"rf sputter" 검색결과 101-120 / 295건

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  Cu 박막 전기적 특성 분석

  RF sputtering는 교류전원을 이용하며 13.56Hz의 주파수를 가지며, 전도체뿐만 아니라 절연체, 비금속, 유전체를 target으로 하여 이용할 수 있으나, 증착속도가 제한되며 ... Magnetron sputtering은 Target의 뒷면에영구자석이나 전자석을 배열함으로써 전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를target 바깥으로 형성되는 ... 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써sputter yield를 높이는 방법이다.DC sputteringRF sputteringMagnetron sputtering3

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.09.21 | 수정일 2015.09.17

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  RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 제작한 MGZO 박막의 구조적 및 전기적, 광학적 특성에 미치는 스퍼터링 전력의 영향

  한국재료학회 김인영, 신승욱, 김민성, 윤재호, 허기석, 정채환, 문종하, 이정용, 김진혁

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Sputter 박막 제조법

  Sputtering의 종류5.1 DC Diode Sputtering5.2 RF Sputtering5.3 Magnetron Sputtering5.4 Reactive Sputtering6 ... .1.2 Sputter Deposition의 특징1.2.1 Sputter Deposition의 장점- 여러 가지 다른 재료에서도 성막속도가 안정되고 비슷하다.- 균일한 성막이 가능, step ... cathode에 (-)전압을 가하면 cathode로부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.12.11

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  [발광디스플레이 실험] Sputtering

  발광디스플레이 실험 – sputtering실험 목적 : sputtering을 통해 금속을 증착 시키는 방법과 장비의 사용법을 숙지하며, sputtering 시간과 증착 되는 두께 사이의 ... 비활성 가스인 Ar을 사용한다.실험방법:1. sputtering 장비는 좌측과 같이 생겼다. ... 플라즈마가 생긴 왼쪽의 상태로 10있는 손잡이를 이용해 shield를 치워낸다. 치워 냄과 동시에 glass에 sputtering이 되기 시작한다.17.

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition

  Ionization of RF magnetron sputtering is mainly affected electrons which perform an oscillating motion ... Vf (RF DC) Ref. ... The sputter deposition chamber can have a small volume.

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18

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  CIS,CIGS

  systemRF sputtering systemmagnetron sputtering system태양광발전의 경제성을 향상시킬 수 있는 저가, 고효율의 태양전지 재료로 부각되고 있다실리콘 ... 스퍼터링법장점단점간단한 구조 저렴한 구성대면적화의 어려움 진공장치 내부의 심각한 오염 양질의 박막 제작이 힘듬미국의 국립재생에너지연구소 19.5%의 에너지변환효율스퍼터링 기술의 모식도DC sputtering

  리포트 | 23페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  ITO Glass

  이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... 기판이 과열되기 쉽다.2) RF Sputtering : DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? 박막의 균일도가 크다? Target의 재료가 금속으로 한정된다.? 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15m Torr)?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.17

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  디스플레이 제조공정 및 개요

  충돌하면 target 로부터 원자 또는 분자가 튀어 나오는 현상을 스퍼터링 (sputtering) 이라고 부른다 . ... 디스플레이 제조공정▣ INDEX 디스플레이 및 반도체 전체공정 진공공정 - 1)CVD - PECVD - 2)PVD -Vacuum evaporation - sputtering 리소그래피공정 ... 전자빔 증착 유도 가열 증착 RF 유도 가열 코일을 BN 으로 만들어진 도가니 주위에 감아 RF 전류를 흘려 가열시키는 방법이다▣ 스퍼터링 높은 에너지를 갖는 입자가 target 에

  리포트 | 30페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  반도체제작공정-박막증착공정

  Processing LaboratoryMagnetron sputter박막 증착 공정Materials Processing LaboratoryDC RF Magnetron sputter박막 ... PLD MBEFilm quality : evaporation sputtering PLD MBEGrowth rate : evaporation sputtering PLD MBEChemical ... 증착 공정Materials Processing LaboratoryRF sputter박막 증착 공정+-+++-+++substrate + chamber-+---+---targetTimeMaterials

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  각종증착장비에대하여...

  이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... RF SputteringDC sput이 되지 않는다. ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? 박막의 균일도가 크다? Target의 재료가 금속으로 한정된다.? 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15mTorr)?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  Sputter 원리 및 종류 영어 발표자료

  3mbarPositive Ion &ElectronDischarge is maintained: Accelerated electrons ionize new ions bycollisions with the sputter ... PowerSupplyeTarget(Insulator)+++++++- - - - - - - -TargetAccumulation of electric loadDC methods can not be used to sputter ... of target & substrateType of Sputter RF Sputter..PAGE:12Plasma++Vacuum pumpTargetNNS자기장+eCathodeeePowerSupplyType

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.06

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  36XPS

  Ws, 박막 원소의 원자량 Wf, 박막 기질의 밀도 rf, rs, 박막 기질의 전자의 평균 자유 행로 lf,ls) S는 박막 F를 입히는 데에 사용한 기질이고 O는 박막 위에 생긴 ... , 각도 분해법 으로 비 파괴, 깊이 방향 분석 가능단점 분석 면적은 수십 ㎛ 이상(AES는 수십 ㎚) 분석영역이 크기 때문에 ion sputtering 병용에 의해 깊이 방향 분석시의 ... 단점장점 표면전하 변화의 영향이 AES보다 적으므로 절연체 시료 분석이 용이 X선 조사에 의한 시료 손상은 전자선 조사에 비해 경미하고, 화학상태분석, 정량 분석이 용이 Ion sputtering

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  스퍼터링

  사용하고 세라믹은 RF sputter를 사용할까? ... 기초이론 및 원리1)스퍼터링(sputtering)이란? ... electron이 Ar과 충돌해서 ionization시켜서 Ar+를 만들고 Ar+이 ground state로 떨어지면서 빛을 낸다.2)스퍼터의 종류※왜 금속은 DC sputter를

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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  CIS,CIGS

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.그림3 RF sputtering ... 이러한 교류전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputtering)법이라 한다. ... Magnetron은 타겟 밑이 놓으며 인가된 전원에 따라 RF-DC magnetron sputtring이라 한다.그림4 ma인 동시증착법과 스퍼터링법은 시료 물질이 진공 쳄버 내를

  리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  전원을 인가한다.⑥. shutter를 열어 박막을 제조한다.- 종류1) 직류 다이오드 스파터링(DC diode sputtering)진공으로 된 유리관에 양극과 음극의 두 전극을 넣고 ... 따라서 sputtering시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자가 된다.- 사용 방법?. 기판을 Cleanning 한다. 기판은 주로 유리를 사용한다. ... , 앞의 직류 다이오드 시스템에서는 글로우 방전이 일어날 수 없기 때문에 sputtering 되지 않는다. capacitance C는 부도체 목표물을 등가 시킨 것일 뿐 아니라, 목표물이

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  GDS 실험

  일차적으로 각 일정한 조건에서 시료표면을 sputtering 하면서 발광되는 전자이 수를 count하여 시간에 따른 각 원소의 intensity를 도시한 다음 matrix-matched ... efficient in RF than DCPlasma potentiallower in RF than DCIon densitydrops more slowly away from the ... sample in RF than DCPlasma cellmore filled with argon ions than DCExcitationmore efficient in RF than

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  deposition 방법

  ”이라고 말한다.박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. ... (Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해 왔으나 최근에는 엑시머 레이저를 이용하는 방법의개발이 이루어져 있다. ... 다만 CVD는 PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구한다.sputtering / 증착도금진공 속에 물건과 도금할 금속을 넣고, 금속을 가열하여 휘산(揮散)시켜서 물건 표면에

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  각종 진공 pump 원리 및 사용 방법

  Sputtering 증착법: RF Sputtering 증착법v RF sputter의 구조⑺. ... Sputtering 증착법: DC sputtering 증착법v DC sputter의 구조⑹. ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.03

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  In the case of elemental metals, simple dc sputtering is usually favored due to its large sputter rates ... When depositing insulating materials such as SiO2, an RF plasma must be used. ... by sputtering and in some cases by electroplating in most silicon technologies for two reasons.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  ETCHING

  원통형 플라즈마 식각기 (Barrel Plasma Etcher) 20 등방성 Wafer 의 물리적 sputtering 이 아니기 때문에 plasma 손상 최소화 → 화학적으로 거의 ... generator (bias power) Inductively-coupled RF generator (source power) 35 7. ... Reactive Ion Etch (RIE) RF generator Wafer Powered electrode (cathode) Grounded electrode (anode) Ar

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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