"Sputter target" 검색결과 41-60 / 294건

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  sputtering (스퍼터링)

  Sputter yield 를 높이는 방법이다. ... 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 압력에서도 Sputter 된 물질이 Substrate 로 도달하는 동안에 Scattering 이 상대적으로 ... 감소하여 높은 Sputtering Yield 값을 가질 수 있다.DC discharge 에서는 2차 전자가 Ionization process 에 충분한 에너지를 공급하기 전에 양극으로

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.07

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  [고체 물리] 스퍼터링 결과 보고서

  Sputtering 실험1. ... 토의사항우리 실험의 목적은 박막 성장 방법 중의 하나인 sputtering을 이용해 substrate 물질인 silicon에 target물질인 구리를 증착시키는 것이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.07.30

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  TFT(Thin Film Transister) 실험레포트

  이용한 증착을 실시하였다.Sputter는 반응성이 낮은 비활성기체 Ar(아르곤) 원자를 이용하여 Target에 충돌시키면 튀어나오는 Target의 원자를 기판에 증착하는 방식이다.기판에 ... Gate 전극을 증착할 때 먼저 Pre-sputtering을 실시하여 Target의 불순물을 제거하는 작업을 실시한다. ... Pre-Sputtering을 실시하면 TFT의 전기적 특성을 향상시키는데 도움이 된다.Sputter의 증착 속도를 높이기 위해 전압을 높이면 Ar의 플라즈마 되는 속도가 빨라져 증착

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.06.19 | 수정일 2017.10.16

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  반도체 제조공정 실습 REPORT

  실험결과각 실험의 온도(상온), 공정시간(2시간), 증착 Target(W(텅스텐))은 모두 동일공정 압력 (torr)4.5*10-34.5*10-39.0*10-34.5*10-39.0* ... 실험목표- PVD 방법 중 하나인 Sputtering의 흐름에 대해 익히고 공정 조건변화에 따른 박막특성을 고찰2. ... 로 달리한 실험값을 비교해보면, DC Sputtering 공정에서 Current를 증가시킴에 따라 기판에 증착된 W두께가 두꺼워짐을 알 수 있다.

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.03.13 | 수정일 2022.10.13

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  재공실 실험2 예보 - RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해

  ▶Sputtering그림 1 Sputtering 기술의 모식도 스퍼터링(sputtering)법은 스퍼터링 가스를 진공분위기로 이루어진 chamber 내로 주입하여 형성하고자 하는 target ... 이러한 현상은 DC sputtering 의 경우 sputter 초기부터 target 뒷면의 영구자석을 회전시켜 주거나, 자석의 전류를 변화시키면 개선할 수 있다▶Magnetron Sputtering마그네트론 ... Sputtering System▶RF Sputtering비금속, 절연체, 산화물과 같은 부도체는 교류 전원을 사용하여 박막을 제조한다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

  )쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다. ... Sputter deposition systemSputter deposition은 그림 4와 같이 chamber 내에 공급되는 gas cathode 에서 발생되는 전자사이의 충돌로부터 ... PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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  플라즈마와 표면개질 plasma

  플라즈마내의 아르곤이온은 큰 전위차에 의해 target쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.FTS RF Sputtering ... Sputtering은 chamber내에 공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. ... 가지며 약 600℃근처까지 온도가 상승하여도 연화되지 않아 열적으로도 안정되며 또 내식성도 비교적 양호한 여러 가지 이점을 가지고 있기 때문에 공업적으로 넓게 이용되어지고 있다.4)Sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.07.10

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  부산대학교 졸업 포스터 발표 (Flexible Display용 PI기판 위 ITO 증착 시 Stage Temperature에 따른 특성 변화 연구)

  min) 증착 두께 (nm) 증착 속도 (nm/min) 25 40 332.4 8.3 100 323.7 8.1 175 324.1 8.1 250 319.9nm 8.0 ◈ 증착조건 ● Target ... Stage Temp : 25 ℃ , 100 ℃ , 175 ℃ , 250 ℃ ◈ 증착속도 ◈ 측정방법 UV-VIS XRD 4point probe ● 실험에서 사용한 RF Magnetron Sputtering

  논문 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  Sputter 박막 제조법

  냉각이 가능, 큰 target이 사용 가능하다.- 기판의 Sputter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- O2, N2 등의 reactive Sputter로 산화물 ... (a) Target(Cathode)표면으로 가속되는 이온, (b) Target(Cathode)으로 가속하는 양이온과 중성 Ar원자끼리의 전하이동, (c) Target(Cathode) ... ) 쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.12.11

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  PVD

  플라즈마가 생성되기 위한 조건e Gauge Throttle Velve56 Sputtering (Target gun) Target gun57 Sputtering (Pump) TMP(Turbo-Molecular ... Magnetron Sputtering 63구성 : Target[cathode] + Substrate[anode] + RF power supply + impedance matching ... ] Anode substrates 구성 : target[cathode] + another electrode [anode] DC 나 RF 모두 사용 Diode Sputtering 7071

  리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

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  Kinetic Spray 공정을 이용한 벌크형 탄탈륨 소재의 제조 및 미세조직/물성

  한국분말야금학회 이지혜, 김지원, 이기안

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.05.03 | 수정일 2023.04.05

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  열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

  플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 target에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판상에 막을 만드는 방법을 뜻한다. ... 음극에 장착되어 있는 타겟 물질의 표면은 기판보다 음전위로 유지되므로, Ar+(아르곤이온)은 타겟 표면으로 가속 후 충돌되고, 소스원자와 분자들은 target표면에서 방출되어 기판으로 ... 의한 Carrier Gas에 따른 박막증착 비교Introduction스퍼터링(Sputtering)은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.14 | 수정일 2017.05.29

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  Cu film의 전기적 특성 분석 실험

  ) magnetron sputteringⅣ) Reactivity Sputtering4. ... 열전도성이 좋지 않아 열충격에 약하다.- 제한된 증착 속도로 증착 ⇒ 금속 target을 반응성 증착으로 절연막 형성- 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지 않는다.Ⅲ ... DC sputtering에서는 target이산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.04.03

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  Flexible Display 상용화를 위한 Encapsulation 기술의 개선 방안

  Ar gas 주입 Ar plasma 상태 Ar 이온이 Target 에 충돌 Target 물질이 기판에 증착 출처 : 플라즈마와 박막 프로세스 , 박막 형성법과 스퍼터링 / Marriott ... research/ 2011Sputtering 무기물 유기물 Sputtering 방식을 이용한 Vitex 사의 Barix 출처 : 플렉시블 유기광원을 위한 소재 및 공정기술 / 서승우 ... 외 2 명 / 성균관대학교 / 2011 H 2 O PinholeSputtering Vitex 사의 Barix 방식의 문제점 Sputtering 으로 인한 결함 발생 자외선 경화 공정

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.31 | 수정일 2016.06.11

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  Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

  Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, EvaporationVapor Deposition의 분류1. ... 레이저 등으로 날려보내서 기판 표면에서 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변태되어 증착되는 것이다.◈ PVD• 화학적 반응이 없는 증착.• 물리적인 힘(열전자등)으로 Source,Target ... 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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  재공실 - sputtering 예비보고서

  PVD 증착방식인 Sputtering의 원리에 대한 이해- Sputtring은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 ... RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해1.

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  [예비보고서] RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해

  process이므로 모든 물질을 target으로 쓸 수 있다는 점이 장점이다. ... RF-Magnetron Sputter를 이용한박막 증착 원리 이해신소재공학부1. PVD 증착방식인 Sputtering의 원리에 대한 이해가. ... yield는 Target 재료의 특성 및 임사 이온의 에너지와 질량과 관계가 있다.2.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21

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  magnetron sputter를 이용한 박막 형성 실험레포트

  그 외에도 렌즈나 안경테 등의 코팅에도 진 공을 이용하고 있으며, 지금도 새로운 산업이나 작업에 진공을 이용한 실험들이 계속되 고 있다.3> Sputter이란? ... ① Sputter : 물리 기상증착법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하 여 운동에너지를 가지는 해당 물질이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓 이게 함으로 박막층이 ... erosion형상의 원인을 실험결과와 비교하였다. magnetron sputter은 target에 가해지는 기본 전압에 의해 target과 shield 혹은 target과 substrate

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.18

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  sputtering(스퍼터링)

  )쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.3) 스퍼터링(Sputtering) 가스 / 조절 조건① Sputtering ... 이러한 음이온은 주로 여러 가지 조성의 target을 Sputtering 할 때나 리액티브(reactive) Sputtering을 할 때 발생한다.◆ Sputtering 순서- Sputtering은 ... Sputtering 과정갖는 secondary electron이 target 표면으로부터 나오게 된다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.01

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  59스퍼터링02

  All Rights Reserved.Ar기체Source Target기 판플라즈마-+-++-스퍼터링 원리※ Ar기체를 쓰는이유 - 소스타겟과 반응성이 없어야 하므로SPUTTERING스퍼터링 ... 갖는다Target 원자의 방출각 : 증가하면 튀어나오는 원자의 Peak Energy 증가( 60 °)침투하기 유리한 결정면 일수록 Sputter Yield가 작다Copyright ... 1852년 Grove에 의해 처음 발견된 현상으로 높은 에너지( 30eV)를 가진 입자들이 Target에 충돌하여 Target원자들에게 전달해 줌으로써 Target 원자들이 방출되는

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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