"rf sputter" 검색결과 181-200 / 295건

• 

  증착법, 스퍼터링, 박막 공정 (THIN FILM PROCESS)의 기초

  (글로유방전)전자기판Ar+이온Ar원자스파터링목표물양극물냉각음극(-)DC sputtering 시스템의 개략도물리 기상 증착법(Sputtering)DC sputtering 증착 과정Ar ... ) 위에 증발 또는 sputtering을 사용하여 발생시킨 증기를 축적하여 필름을 성장 시키는 방법. ... 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems)에 의해 이루어 짐.플라즈마 생성 과정 전압이 가해지지 않았을 때 가스는 중립의 원자 상태로 존재함.

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17 | 수정일 2014.08.27

  다운로드 장바구니
• 

  Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

  Magnetron sputtering process of WC (RF) + Ti확인. ... Magnetron sputtering시 TiN은 DC Power를 사용하였고 WC는 RF Power를 사용. ... Process of AIP and Magnetron sputteringAIP and Magnetron sputtering 공정 조건입니다.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

  다운로드 장바구니
• 

  DSSC

  cathodic electrodeposition, rf-magnetron sputtering, Chemical vapor dsposition 등이 있다.이런 차단층의 조건 또한 매우 ... 실험 목적dye-sensitized solar cell(DSSC) 태양전지의 원리와 Cell의 제작과정을 익힘으로써 태양전지를 완벽히 이해하고 TiO2의 Sputtering두께와 Screen ... 두 가지가 섞여 있으면 빛의 scattering이 좋아져서 효율이 단일상으로 존재할 때 보다 우수하게 나타난다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

  다운로드 장바구니
• 

  화공과-기기분석-원자 흡수분광법(예비레포트)

  사이에 약 300V의 전압을 걸어주면 충진 기체의 이온화가 일어나 양이온이형성되고, 이 양이온들은 음극표면 쪽으로 끌려가 충돌하여 일정 에너지(문턱진동수)가되면 금속원자를 떼어내는 sputtering현상이 ... ), 500 - 800℃로 되게전류를 증가시켜 회화하여 유기물을 열분해(aching step) 한 다음 1,500 - 2,800℃에서원자화(atomization step) 하여 흡광도를 ... 감긴 ceramic holder에 넣어 만든 것으로 석영으로 된 창을 주로 이용한다.RF코일에 충분한 전력이 공급도면 유도에너지가 발생하여 lamp내의 원소가 들뜨게되어 특성 스펙트럼이

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.15

  다운로드 장바구니
• 

  물질 유전 상수 측정

  sputter를 이용하여 High-K dielectric을 증착한다. ... 절연체 위에 원하는 모양의 패턴을 형성하기 위해 감광제를 스핀코팅을 통하여 입히고 Baking을 거쳐 UV를 통과시킨 후 현상과정을 거쳐 필요없는 부분을 제거한다.④증착- DC sputter를 ... Piranha cleaning을 이용하여 이물질들을 먼저 제거한 후 HF를 이용하여 자연 산화막을 제거한다.②게이트 유전체 증착- 열적산화를 통하여 웨이퍼에 산화막을 성장시키고, RF

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10

  다운로드 장바구니
• 

  박막증착

  비균형적인 스퍼터링이 불리한전도 plasma의 밀도가 낮아서 target의 효율과 sputter rates가 낮아진다는 것이다.(5) E-Beam 일반적인 증착 /반응적 증착E-Beam ... 아마도 단원자들은 DC 스퍼터링에 반응하고 화합물은 RF/Pulsed DC Sputtering이나 반응성 DC Sputtering에 반응한다. ... (일반적인 마그네트론 스퍼터링의 자기장sma를 사용한다. 박막이 더 낮은 기판온도에서 만들어지므로 PECVD는 온도에 민감한 박막이나 기판용이 선호된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

  다운로드 장바구니
• 

  [A+] LCD 디스플레이 개념, 특성, 분류, 형대, 구동방식 및 동작방식, 제조공정 방법 구조 분석

  PECVD 와 sputtering 방식으로 증착함 PECVD 의 원리 : 플라즈마의 이온 분해 SiNx 와 a- Si:H 박막생성 Sputtering 의 원리 : 금속표면의 원자 이동현상 ... A-Si TFT 의 구조와 공정 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)Sputtering 공정 ( 증착공정 ) Sputtering 은 RF ... LCD 종류 및 특성분석 – 스메틱 , 네마틱 , 콜레스테릭 (1) 스메틱 ( smectic ) (2) 네마틱 ( nematic ) (3) 콜레스테릭 ( cholesteric ) 4

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26

  다운로드 장바구니
• 

  [금속재료공학]스퍼터링

  박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.마그네트론 스퍼터링 ... 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

  다운로드 장바구니
• 

  Dry etching(건식 식각) - 대본

  Ion milling : 이온의 가속을 통하여 표면 atom 을 sputtering 시켜 식각함 , Anisotropy 가 큼, 불활성 기체(대부분 아르곤을 많이 사용) 사용하여 화학응이 ... RIE : RF 전원에 의해 플라즈마가 생성됨(자유전자가 질량이 낮으므로 더 많이 움직이고 그러므로 더 많이 와이퍼에 부딪혀서 흡수된다. ... 전혀 없어서 화학반응이 없는 다양한 substrate 를 식각할 수있다. but selectivity사 낮다.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

  다운로드 장바구니
• 

  박막증착

  진공증착과 이온도금의 증착률은 sputtering의 도금률보다 매우 높다.Table2.1 증착방법에 따른 증착률증착방법증착률(Å/min)진공증착100~250000이온증착100~250000sputtering25 ... 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. ... 고주파 전원으로는 RF(13.56 MHz)와Microwave(2.47GHz)를 대표적으로 사용하고 있다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.27

  다운로드 장바구니
• 

  기기분석 AAS (원자흡수분광법) 결과 레포트

  걸어 주어 기체를 방전, 이온화시키고, 이 때 생기는 불활성 기체의 양이온으로 음극을 때리게 하면 음극 표면의 금속 원자가 음극 표면으로부터 떨어져 나오면서 원자 그름을 만든다(sputtering ... EDL은 적은 양의 순수한 금속이나 요오드화물을 넣은 실리카제 진공관을 낮은 압력의 불활성 기체와 함께 라디오 주파수(RF)의 코일이 감긴 공동에 넣고, RF 코일에 27 MHz의 ... stage)로 나눌 수 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.11

  다운로드 장바구니
• 

  evaporator의 원리 및 이론

  E-beam Evaporation증착방법에 따른 굴절률 (TiO2)- E-beam evaporation, ARE : 2.2~2.35 IAD : 2.35~2.5 IP, Ion beam sputter ... Plasma Asun power supply DC power supply MFC lead out Thickness monitor RF generator Vacuum gauge controllerPAEBE ... discharge 에서 Self-bias생성이온과 전자의 이동도 차이에 의한 self-bias 생성PRF: input RF power P : gas pressure3.

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

  다운로드 장바구니
• 

  스퍼터링

  sputtering yield 특징 ? ... 그 cathodic sputtering이다. ... 일반적으로 sputtering yield는 이온의 에너지와 질량이 증가하면 증가한다.그러나, 이온의 에너지가 너무 크면 이온 주입이 일어나 오히려 sputtering yield는 감소한다

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.13

  다운로드 장바구니
• 

  DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사

  (a) change of negative self-bias with RF discharge cycle and (b) plasma potential, cathode voltage and ... 스퍼터링(sputtering)스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다 ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive-ion)이라면 cathode sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathode sputtering이다.보통 스퍼터링에는

  리포트 | 37페이지 | 6,000원 | 등록일 2008.01.16 | 수정일 2014.08.20

  다운로드 장바구니
• 

  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering ... 100tons/㎡의 접착력)NSIB의 원리● Cs 환경에서 target 표면의 work function이 감소되어 표면에서의 전자의 밀도가 현격하게 증가하게 된다.● 이 전자들은 sputtering시 ... 반응과정이 아니며, 기계적 과정에 의해 증기상을 만드는 방법으로 어느 재료의 표적재료도 사용할수 있는 장점이 있으며, 일반적으로 DC방법을 사용하나 비전도성 표적재료인 경우는 AC과정인 RF전위를

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성

  sputtering1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장점이 있다.2) 주파수가 50kHz이상이면 ... 효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode의 키기가 direct electrode의 크기보다 작아야 한다. ... Pre sputtering을 한 후 증착 한다.1) ITO 타겟이 셔터로 막힌 상태에서 플라즈마를 생성 하여 타겟 위에 불순물을 없애고, 플라즈마가 안정하게 될 시간을 준다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  Bioelectrochemistry

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering ... 증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetronevaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam evaporation

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.21

  다운로드 장바구니
• 

  [박막공학]박막형성의 원리

  Simplified RF sputtering system [2].혹자는 RF를 사용하여 discharge를 하면 target이나 기판 모두가 스퍼터링 될 것으로 예상하기도 한다. ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive - ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.보통 ... yieldating power source를 사용하므로 부도체 재료를 스퍼터링할 수 있고 낮은 압력에서도 사용 가능하다는 장점이 있다.효과적인 sputtering을 위해서는 coupled

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.27

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]FCCL

  ³을 유지하고, Ar은 35sccm을 흘려준다. 15nm 증 착을 위해,45초를 유지한다.④ Cu 증착도 sputtering 을 이용하여 증착한다.sputtering장치에서 셔터를 ... 활성 가스는 O₂는 12 sccm, Ar은 30sccm을 주입한다.가스를 주입하면 진공도가 다시 상승한다.이 상태에서 RF power 20w로 전기를 걸어준다. ... 그 상태에서 FV 켜고, HIV 켠다. free sputtering을 실 시한다. Ar 가스를 100 sccm 흘려준다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  기존 PRAM의 문제점 해결방안

  주입된 붕소의 농도는 붕소 target에 인가되는 RF sputtering power로 조절하였으며 주입된 붕소의 농도는 Auger Electron Spectroscopy(ASE)로 ... 먼저 붕소를 Ge2Sb5Te5 박막내에 균일하게 주입하기위해 붕소 target과 Ge2Sb5Te5 target을 사용하여 co-sputtering방법으로 박막을 형성하였다. ... 결론상변화 메모리의 기억재료인 Ge2Sb5Te5에 붕소를 GST target과 co sputtering을 통해 주입을 한 GSTB박막의 주입된 농도에 따른 특성은 다음과 같다.

  리포트 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

  다운로드 장바구니