"GaN 기판 XRD" 검색결과 1-10 / 10건

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  MOCVD

  광 특성 을 알 수 있음2) 실험결과 및 분석* 약 370nm대의 파장에서 peak값이 나타나긴 하지만 뚜렷하지 않음XRD결과ⓞ PL결과ⓧ → GaN이 잘 성장되지 않았음(∵유량비 ... , 격자 부정합에 의한 결함 발생을 해결하기 위해 GaN 기판위에 InGaN 또는 GaN 층을 성장한다. ② 경제성 고려 : 사파이어 기판은 Si 기판에 비해 고가이므로 GaN-LED ... MOCVD_ 실험설계 _ 광학현미경 [Optical Microscope] _ SEM [Scanning Electron Microscope] _ XRD [X-Ray Diffractometer

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

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  Growth of a single cystal 1-dimentional nanowire

  VLS에서는 얇은 금 박막을 특정기판에 올리고 고온에서 작동하는 CVD에 장치하여 기체상에서 단결정 나노와이어를 합성하는 것이다. ... 금속성(Ni, Pt, Au 등)과 반도체(Si, InP, GaN, ZnO 등), 절연성(SiO2, TiO2 등)을 지닌 많은 종류의 나노와이어가 존재한다. ... XRD: XRD란 X-ray Diffraction 줄임말로 X-ray를 시료에 조사하여 굴절되는 각을 측정하여 결정구조를 판단하는 것이 주 목적인 장비이다.결정구조에 따라 그리고 물질에

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.01.07

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  열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

  차이를 보이며 nanowire의 구성 물질을 바꿈으로써 여러 가지 특성을 보여줄 수 있다. nanowire의 구성 물질로는 금속성(Ni, Pt, Au 등)과 반도체(Si, InP, GaN ... (Figure 1) (Figure 2)(Figure 3) (Figure 4)다음으로는 XRD를 통해 나온 값 들이다. ... (Figure 1) (Figure 2)(Figure 3) (Figure 4)다음으로는 앞에서 말했듯이 아래 그림과 값들은 XRD를 통해 나온 값 들이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.14 | 수정일 2017.05.29

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  GaN on Si LEDs 기술동향 ppt

  Why GaN on Si? ... GaN on Si LEDsWhat is the best substrate for LEDs? 2. Current development 3. GaN on Si 4. ... Sapphire 기판을 대체할 기판 개발이 시급함 : Si 기판이 가장 적절, 타 그룹에서 많은 연구 진행중 ~ 저렴한 가격, 대구경화, 우수한 결정성 2.

  리포트 | 19페이지 | 20,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

  열처리 온도별 평균 Mobility(2) XRD 측정 결과 및 분석열 처리 전과 동일하게 XRD intens유이다. ... 서론ZnO은 현재 LED 분야에서 사용되는 GaN과 동일한 육방정계의 Wurtzite 구조의 결정구조를 가지고 있기 때문에 GaN의 대체 물질로 연구가 활발히 진행되어 왔다. ... Expansion()Thermal Mismatch(%)GaNHexagonal(-GaN)a:3.189c:5.185-1.92a:5.59c:3.17-Cubic(-GaN)4.52 - 4.57

  리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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  GaN MOCVD Growth 성장특성 (MOCVD를 이용한 GaN 질화갈륨 성장특성)

  XRD 특성XRD (X-Ray Diffraction)☆ Si기판에 해당하는 피크 값과 GaN에 대한 피크값이 크게 2개 발견 ☆ 모노크로메타로 백그라운드를 제거한 XRD측정 방법으로 ... 결과고품위 GaN 성장을 위한 개선책저가 및 대면적 기판 GaN 박막과의 높은 격자정합성 저결함 구조 기판 고 내열성, 높은 열전도성 기판 Ex.) ... GaN 성장결과고품위 GaN 성장을 위한 개선책GaN층과 기판 간 격자상수 및 열팽창계수의 차이 Strain 발생 버퍼층은 Stain을 완화 MOCVD 성장에 적합한 Buffer물질

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.28

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  ZnO 단결정 박막 분석

  ZnO 박막과 기판ZnO는 상온에서 3.37eV의 큰 밴드갭을 가지며 단파장 영역의 GaN와 구조적 같은 Wurzite 형태이다. ... 분석3.1 XRD3.1.1 XRD의 구동 및 원리3.1.2 XRD 결과분석3.2 FESEM3.2.1 FESEM의 구동 및 원리3.2.2 FESEM 결과분석4. ... GaN을 대체할 재료로 ZnO가 주목받는 이유는 광학적으로도 비슷한 특성을 가지고 있는데다 안정적이고 저렴하기 때문이다.fig.1 왼쪽부터 차례대로 ZnO, GaN, Al2O3(사파이어

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.31

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  단결정 박막 분석 방법 및 ZnO 조사

  또한 이러한 ZnO는 GaN과 비슷한 발광 특성을 가지고 비슷한 구조를 가지고 있 다. 그래서 GaN의 대체 광원으로나, 혹은 ZnO의 기판으로서도 많은 연구가 진행되고 있 다. ... 또한 ZnO 는 여러 기판위에 성장이 가능하다. 그 예로 GaN, Si, Glass,등 반도체 여러 반도체 기판에 성장이 가능하다. 또한 여러 가지 나노 구조로 제작이 가능하다. ... 구조적 특성 분석1.1 XRD성장시킨 박막이 단결정으로 성장을 했는지 확인하기 위해서는 XRD를 이용하는 것이 필수적인 과정이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.09

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  CVD로 성장시킨 실리콘 나노와이어의 분석

  참고문헌실리콘 나노와이어의성장과 분석Abstract실리콘 기판에 Au를 촉매로 하여 thermal CVD를 이용하여 나노와이어를 성장시키고 광학현미경, XRD(X-ray diffractor ... 나노와이어 형성 후 광학현미경을 이용하여 기판의 표면상 변화를 관찰하였고, 정밀한 분석을 위해 XRD와 SEM을 이용하여 나노와이어가 성장한 웨이퍼의 데이터를 얻었다.fig.1 Au ... SnO2, GaN, ZnO 및 CdTe와 같은 반도체 재료의 일차원 나노구조체의 경우 저차원 양자구조효과에 의한 뛰어난 전기적 및 광학적 특성으로 인해 발광소자, 태양전지, 압전소자

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.09

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  태양전지용 ZnO계 투명전극층의 표면거칠기의 평가 및 결정성 분석

  정전기적 인력을 이용한 분자 자기 집합체 방법은 전하를 띠고 있는 기판 위에양이온 고분자 전해질과 음이온 고분자 전해질을 교대로 반복하여 흡착시킴으로써 다층 박막을 만들 수 있으며, ... hexagonal)구조를 가지며, Zn과 O는 tetrahedral bonding을 하며 결합되어 있다.○ 반도체 소자로 응용하기 위해서는 몇 가지 장애가 있는데, 예를들어 p형 반도체 도핑이 GaN보다 ... 각각의 gun 은 회전할 수 있는 mount에 장착되어 빔을 ±0.2 ° 각도로 tilting 할 수 있다.시 편 분 석▣ XRD 측정실험 : 5. 4(목)◈ 증착되는 ZnO의 박막은

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.13

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