"Sputter target" 검색결과 121-140 / 294건

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  mos (Metal-Oxide-Semiconductor)작동원리 이해

  .* Sputtering : 여기된 양이온이 증착하고자 하는 물질(target)과 충돌하고 이때 sputtering 된 입자들이 기판에 증착. ... Sputtering은 진공분위기로 이루어진 chamber 내에 불활성 가스 (주로 Ar)를 주입하고 음극에는 target이 양극에는 substrate가 놓이게 된다.음극과 양극 사이에 ... plasma가 형성되고 Ar+가 음극의 target 에충돌하여 target의 원자를 나오게 한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.07.07

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  Aluminium Sputtering

  Sputtering1) Sputtering 의 원리Plasma를 Target과 기판 사이에 생성하여, 고 에너지를 가진 이온을 target에 입사시키고 그 충돌로 인해 Target ... Ar+는 음극으로 가속되어 음극 물질(Target)을 Sputter 시킬 수 있다. ... Sputtering의 단점① 방전시 가스 압력이 높다 : 음극(Target)에서의 Sputter 원자의 가스에 의한 확산이 커진다.② Targer에서의 열방사 및 2차 전자방사에 의한

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.25

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  진공증착 (Sputtering)_re

  Data 및 Data 계산1) 증착질량증착질량= Sputtering 후 glass plate 질량 - Sputtering 전 glass plate 질량2) 몰수금(Au) m.w : ... wafer가 있는 진공에 가까운 반응실에 이온화된 아르론이 주입되며, targer은 아르곤에 비해 상대적으로 음성의 띠므로 아르곤원자는 가속되어 target에 박히지 않고 target ... 그리고 전류세기가 커질수록, 한 번에 더 많은 gold가 target으로부터 떨어져 나와 전류세기와 증착질량은 비례할 것이다.

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  SiO2 기판위애 증착된 알루미늄에 대한 보고서

  위에서 언급한 바와 같이 우리가 이번 실험에서 사용하는 것은 PVD의 방법 중 하나인 Sputter로 불활성 기체인 Ar gas를 이온화 하여 이에 따라 얻어진 플라즈마가 target에 ... 이렇게 형성된 Ar+이온은 target이 설치된 면의 Cathode(음극)으로 정전기적 인력에 의해 끌리게 되고 Ar+이온이 target의 원자를 때려서 target원자가 이탈되어 ... 물리적 충격을 주어 target의 원자들이 이탈되어 나와 기판위에 물리적으로 증착하는 방법이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26

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  [LCD실험] TFT-LCD 분석

  증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  GaN의 식각

  다만 CVD는 PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구합니다.PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), ... 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로질의

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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  반도체 집적소자 단위 공정

  사용되게 되었다.1) Sputtering의 장점① target와 기판의 온도가 충분히 낮게 유지되면 소스 성분 조성의 변화없이 금속 막을 입힐 수 있다.② Sputtering 공정은 ... 실험장치 및 시약Sputter, Glass plate 2개, 접착시트, 비누, 초음파세척기, Target(Al), Ar gas, 노광기, 액체 질소, furnace, AZ-500MIF ... 표 3에 Ar의 이온충격에 대한 sputter비율의 예를 나타냈다. target에 인가된 전류밀도 j, sputter비율 S, target밀도 ρ, 원자량 M이라 하면 target의

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17

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  [OLED, LED] Sputtering을 이용한 박막 증착

  실험방법① Ni을 Sputtering 방법으로 증착하기 위해 chamber내의 target 자리에 위치시킨다.② Ni을 위치시킨 후, 증착을 하기 위한 substrate(glass) ... Sputtering을 이용한 박막 증착1. 실험목적Sputtering을 이용하여 박막을 증착해보고, Sputtering의 특성을 파악해본다. ... 아니라 physical momentum exchange process이므로 거의 모든 물질을 target으로 쓸 수 있다는 점이 장점이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.05

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  방사선 응용 및 실험 (Sputtering의 원리, HgI2, Diffusion Pump, Rotary pump, 진공, Magnetron sputtering)

  요오드화칼륨 수용액으로 요오드화수은(Ⅱ)착염을 만든다.[2] Sputtering의 원리- 높은 에너지를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들 에게 에너지를 전달해줌으로써 ... 전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를 target 바깥으로 형성되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써 sputter yield를 ... target원자들이 방출되는 현상- 원자 A와 B의 충돌은 다시 B와 C 원자의 충돌을 일으킴.- 이온화된 가스 원자는 타겟에 충돌하고 모멘텀 전달에 의해 타겟 내의 원자는 방출됨

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.20

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  ITO 박막의 제조에 따른 공정Factor 영향 분석

  Sputter법으로 ITO를 형성할 경우 Plasma내에 있는 負 ion이 Sputter 전압 (Target 전위)으로 생긴 전계에서 기판 방향으로 가속되어 ITO에 입사한다. ... 여기서는 우리라인의 고온 Sputtering 코팅에서 만들어 지는 ITO막 위주로 설명한다. 2. ... 비저항에 영향을 미치는 Factor 1) 타겟 표면에서의 자장 강도 ITO를 Sputtering 하게 되면 ITO - ITO + InO + SnO + In + Sn + 02 + O-

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  Sputter Deposition System을 이용한 박막 증착

  Sputtering이란 진공 중에 불활성가스를 도입시킴으로써 기판과 Target(부착되어지는 물질)사이에 직류전압을 가하여, 이온화시킨 불활성원소 가스를 Target에 충돌시켜서 튕겨져 ... 안정되게 얻을 수 있으며, 전자는 target 근방에 가두어져 있으므로 기판에 충격이 없고, MOS 계면의 방사선 손상의 우려가 없으며, target 면적이 크고, Sputter 원자가 ... Sputtering 법은 고융점 금속의 박막 형성에는 가장 적당한 방법이며, 진공 증착법 처럼 가열 증발되기 어려운 재료에 적용되었지만, Al 및 Al의 합금에 대해서는 Sputtering

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.01

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  스퍼터링

  이온원자target surfaceㅡ 글로우 방전에서 발생되는 양 이온을 고전압에 의해 놈은 에너지로 가속시켜 고 에너지의 양 이온이 고체의 표면과 충돌하면 고체표면의 원자 또는 분자가 ... 토의 및 고찰이번 실험은 연료 감응형 태양전지를 제작하기 위한 중요한 단계인 Sputtering를 통해 표면에 금속을 증착시키는 공정 기술을 배우는 시간이었다. ... , HD, MD 등의 각종 기록매체, 휴대폰, 정밀, optic lens, 장식 내마모 내식성 기능막, 자외선 방지 필름 coating 등의 제작 공정에 없어서는 안 될 공정이다.Sputtering공정

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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  Diode-3주차 예비레포트

  film thickness control is required, and are widely used because of their extreme ease of operation.ⓐ Sputtering ... In particular, transparent oxide electrode films formed using sputtering targets or ion plating tablets ... , thereby ejecting particles of the target component, and causing these particles to be deposited on

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.18

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  비정질 자성박막의 제조 및 특징분석

  실험 관련 기기실리콘웨이퍼, Tb-Target, XRD, Ar(Gas)30mL, Sputter 장비3. ... 실험방법Sputter 장비를 이용하여 Ar(Gas) 분위기에서 Tb를 Target으로 하여 실리콘 웨이퍼 표면에 7분 동안(45.63W) 증착을 시킨다. ... 실험목적‘Sputter’에 의한 박막증착 방법의 원리를 이해하고, Sputter 장비를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 Tb 박막을 증착한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.28

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  단점- 절연체 target은 열전도성이 좋지 않아 열충격에 약하다.- 제한된 증착 속도로 증착⇒ 금속 target을 반응성 증착으로 절연막 형성- 생성된 막이 target의 조성과 ... Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험1. ... 단점- 높은 Ar 압력이 필요하다.(10～15 mTorr)- Target 재료가 금속에 한정된다.- 생성속도가 적다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  표면물리학-ion beam sputtering

  Ion Beam Sputtering■ Sputtering이란? ... 고체의 표면에 고에너지의 입자를 충돌시키면 target 물질의 원자가 완전탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04

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  FIB (Focused Ion Beam) 자료조사

  또한 Ga Ion 이 전자와 비교하면 훨씬 무거워서 Sample 를 구성하는 원자 를 튀어나오게 하는 Sputtering 현상이 발생합니다 . 6 1 차 이온 2 차 이온 1 차 이온 ... 사용하는것이 일반적입니다 . 4 Ga Ion Beam Gas Nozzle (Assist Gas) 2 차 전자 검출기 Secondary Electron Detector Sample Target

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.14

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  CVD&PVD

  박말 증착에서 Sputtering이라 하면 Target원자의 방출과 그 원자의 Substrate에서 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다.Sputtering Process의 ... Sputtering 법은 고융점 금속의 박막 형성에는 가장 적당한 방법이며, 진공 증착법 처럼 가열 증발되기 어려운 재료에 적용되었지만, Al 및 Al의 합금에 대해서는 Sputtering ... 전기적인 힘에 의해 Target 표면에 충돌하여 Target에서 떨어져 나온 원자들을 기판 위에 증착 시키는 기술로 박막을 제조하는 방법을 말한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01

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  TFT LCD manufacturing, 생산공정, TFT 원리, Thin Film Transistor (TFT) 원리

  Sputtering은 DC Plasma를 이용하며, Source Target의 둘레와 뒷쪽에 자속을 설치한 Diode 구조에서 발생하는 Magnetic Field 가 Ar을 여기 ... Reactive Sputtering은 증착 중에 Chamber내에 Reactive Gas를 주입시켜 Targ et으로 부처 Sputtering 되는 원자들과 주입된 Gas들이 반응하여 ... 증착할 금속으로 만든 Target과 Anode 전극 사이에 Tr Gas를 주입하고, Plasma 방전을 이용하여 Ar+을 여기시키면, 고전압에 의해 가속된 Ar+은 높은 운동 에너지가

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.23

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  진공증착과 음극스퍼터링

  이중에 가장 큰 관심을 대상으로 Sputtering Deposion에 의한 도금이다.이 Sputtering 은 충분한 운동에너지를 가진 이온이나 원자가 물질을 두드려서 물질표면으로부터 ... 이온을 음극의 음전기의 힘으로 음극 쪽에 가속시켜 음극물질을 튕겨 내서 기판에 부착되게 하는 현상을 말한다.< 글로방전(플라즈마 발생시)과정 >·Glow discharge 에 의한 target ... glow region 은 (+) 또는 (-) ion 들에 의한 빛의 발산이 cathode 표면에서 발생- cathode dark space ; 거의 모든 전압이 강하하는 지역으로 target에

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.11

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