 없는 환경이 필요한 것이다.둘째는 적절한 환경 제공이다.예를 들어 sputtering을 이용할 때는 수 m torr의 기압이 필요하나 CVD(chemical

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  박막의증착

  박막증착은 특히 반도체 산업에서 핵심적인 분야인데그동안 ion-beam, 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) ... (A) Magnetron sputtering☞ Cathode에 영구 자석이 장착되어 타겟 표면과 평행한 방향으로 자장을 걸어 주는 sputter장치이다.☞ 자장이 타겟 표면과 평행하기 ... PVD(Physical Vapor Deposition)금속 또는 비금속을 고진공 중에서 가열하면 증발 또는 승화하여 저온도 부분에 sputtering 할 수 있다.?

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.26

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  포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

  Sputtering의 기본 원리(출처 : www.cstl.nist.gov)박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자al, thermal process ... 도금에 대하여 기술하도록 하겠다.Key Words : Photolithography, sputtering, electoplating, electoroless platingⅠ. ... 제조 공정의 기초 단계 중 하나인 Photolithography 공정에 대하여 자세히 다루고, 다음으로 금속 전기 배선 기술인 sputtering 기술과 도금법인 무전해 도금과 전해

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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  [박막공학]여러가지 박막 제조 공정

  충돌 시 아르곤은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충 돌 하는 과정을 반복함.DC sputtering DC sputter의 구조접지진공아르곤 주입구웨이퍼가열기전극 (양극)전극 ... 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems) 에 의하여 이루어 짐.전압이 가해지지 않았을 때 가스는 중립의 원자 상태로 존재함 전압이 가해지면, 자유전자 가 가속되며 원자와 ... 알루미늄 원자가 기판에 장착RF SputteringRF Sputter의 구조RF 동력 입력매칭 네트워크RF 발생기아르곤 가스 주입구진공가열기전극웨이퍼아르곤 플라즈마전극/타겟Sputtering의

  리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16

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  반도체 조립(신뢰성 문제로서의 Passivation, stress migration)

  이런 여러 배선재료의 특성에 passivation 효과를 알아보도록 한다.① Dielectric overlayer passivation- magnetron sputter와 E-beam ... evaporator를 이용하여 반도체 배선을 제작하고, RF sputter를 이용하여 3000Å의 SiO2의 절연보호막을 형성하였다. ... metal line안의 stress-migration 때문에 open-failure가 된다는 사실은 명백하다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.12.22 | 수정일 2017.11.04

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  박막의 제조방법

  Sputtering)(라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)② RF(Radio Frequency) 과정 : RF 마그네트론③ 이온도금(Ion Plating)(1 ... 스퍼터율(sputter yield)사. ... 그리고 진공증착은 line-of-sight과정으로 피처리물의 형상에 따라 균질한 피복을 시키기 위해 복잡한 이동장치를 설계해야 할 필요도 있다.

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

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  [박막]Vibrational Properties of Amorphous CNx:H Films by FTIR

  AbstractHydrogenated amorphous carbon nitride (a-CNx:H) films were prepared by reactive RF magnetron ... sputtering system with DC bias at various deposition conditions. ... Raman spectroscopy.

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.11.20

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