"XRD 분석 Si gan" 검색결과 1-11 / 11건

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  MOCVD

  * 약 370nm대의 파장에서 peak값이 나타나긴 하지만 뚜렷하지 않음XRD결과ⓞ PL결과ⓧ → GaN이 잘 성장되지 않았음(∵유량비 少) 2. ... minBragg's Law 회절에 필요한 조건을 간소화한 법칙 X-선 회절현상을 이용하여 각종물질의 결정구조를 밝힘 ∴ nλ = 2d Sinθ 를 만족하면 X-선 회절3) 실험결과 및 분석Si ... , 격자 부정합에 의한 결함 발생을 해결하기 위해 GaN 기판위에 InGaN 또는 GaN 층을 성장한다. ② 경제성 고려 : 사파이어 기판은 Si 기판에 비해 고가이므로 GaN-LED

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

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  GaN MOCVD Growth 성장특성 (MOCVD를 이용한 GaN 질화갈륨 성장특성)

  XRD 특성XRD (X-Ray Diffraction)☆ Si기판에 해당하는 피크 값과 GaN에 대한 피크값이 크게 2개 발견 ☆ 모노크로메타로 백그라운드를 제거한 XRD측정 방법으로 ... XRD 특성XRD (X-Ray Diffraction)☆ X-ray를샘플에 투사 ☆ X선이 산란 및 회절 ☆ 회절 패턴을 분석하는 것 ☆ 물질 의 미세 구조를 정확하게 알수있다6. ... GaN, Sapphire, SiC, Si, etc.Substrate조건7.

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.28

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  열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

  XRD분석 평가를 한다.Two. ... , InP, GaN, ZnO 등), 절연성(SiO2, TiO2 등)의 많은 종류의 nanowire가 존재한다. ... 특성과는 큰 차이를 보이며 nanowire의 구성 물질을 바꿈으로써 여러 가지 특성을 보여줄 수 있다. nanowire의 구성 물질로는 금속성(Ni, Pt, Au 등)과 반도체(Si

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.14 | 수정일 2017.05.29

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  Growth of a single cystal 1-dimentional nanowire

  금속성(Ni, Pt, Au 등)과 반도체(Si, InP, GaN, ZnO 등), 절연성(SiO2, TiO2 등)을 지닌 많은 종류의 나노와이어가 존재한다. ... 관찰 및 측정한 뒤 다른 논문과 비교하여 구조를 분석하고 해석한다. ... 주사전자현미경은 광학 현미경의 영역에 포함되며, 분석장비를 추가하여 분석장비로서의 영역도 확보해 나가고 있다.주사 전자현미경은 투과전자현미경과 비교하여 상을 얻는 방법이 아주 달라

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.01.07

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  ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

  열처리 온도별 평균 Mobility(2) XRD 측정 결과 및 분석열 처리 전과 동일하게 XRD intens유이다. ... 분석 방법 및 원리(1) Hall effect의 분석 방법 및 원리(2) XRD의 분석 방법 및 원리(3) SEM의 분석 방법 및 원리5. 열처리의 목적III. ... 성장된 ZnO 박막의 기초물성 조사 및 분석(1) Hall effect 측정 결과 및 분석(2) XRD 측정 결과 및 분석(3) SEM 측정 결과 및 분석3.

  리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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  ZnO 단결정 박막 분석

  분석3.1 XRD3.1.1 XRD의 구동 및 원리3.1.2 XRD 결과분석3.2 FESEM3.2.1 FESEM의 구동 및 원리3.2.2 FESEM 결과분석4. ... 분석3.1 XRD3.1.1 XRD의 구동 및 원리X선 회절을 이용한 재료의 결정성, 방향지수, 성분등을 알수 있는 대표적인 결정분석 장비이다. ... GaAs, GaP, Si기판에서는 기판과 ZnO박막의 접촉계면에서 격자 부정합으로 비정질 층이 보인다.2.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.31

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  CVD로 성장시킨 실리콘 나노와이어의 분석

  배율은 각각 x10000, x30000으로 하였다.XRD의 peak을 보고 분석한 결과와 마찬가지로 육안으로 본 Si 나노와이어의 방향성은 없다고 볼 수 있다. ... 참고문헌실리콘 나노와이어의성장과 분석Abstract실리콘 기판에 Au를 촉매로 하여 thermal CVD를 이용하여 나노와이어를 성장시키고 광학현미경, XRD(X-ray diffractor ... 실험결과4.1 XRD4.2 SEM4.2.1 Si 나노와이어4.2.2 ZnO 나노와이어5.

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.09

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  단결정 박막 분석 방법 및 ZnO 조사

  구조적 특성 분석1.1 XRD성장시킨 박막이 단결정으로 성장을 했는지 확인하기 위해서는 XRD를 이용하는 것이 필수적인 과정이다. ... 그 예로 GaN, Si, Glass,등 반도체 여러 반도체 기판에 성장이 가능하다. 또한 여러 가지 나노 구조로 제작이 가능하다. 그 예로 나노 선 구조로서의 구현이 가능하다. ... 또한 이러한 ZnO는 GaN과 비슷한 발광 특성을 가지고 비슷한 구조를 가지고 있 다. 그래서 GaN의 대체 광원으로나, 혹은 ZnO의 기판으로서도 많은 연구가 진행되고 있 다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.09

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  XRD Seminar

  X-Ray 회절 분석기 (X-Ray Diffractometer, XRD) XRD에 의한 시료측정 ApplicationContentsX-Rays라이오파, 감마선 (g-Rays) 등과 ... : 44㎛ (350 mesh)이하, 정량분석 : 10 ㎛시료의 배향성 – 결정분말을 측정면과 평평하게 시료판에 충전시료에 한 방향으로 압력을 가하지 않는다.XRD 시료의 충진분말시료결정성이 ... We assume this peak is due to the underlying Si(111) substrate.SnO2 nanowiresJournal of Applied Physics

  리포트 | 57페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.05.19

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  GaN LED의 이해와 반도체 소자 특성 측정장비의 이해

  , 박막 반도체 물성 연구- Glass Substrate 위의 SiG2, SiNx, a-Si, Si 등의 두께 측정 및 분석- X-Ray Light Source 추가로 2,000 ... 일반적인 XRD와 달리 특히 단결정(single crystal)이나 초결정(superlattice)의 격자성을 포함하여 두께, 조성 tilt-angle등 여러 가지 성질에 대한 평가 ... 박막 실험결과 레포트GaN LED의 활용-LED는 발광다이오드 반도체로서 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기신호를 보내어 빛을 발산시키는 장비로서 다양한 용도로 사용할 수 있습니다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.30

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  태양전지용 ZnO계 투명전극층의 표면거칠기의 평가 및 결정성 분석

  태양전지용 ZnO계 투명전극층의표면거칠기의 평가 및 결정성 분석과목명 :담당교수 :담당조교 :제출일 :외 9명9 -목 차□태 양 전 지 란 ?□투 명 전 극 이 란 ? ... Type : Cross section(Si wafer)? 2개의 시편을 박막층이 마주보도록 접착(G-1 epoxy)? Hot plate에서 열처리(G-1 epoxy로 경화)? ... hexagonal)구조를 가지며, Zn과 O는 tetrahedral bonding을 하며 결합되어 있다.○ 반도체 소자로 응용하기 위해서는 몇 가지 장애가 있는데, 예를들어 p형 반도체 도핑이 GaN보다

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.13

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