"Sputter target" 검색결과 201-220 / 294건

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  [sputter]sputter 종류와 mechanism

  Sputter yield의 기체 압력에 대한 의존성을 Fig. 22에 나타내었다. ... 11 -□ Sputter물리 기상증착법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동에너지를 가지는 해당물징이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓이게 함으로 박막층이 ... 만들어지게 하는 방법을 물리 기상증착법(PVD)이라고 한다.크게 스퍼터링(sputtering) 과 증발법(evaporation) 으로 나눌 수 있다.● Sputtering(스퍼터링)

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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  RF sputtering

  요즘 DC를 이용하여 SiO2 등의 부도체를Sputtering하는데 이것은 주기적으로Target에 양전위를 공급해줌으로써 가능해졌다.b. gas for plasma generation불활성 ... Plasma(RF Sputtering)a. basic concept플라즈마 상태는 고체, 액체, 기체 이외의 물질의 제4의 상태라고 불리워진다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.06

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  [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

  이온빔 스퍼트링(Ion Beam Sputtering)39p4.4.5. Bias Sputtering39p4.5. 이온도금40p4.6. 이온 빔 증착40p5. ... 물리 기상 증착법: Sputtering 증착법(반응성 스퍼터링(reactive sputtering) )스퍼터링과 함께 반응성 가스(N2, NH3, CH4, C2H2 등)를 도입하게 ... 또한 이러한 sputtering시 전해지는 대부분의 에너지는 target에의 열로서 사라지게 된다.타겟에 음의 전압을 걸어주면 타겟 표면으로부터 전자가 방출된다.

  리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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  [공학]LCD제작 공정 , 저가격을 위한 방안

  target 표면과 충돌하여 증착하고자 하는 target 입자들이 튀어나와 기판에 증착되는 공정이다. ... 일반적으로 음극표면에 증착시킬 target 물질을 장착하고, 증착물질의 특성에 영향을 주지 않는 He, Ar과 같은 불활성 기체를 이용하여 양극에 놓여진 기판 위에 튀어나온 target ... 공정 (증착공정) - 금속재료의 deposition Sputtering은 RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion이

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.31

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  박막 증착과 4-point probe 의 이해

  실험이론PVD (Physical Vapor Deposition)PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 ... 원자의 방출과그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있습니다.Sputtering process의 가장 우수한 특성은 증착된 물질의 기상으로의 ... 장점입니다.이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게됩니다.박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.09

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  [화학실험]비정질벌크 및 박막제조(pre레포트)

  하면 Target원자의 방출과 그 원자의 Substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다.Sputtering Process의 가장 우수한 특성은 증착된 ... 금속의 Sputter yield(atm/ion)(3)스퍼터링의 분류1평면이극 스퍼터링(Planar Diode Sputtering):그림처럼 음극인 표적재료와 양극인 피처리물 사이에 ... Ar양이온은 직류전류계에 의해서 음극(Cathode)으로 가속되어 Target표면에{그림 .

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02

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  플라즈마

  요즘 DC를 이용하여 SiO2 등의 부도체를 Sputtering하는데 이것은 주기적으로 Target에 양전위를 공급해줌으로써 가능해졌다.■ 플라즈마의 application플라즈마는

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

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  TFT-LCD의 공정과 Color Filter

  반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.(2) Sputtering 공정 (증착공정)Sputtering은 ... RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하고자 하는 target 입자들이 튀어나와 ... 일반적으로 음극표면에 증착시킬 target 물질을 장착하고, 증착물질의 특성에 영향을 주지 않는 He, Ar과 같은 불활성 기체를 이용하여 양극에 놓여진 기판 위에 튀어나온 target

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.05

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  증착기를 이용한 반도체 공정

  방전을 이용하여 양이온으로 만들어 여기 시키면 고전압에 의해 가속된 양이온들이 음극 바이어스된 타겟(Target)에 충돌하도록 하게 되는데 이때의 운동에너지가 금속간의 결합에너지 ... PVD (Physical Vapor Deposition)PVD증착법은 크게 스퍼터링(Sputtering)과 증발(Evaporation)으로 나눌 수 있습니다. ... 이 방법은 증발되는 원자를 이온화시키기도 하고 기구 자체가 복잡해지는 단점이 있습니다.③ Sputtering스퍼터링은 진공 중에서 불활성 기체 (Ar, Kr, Xe 등)를 Plasma

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21

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  Cryo pump의 구조와 원리

  Source를 기화시켜 Target 물질 위에 Thin film을 형성. ... 특징Rough vacuum High vacuum Ultrahigh vacuum진공의 이용Food processing Evaporation Freeze drying Distillation Sputtering

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.21

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  SEM의 이미지 생성원리

  PowerSupply)500～800 볼트진공진공실양극전압 Sputter Coating의 Mechanism3. ... Target물질이 기판 위에 쌓여 코팅되는 방법이다. ... 이 아르곤 이온은 가해준 전기장에 의하여 음극(cathode)으로 이끌리게 되고 음극물질(Target)과 충돌하여 Target물질이 원자단위로 떨어져 나오게 되며, 이 원자 단위의

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.07

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  LCD의 원리와 제조

  반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.(2) Sputtering 공정 (증착공정)Sputtering은 ... RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하고자 하는 target 입자들이 튀어나와 ... 일반적으로 음극표면에 증착시킬 target 물질을 장착하고, 증착물질의 특성에 영향을 주지 않는 He, Ar과 같은 불활성 기체를 이용하여 양극에 놓여진 기판 위에 튀어나온 target

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.18

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  DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사

  따라서 낮은 에너지로 target에 입사하기 때문에 sputter yield가 떨어지게 된다. Sputter yield의 기체 압력에 대한 의존성을 Fig. 13에 나타내었다. ... 스퍼터링(sputtering)은 높은 에너지(30 eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 target원자들이 방출되는 현상이다. ... 단결정 target의 경우 이온들이 침투하기 유리한 결정면에 대해서는 스퍼터율은 감소한다.④ 스퍼터율은 아주 높은 경우를 제외하고는 target의 온도에 민감하지 않다.

  리포트 | 37페이지 | 6,000원 | 등록일 2008.01.16 | 수정일 2014.08.20

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  [전자재료]Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 결과

  Deposition① Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이다

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.03.15

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  Thermal evaporation system

  증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... (증착재료)의 증기를 생성하는 방법에 따라1) Sputtering 과2) Ion Plating 으로 나뉜다.물리증착 PVD는1) 저항가열식 증착 (Evaporation)2) 스퍼터링 ... 사용하지않는 일반적인 PVD 즉 Evaporation이라고 하는 저항가열식 증착방법과2) 플라즈마를 사용하는 PAPVD(Plasma assited PVD)로 나뉜다.PAPVD는 다시 Target

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  스퍼터링 증착

  Sputter yield는 다음과 같은 특징이 있다.① Sputter yield는 target 원소의 heat of evaporation에 의존하는데, heat of evaporation이 ... 단결정 target의 경우 이온들이 침투하기 유리한 결정면에 대해서는 sputter yield는 감소한다.④ Sputter yield는 아주 높은 경우를 제외하고는 target의 온도에 ... 전이 금속(transition metal)의 경우 원자 번호가 증가하면서 문턱 에너지는 주기적으로 변한다.③ Sputter yield는 target의 결정 방향에도 의존한다.

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.26

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.2.Sputtering 공정(증착공정)Sputtering은 ... RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하고자 하는 target 입자들이 튀어나와 ... 일반적으로 음극표면에 증착시킬 target 물질을 장착하고, 증착물질의 특성에 영향을 주지 않는 He, A.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  화공실험 보고서

  PAPVD는 다시 Target(증착재료)의 증기를 생성하는 방법에 따라1) Sputtering 과2) Ion Plating 으로 나뉩니다.? ... 물리증착 PVD는1) 저항가열식 증착 (Evaporation)2) 스퍼터링 (Sputtering)3) 이온플래팅 (Ion Plating)■저항가열식 진공증착법진공층착법은 1857년에

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.21

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  [전자공학]Sputter

  Sputtering의 장단점1.2. ... Sputtering 현상스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 원자들이 떨어져 나오는 메커니즘으로 설명되어질 ... Report- Sputter -과목 :학과 : 물리학과이름 :학번 :1. sputtering의 기본 개념1.1.

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성한다.Sputtering의 특징은 universality에 있다. ... Sputtering process의 가장 우수한 특성은 증착된 물질의 기상으로의 이동이 chemical, thermal process이 아니라 physical momentum exchange ... 이온이 target에 충돌할 때, target 원자가 튀어나옴과 동시에 2차 전자가 target으로부터 튀어나온다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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