"Dopant" 검색결과 61-80 / 353건

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  산화,확산,주입

  ions Ion implanter b)High dopant concentration (n + , p + ) and deep junction ( x j ) Beam scan High ... redistribution 일어남 RTA ( Rapid Thermal Anneal ) 1000℃ 에서 10~20 초간 가열 Dopant redistribution 최소화부분적 활성화 ... SiO 2 ) 도펀트 주입은 웨이퍼 표면으로부터 이루어짐 도펀트 원자는 계속적으로 공급됨 표면에서 멀 수록 확산 농도는 낮음 .후 확산 Drive - in 고온처리 로 표면에 있는 dopant

  리포트 | 69페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  반도체 제조공정

  profile이방성(Anisotropic) dopant profile불순물 농도와 Juncton 깊이 제어 불가능불순물 농도와 Juncton 깊이 제어 가능Batch processBoth ... 문턱전압 조절Ion Implantation 공정DiffusionIon Implantation높은 온도, hard mask(SiO2)낮은온도, PR mask등방성(Isotropic) dopant

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.08.29 | 수정일 2018.09.04

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  메모리 반도체의 제조공정

  확산, 포토, 식각, 증착, 이온주입, 연마 등의 세부공정으로 구성- (확산, diffusion) 고온(800~1200℃)의 전기로에서 웨이퍼에 불순물(dopant)* 을 확산시켜 ... 물리적인 방법으로 전도성 또는 절연성 박막을 형성시키는 공정- (이온주입공정, ion implantation) 반도체에 전도성을 부여하기 위해 비소, 인, 붕소 이온 등의 불순물(dopant

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.06.30

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  OLED 실험 보고서 Energy transfer

  Emission1) Charge Trapping EmissionCharge들이 바로 Emitter로 들어가는 경우로 dopant들이 trap과 같은 역할을 한다. dopant 분자에서 ... 여기서 dopant는 주로 light emitting center의 역할을 하게 되고 host 분자에서 재결합한다. ... 여기서는 Self-quenching가 일어나므로 효율이 감소함2) Energy Transfer EmissionHost로 들어간 Energy가 dopant로 전달되는 경우로 Carrier들이

  리포트 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.03.29 | 수정일 2021.07.05

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  전도성 고분자 합성 레포트

  Dopant가 pyrrole에 접근하여 pyrrole을 양이온으로 만들고, Dopant 자신은 전자를 받아서 음이온이 된다. ... 최대 허용 Dopant 양 계산설계 실험을 진행하기 위해 최대 허용 dopant의 양을 계산하였다. 계산을 위해 도입한 가정은 다음과 같다.1. ... 따라서 적절한 dopant의 양을 계산을 통해 도출하고 해당 양의 dopant를 넣어주었을 때 전기 전도도가 증가함을 실험을 통해 확인하고자 하였다.2.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.09.18

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  상전이 고분자의 제조(예비)

  이 dopant 이온은 전자이동 반응 중에 형성된다. 대부분의 dopant는 일가 이온들이며 이들의 크기나 안정성이 매우 중요하다. ... 현재까지 알려진 바로는 고분자물질의 구조와 dopant의 농도 등에 따라서 전기전도도가 10-7-105Scm-1 정도의 넓은 범위를 가지며, 전기부도체-반도체-금속적 도체의 영역에 ... 예를 들면, electron acceptor인 lodline로 옮아가서 dopant로부터 전자를 제공받으면 음(-)이 되므로 이동할 수 있는 전자가 생성된다.2) 형태전도성 고분자들은

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2016.03.20

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  [고려대 재료공학실험 - 예비보고서] Hall measurement 및 4-point probe를 이용한 반도체의 전기적 특성 분석

  ITO에 Sn이 3at% 미만으로 도핑 되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 반송자(carrier)의 농도가 크게 나타나지만 3at% 이상 도핑할 경우 dopant의 농도가 ... 있는데, 열처리를 이용하여 결함 농도를 증가시켜 저항을 낮추는 방법, implantation, plasma 공정으로 불순물(impurity)를 넣는 방법, Ga, B, Al, 등의 dopant를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.17

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  Energy transfer1

  이상적인 Host-Dopant는 Host의 UV-visible과 Dopant의 PL이 겹쳐지는 부분의 흡광도가 높은 것이다. ... 그렇다면 Dopant로 적절한지의 실험도 당연히 해야 할 것이다. ... 어떤 물질이 Host이고 Dopant인지 Band gap을 통해 알아보기 위함이다.

  리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.11.08 | 수정일 2014.11.23

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  [물리전자] 5.1.1 Thermal Oxidation~5.1.8 Metallization

  These processes are used for a wide variety of applications in semiconductor manufacturing including dopant

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.01

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  OLED 실험 보고서 OLED 제작공정(증착공정)

  , dopant의 rate는 낮게 설정해야 잘나온다.? ... 같이 증착한 host-dopant system으로 구성되는데, 이는 색을 조절하기 용이하고, self quenchin향상시키고 금속전극과 유기층 간의 계면 특성을 향상시키기 위해 ... 온도를 갑자기 올리면 위의 분자가 기화가 안되서 터지는 경우 생긴다. rate를 유지하는 이유는 단일막이 아닌 host, dopant를 동시에 띄우기 때문에 host의 rate는 높게

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.03.29 | 수정일 2016.04.06

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  SK 이노베이션 최종합격 자기소개서(sk innovation 자소서, sk이노베이션)

  그 결과 dopant의 종류는 많았지만 문제에서 원하는 것은 n-type 기판에 사용되는 dopant를 조사하라는 것을 알 수 있었습니다. ... 검색 방법을 직접 적용해 보고 싶어서 특허 검색 공모전인 ‘캠퍼스 전략 특허유니버시아드’에 참가하였습니다.제가 지원한 문제는 ‘태양전지용 실리콘 단결정 개발’로써 광열화를 방지하는 dopant의

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.12.11

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  [연세대학교 물리학과 물리학실험(B-1)] 7번 실험 결과레포트 (연세대학교 물리학과 전공필수 실험과목)

  이때 Dopant concentration이 증가한다.

  리포트 | 23페이지 | 5,000원 | 등록일 2019.05.22 | 수정일 2019.07.26

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  전도성 고분자에 대하여

  먼저 dopant를 산화제로 할 경우 dopant 분자는 사슬을 산화시켜 polahenylenevinylene), poly(thienylenevinylene)등과 같이 가공성이 있는 ... 화학적으로 합성된 폴리피롤의 특성은 합성 시 사용된 dopant와 산화제의 종류, 합성온도, 합성시간에 영향을 많이 받지만 특히 dopant와 산화제의 종류에 따라 영향을 크게 받는다 ... 그러나 피롤 단량체의 산화전위가 낮기 때문에 폴리피롤을 합성 시 다양한 산화제가 사용 될 수 있으며, dopant의 역할을 동시에 할 수 있는 산화제를 사용하여 전도성을 갖는 분말

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.01.08

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  OLED용 Chrysene / Pyrene 유도체의 합성 및 분광특성

  한국화상학회 유지웅, 이상남, 손세모

  논문 | 12페이지 | 4,300원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29

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  [OLED] 중간과제

  타고 직접 이동하고 trapping 되고, dopant가 trap site로 작용한다. ... 그리고 가능하면 charge trapping이 없는 host-dopant system을 쓴다.4. ... Dopant에서 recombination이 일어나고, carrier의 movement는 doping concentration에 의존한다.

  리포트 | 1페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  반도체란(반도체의 구성과 Type별 설명)?

  melting point Wide Temperature Range operation Unique growth of silicon oxide Why As, P for n-type dopant ... As and P have slow diffusion rate They substitute for Silicon atom They bring effect of dopant Why Silicom ... point Thin-film formation of the ease The ease of the line pattern Low resistance value by containing dopant

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.30

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  폴리아닐린을 함유한 도전성 복합필름의 제조 및 특성 연구(2)

  한국유화학회 이수, 성은숙

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  실리콘 반도체의 한계와 대안

  그림 4에서 보는 바와 같이 channel이 짧아지면 dopant atom의 수가 들쭉날쭉하게 되고 dopant atom이 어디에 위치하느냐에 따라 channel이 생기게 하는 전압가 ... 없다는 문제점이 있으며 또 다른 해결방안은가 gate material의 work function에 의존한다는 것을 이용하는 것도 한 방안이다.그림 Gate길이가 짧아질 때 나타나는 dopant ... 하나는 long channel에서는 문제가 되지 않았던 channel 내에서의 doping atom의 fluctuation이다. cm당 1×10개의 doping atom이 존재하므로 dopant

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.17

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  반도체 공정 중간고사 대비 정리

  농도 차이만큼 dopants -> impurities

  시험자료 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.12.11

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  [물리전자공학] Slilicon light source에 대한 고찰

  최근에 이 Porous Silicon의 높은 면/부피 비율을 보았을 때, dopant 과정의 주최자가 될 수 있지 않을까 하는 가능성이 제기되었다. ... 면/부피 비율이 높다는 것은 Porous Silicon 으로 많은 양의 dopant 물질이 축적될 수 있다는 것, 즉 high doping 이 가능하다는 것을 의미한다. ... 진행단계를 간단히 줄이면, boron 주입은 전위 loop array의 도입을 위함과 더불어 n type silicon 물질안에 pn junction을 형성하기 위해 ptype dopant를

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.10.19

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