"rf sputter" 검색결과 121-140 / 295건

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  구리필름 전기적 특성

  radio frequency);고주파를 사용하면 절연체에서도 sputtering이 된다.금속이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체등의 sputtering이 가능하다.RF Sputtering의 ... -저온 증착이 가능-전자의 입사에 의한 기판의 손상-에너지의 비효율성-높은 working pressure⇒박막의 산화물, 절연물체일 때는 sputtering이 잘 되지 않는다.RF( ... 따라서 이산화규소를 사용하여 구리박막 자체의 저항을 측정하기 위해 이 산화규소를 사용한 것이다.② sputtering 증착-sputter의 chamber에 준비한 시편을 넣고 sputter에

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.14

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  금속 박막증착

  구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 ... target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC의 단점을 보완해 준다.그리고 일반적으로 사용되는 고주파의 주파수는 13.56MHz이다.장 ... 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로날아가서 박막을 형성하는 방법이다.① DC 스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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  반도체공정 레포트 최종

  sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.⑤ 박막의 균일도가 크다.반면에 4가지 ... 이러한 단점은 RF s과정)⑥ 잔류 용제를 증발시켜 PR이 표면에 잘 붙게 하기 위해 105℃로 다시 약 3분간 hard baking 한다.⑦ 약 2분 30초간 에칭 한다.※ 에칭의

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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  PVD 증착

  PVD ┃DC Sputtering절연체의 박막을 증착 시키기 위하여 개발 PVD ┃RF Sputtering장점 : 부도체 재료 sputter 가능 낮은 압력하에서 사용가능 단점 : ... 생성 막이 일부 target 의 조성과 반드시 일치하지 않음 PVD ┃RF Sputteringtaget N S N S Ar plasma clamp Chuck/heater gas line ... Sputtered atom or ion Ar ion target DC sputtering 증착 과정 Ar 양이온은 음극 외장을 통과하면서 가속 가속된 양이온이 알루미늄 target

  리포트 | 46페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.29

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  [토리컴자기소개서] 토리컴 합격자 자기소개서예문,토리컴합격자소서,토리컴(생산)공채입사지원서,토리컴자기소개서견본,토리컴자소서양식

  첫 과정은 사파이어 위에 P형 GaN를 증착한 후 900도에서 activation을 하고 RF Magnetron sputter를 이용하여 온도별로 n형 ZnO를 증착하는 것이었습니다

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.07.25

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  [박막] RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ZnO박막에 관한 연구

  {Fig. 1 Schemic diagram of rf magnetron sputtering systems. ... 일반적으로 알곤압력이 증가하면, 플라즈마 방전전류의 증가에 의해서 증착속도가 증가하는 효과와, 스퍼터링된 입자들과 방전 가스와의 스캐터링(scattering)이 알곤압력의 증가에 따라서 ... 실험 방법실험에서는 Fig. 1과 같이 RF 마그네트론 스퍼터 장치를 사용하여 ZnO 박막을 제조하였다.

  리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2004.12.05

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  신소재 실험

  yield 감소.② Target의 온도: sputter yield가 아주 높은 경우를 제외하고는 민감하지 않음.③ 이온의 입사각: Max sputter yield –약 80°④ Target ... √이러한 현상 때문에 부도체를 sputtering, etching 등을 할 때는 교류전원을 사용한다. ... Sputter서론반도체, 도체 및 부도체박막의 제조방법으로는 CVD, evaporation, sputtering 등의 다양한 방법이 있다.

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.03.01 | 수정일 2018.10.22

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  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  없어 수명이 길고 초고청정 진공이 요구되는 표면실험장치, 표면분석계, 입자가속기 등에서 널리 사용 되고 있다.PVD는 고체 상태의 화합물들을 타깃으로 물리적인 방법(열, 전자빔, sputtering ... 또 에너지가 약해서 스퍼터링 효율이 낮다.RF 스퍼터링은 RF 주파수 13.56MHz를 걸어주어 플라즈마를 형성한다. ... RF 스퍼터 보단 저렴하지만 고전압이 필요하여 장비가격이 비싸진다.

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  GDS에 관한 예비/결과보고서

  그러나 GDS 분석법은 비교적 높은 sputtering 속도를 가지고 도금층의 계면까지 용이하게 분석할 수 있고 수소 원소도 분석할 수 있으며 또한 RF교류 전원 source를 사용하여 ... 특히 높은 sputtering rate를 이용하여 유기물로 코팅된 표면처리 강판의 조성 분석과 깊이 방향 분석에 매우 유용한 방법이다.2. ... )로부터 높은 에너지 준위로 전이하여 들뜬 상태( excited state )가 된다.

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.31

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  [LCD실험] TFT-LCD 분석

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... 증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 solvent류가 있다.

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  반도체 공정의 이해

  Evaporation Sputtering Ar, O2 진공 챔버 plasma Substrate heater 형성된 박막 이온화된 Ar magnetron 전원장치 evaporation 은 sputtering ... Generic logic + Analog( Mixed ) + RF ….. Low power logic( LP ) + Analog( Mixed ) + RF …. ... 현재 0.028um( 28nm ) 까지 상용화되어있음 . ) base 공정은 logic 공정이며 , Analog/RF/Embedded flash 등은 그 base 공정을 기본으로 나머지

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  따라서 전자가 어느 한 쪽으로 몰리게 되면 다른 전극에는 ion으로 생성된 sheath가 생기게 되며 DC의 경우와 마찬가지로 sputtering이 발생하게 된다.RF sputtering은 ... DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 spu가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.- 전류량과 생성피막의 두께가 정비례하므로 콘트롤이 쉽다.- RF ... 즉 물질에 따라서 수 10nm/분 ~ 200nm/분의 두께이다.- 타깃은 판상으로 해야 한다.- 기판이 과열되기 쉽다.2) RF SputteringDC sputtering에서는 target이

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  플라즈마

  본 연구실에서는 이 장치를 사용하여 산화물 및 금속계 재료의 박막제조에 활용하고 있다.sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 camber내로 주입하여 ... 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다. sputter장치의 시스템은 target쪽을 음극(cathod)으로 하고 기판쪽을 ... 여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 sputtering에 사용된다

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.01

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  ITO Scribing & Cleaning 예비보고서

  ◇ITO 박막 증착=일반적으로 ITO 박막은 스퍼터링(sputtering)에 의하여 형성된다. ... 덩어리 상태에서는 노란 회색을 띤다.ITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅한 유리를 말한다. ... plasma 처리를 하게 되는데 이 과정은 UV ozone cleaning과 마찬가지로 Ar 또는 산소 gas를 공급하면서 chamber내 진공을 2～3×10-1 torr로 유지하여 RF

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

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  [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기

  만일 충돌하는 입자들이 양이온이라면 cathodic sputtering이라고 부른다. 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. ... RF 발생기를 직접 ground를 연결하고나 챔버벽 또는 기판 고정 장치에 ground를 시켜서 작은 크기의 coupied electrode를 만들 수 있다. ... RF스퍼터링을 이용하면 금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄화물 등 거의 모든 종류의 물질을 스퍼터 증착할 수 있지만, 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지 않기 때문에

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  ITO glass 의 개발과 용도

  <ITO glass 의 개발과 용도>&#983729;. ITO GLASS 란? ... OLED 에서의 ITO 방향매끄러운 표면, 광택나는 ITO, 제조공정의 다양화, DC/RF or 이온 도금(고강도), 플라즈마 처리(낮은 저항 성), 금속 코팅 등4.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04

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  CIGS태양전지의 구조

  CIGS에의 오믹 접합, Se분위기 하에서의 고온 안전성재료: Mo제조법: DC sputtering3. ... 물리적인 박막제조방법진공증발법, sputtering +selenization2.화학적인 방법electrodeposition가장 좋은 방법은 evaporation 방법으로 출발물질로 ... Al이나 B를 도핑하여 낮은 저항값을 얻을 수 있다.재료: ZnO제조법: RF-Sputtering, 반응성 Sputtering, 유기금속화학증착법6.반사방지막Grid반사방지막(AR

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.23

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  [디스플레이공학 중간고사 정리]성균관대 이준신 교수님 중간고사 정리

  )sputtering을 이용 gate와 스토리지 전극 형성. ... step)sputtering 이용S/D물질로서 중요한 조건(Cr은 1,3,4 만족)1. a-Si:H와의 저항성 접촉2. step 지역에 crack이 일어나지 않아야함3. ... 점과 성막 속도를 유지하고자하는 RF전력도 플라즈마 체적에 비례하여 커지는데 이에 따라 이상방전의 가능성이 커진다.게이트 절연막 기술열산화막 : 계면특성과 절연성 우수 but 800도

  시험자료 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.08

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  투명전극의 광학적 전기적 특성

  투명전극제작은 sputtering과 spin coating 방식에서 spin coating으로 제작이 가능한 TCF-CNT만을 직접 제작해 보았다. sputtering기기를 사용하는 ... 금속과녁을 사용하고 RF Sputtering 에서는 유전체과 금속과녁을 사용한다. ... *glow discharge Sputtering - Sputtering은 glow discharge를 발생시키는 방법에 따라 DC와 RF Sputtering으로 분류하며 DC Sputtering에서는

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.30

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  [과제물]MEMS 논문 요약 7

  sputter를 이용하여 증착 및 패턴하였다. ... 그 후 Al을 상부전극과 기판의 뒷면에 sputter를 이용하여 증착 및 패턴하였다. ... 이어 sputter를 이용하여 Al 및 ZnO를 증착하고 패턴한 후, silicon nitride dry etch를 이용하여 캔틸레버를 release한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.05

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