"Sputter target" 검색결과 181-200 / 294건

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  플라즈마에 관하여

  요즘 DC를 이용하여 SiO2 등의 부도체를 Sputtering하는데 이것은 주기적으로 Target에 양전위를 공급해줌으로써 가능해졌다.플라즈마의 application- 플라즈마는

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31

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  포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

  Sputtering의 기본 원리(출처 : www.cstl.nist.gov)박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자al, thermal process ... 또 Sputtering의 종류로는 Radio-Frequency, DC, Magnetron Sputtering 법이 있다.Sputtering은 기존의 생산 장비를 사용할 수 있고 양호한 ... 표면에 고에너지의 입자를 충돌시키면 target 물질의 원 자가 완전탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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  Color TFT

  Target기판RF-Power13.56MHzVacuum ChamberAr+ PlasmaAr+ PlasmaCr, Al, Ta, W, Mo ITO (Reactive Sputtering ... 공정기술 1 세정 기술 2 박막 형성기술 3 Photolithography 기술 4 박막 Etching 기술 5 검사기술세정 (Cleaning) 기술SputteringHeater기판Sputtering

  리포트 | 87페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.09

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  pvd와 cvd

  ProcessPlasma 내의 양이온이 전장에 의해 가속되어 코팅될 물질(target)의 표면을 강하게 치면 target의 원자가 운동에너지를 가지고 튀어 나와 모재의 표면에 충돌하면서 ... 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 ... Vapor Deposition)은 코팅될 물질이 기체 상태로 변환되어 물리적 작용에 의해 모재위에 피복되는 방법이다.PVD에 의한 코팅법 종류PVD 코팅법에는 Evaporation, Sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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  박막재료와 그 증착공정의 종류

  Sputtering의 기본 원리박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 ... 이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게 된다.위와 같은 원리로 Sputtering과정으로 박막을 증착하는 과정은 진공 중에 불활성가스 ... (주로 Ag gas)를 진공상태의 Chamber 내로 주입하여, 성막을 하고자하는Target 물질과 충돌시켜 Plasma를 생성시킨 후 이를 기판에 증착시키는 방식이다.아래 그림을

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.22

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  박막증착 (박막공정)

  DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판 상에 옮겨 붙이는 공정이다. ... 이 중 Sputtering의 경우 타겟에 박막의 원하는 물질 넣어주고 챔버 위에 이를 증착시킬 기판을 놓아둔다. ... 방법상으로 분류되어진다.또한 박막 증착은 플라즈마(Plasma)를 사용하는가에 대한 유무에 따라 분류해보면 앞에서 얘기한 CVD중 PECVD(Plasma Enhanced CVD)와 Sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.13

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  반도체공정기술

  :고체표면에 고에너지의 입자(전장으로 가속된 정이온)를 충돌시켜 고체표면의 원자or 분자가 충돌입자와 운동량을 교환하여 표면 밖으로 튀어나오는 현상·SPUTTER:Sputtering현상을 ... 이용하여 Wafer표면에 막을 형성시키는 것·PLASMA방전:기체,고체,액체 상태의 Source가 고에너지를 받아 이온화될 때 나타나는 현상·TARGET:Wafer와 표면에 막을 ... ·이온주입기:불순물을 이온화시킨 후 충분한 Energy로 가속하여 Wif에 주입시키는 장치이온생성→Analysis→가속→집속→Scanning→Wif로 구성5.METAL/CVD용어·SPUTTERING

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.12

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  [전자재료]E-beam operator와 Sputter

  Sputtering은 활성화된 입자의 충돌에 의한 target 물질에서의 입자의 방출로서 이루어지는 증착과정이다.→PVD(Physical Vapor Deposition)란? ... E-beam evaporator, Sputter06-088 이동준1. ... Sputter※Sputter란?PVD(Physical Vapor Deposition)의 하나로 물리적인 방법을 통하여 기판에 증착하고자 하는 물질을 증착하는 방법.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.09.10

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  One is physical deposition, and another is chemical deposition.Physical deposition (Evaporation and Sputtering ... In sputtering, the target material, not the wafers, must be placed on the electrode with the maximum ... sputtering application, however, the plasma chamber must be arranged so that high energy ions strike a target

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  플라즈마

  위하여 플라즈마 발생방식을 개발하고 제어하는 것은 플라즈마 응용 장비의 개발에서 가장 핵심적인 부분이라 할 수 있다.3.스퍼터링 (sputtering)스퍼터링 장치 I원리와 구성Sputtering은 ... 진공이 유지된 Chamber내에서 스파터링 기체로 불활성 물질인 아르곤(Ar)가스를 흘려주면서 Target에 직류 전원을 인가하면(㎠당 1W정도), 증착하고자 하는 기판과 Target ... 전원을 인가하면 주입된 sputtering 가스(Ar)는 음극쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기(exite)되어 Ar+로 되고 이 여기된 가스는 음극인 target쪽으로 끌려서 target과

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.01

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  [공학]기초 반도체 공정

  (모멘텀 교환 충돌) • Sputtering은 이온의 가속, 이온의 target에의 충돌, target w} ... 기구 • Sputtering은 높은 에너지를 가진 입자(이온)가 target 원자에 충돌되어 운동량 (momentum)을 전달하여 target 원자가 target으로부터 이탈되어 ... 속도는(43)(44)2) 자유 증발 및 유출 • Hertz-Knudsen equation을 고체이 있다. • 최근에는 고박막을 얻기 위하여 복합적 시스템을 연구 사용하고 있다.(4) Sputter

  리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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  표면분석장비(SEM,TEM,XPS,AES,RBS,EPMA,SIMS)의 원리와 분석방법, 특징

  .- Sputter time에 따른 원소비율 변화를 그래프화 할 수 있다.★ 주요 적용범위 및 장단점장점단점표면으로부터 수Å에 대한 조성분석가능(표면선택성 및 평면 분해능 우수)검출한계 ... 있음.★ 광전자 생성원리 :- ① 전자빔이나 X-선이 원자하부 전자각의 전자를 때림 ② 전자가 나가면서 hole 생성 방출되는 전자를 검출★ XPS의 구조 : 전자 source target

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.28

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  기존 PRAM의 문제점 해결방안

  그림에서 GST는 DC Sputtering으로 증착하였고 동시에 붕소에는 RF Sputtering으로 증착하였다. ... 먼저 붕소를 Ge2Sb5Te5 박막내에 균일하게 주입하기위해 붕소 target과 Ge2Sb5Te5 target을 사용하여 co-sputtering방법으로 박막을 형성하였다. ... 결론상변화 메모리의 기억재료인 Ge2Sb5Te5에 붕소를 GST target과 co sputtering을 통해 주입을 한 GSTB박막의 주입된 농도에 따른 특성은 다음과 같다.

  리포트 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

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  ITO,ITO glass,,박막 증착 기술,전착(electro deposition)

  이 박막을 증착시키기 위한 대표적인 방법으로는 물리적으로 증착시키는 Evaporation, Sputtering, SOG( Spin on Glass) 등과 화학적인 반응을 이용한 CVD ... )쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다Spining회전도포와 bake process를 통하여 절연막을 형성하는 ... 이러한 문제점을 보완할 수 있는 새로운 물질의 개발이 요구되었고 다양한 재료의 개발이 이루어져 왔다.ITO glass- 유리기판 위에 ITO Target을 물리적으로 진공 증착하여

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.20

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  [재료실험][DH실험] 반도체단위공정, 증착, 식각

  )쪽으로 가속되어 target의표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.Sputter deposition의 장단점을 보면(장점)-. ... Target 냉각이 가능, 큰 target 사용가능하다.-. 기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.-. ... 이 박막을 증착시키기 위한 방법은 크게 물리적인 증착 방법과 화학적으로 증착시키는 방법으로 나눌 수 있다.대표적인 방법으로는 물리적으로 증착시키는 Evaporation, Sputtering

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.05.11

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  나노 재료의 주요 합성방법(졸겔법,침전법,전기방전법,레이저증착법, 스파터링법, 기상합성법,화학기상 성장법)

  그러나 순수한 흑연 target 대신에 Co, Ni. Fe 등이 혼합된 흑연을 target으로 사용하면 균일한 SWCNT를 얻을 수 있다. ... 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스인 Ar이다.Sputter장치는 타겟 쪽을 음극(cathode)으로 하고 기판 쪽을 양극(anode)으로 한다. ... Target에서 기화된 흑연은 차가운 collector에 흡착된다. 이와 같이 얻어진 응축 물질에는 MWCNT와 탄소나노입자가 혼합되어 있다.

  리포트 | 21페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17

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  Sputtering

  Triode sputtering 금속 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron sputtering 강한 자기장을 이용하여 target ... 흡수층,LCD , 터치패널등 에 사용 ➂ 컴퓨터 메모리 자기디스크 원판의 Al 기판이나 유리기판에 sputtering하여 자성박막을 만듦Micromachining Process결론Sputtering은

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03

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  [금속재료공학]스퍼터링

  실험 장비RF/DC MAGNETRON SPUTTER 기기 , 기판(GLASS) , 초음파 세척기 ,4 point prove, Target4. 관련 이론(1) 스퍼터링이란? ... 이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게 된다. ... 실험 제목스퍼터링 (SPUTTER)2. 실험 목적? 스퍼터링법을 이용하여 금속(구리)을 증착시킨다.? 밀착력 측정법을 숙지하고 실제로 박막의 밀착력을 측정할 수 있다.?

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

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  sputter deposition에 대한 이해

  Sputter Deposition1. Basic aspects of sputtering1.1. ... Sputtering 현상Glow discharge를 이용하여 ion을 형성하고 이를 전장으로 가속하여 고체 표면에 충돌시킨다. ... 밀도가 고리 모양의 분포가 된다. → deposition의 균일성과 target 이 용면에서 다른 형태의 많은 target이 개발되고 있다.

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

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  박막 증착 기술 (Thin Film Deposition Technology)

  GunIon Beam Assist Gun++++++++++IBSD The ion beam is aimed at a target to generate the “sputtered” material ... critical in IBD IBD is a true low-pressure process( 2× 10-4 Torr) - Gas phase collisional mean free path » target ... Conventional Sputter Deposition Advantages of Ion Beam Deposition Application of Ion Beam Deposition

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.21

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