"Dopant" 검색결과 101-120 / 353건

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  전자부품 및 공정실험 3 varistor

  쪽으로 확대시킬 수 있지만 이와 동시에 pre-breakdown 영역의 누설 전류도 함께 증가시키기 때문에 ZnO의 비저항을 조절하기 위하여 첨가하는 각종 1가 또는 3가 도펀트(dopant

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.08.12

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  OLED 고분자, 저분자 재료

  system : 에너지 전이 - host(dopant의 흡수영역에서 발광스펙트럼을 나타내는 물질) - dopant(적색발광물질) - Host에 의한 발광 - 높은 전압시 적색발광재료에서의 ... Host / Dopant 에너지 전이를 이용한 발광제료▶ Host/Dopant간 에너지 전이를 이용한 발광재료  단독발광물질 - 분inacridoneDPTrubreneBTXABTXDCJTB ... 어려움 - 본질적으로 낮은 발광효율 - 분자간 상호작용에 의한 발광감쇄 효과 - 넓은 발광대역으로 인한 색순도의 저하 - 최근까지 실용화에 가장 문제가 많은 발광재료  host / dopant

  리포트 | 43페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.06.11

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  형광체 실험 보고서

  이후 분말에 dopant를 첨가하여 합성물질의 특성변화를 관찰한다. ... 그래프로 노이즈와 같이 나왔고, 후의 그래프와 비교하였을 때는 거의 값이 없는 일자나 마찬가지였다.dopant를 넣은 PL그래프dopant를 넣은 물질은 이와 같이 그래프가 잘 나왔다 ... 하지만, Sensitizer자체가 상을 형성하게 되면, Luminescence killer로 작용할 수 있으므로, 첨가되는 양은 dopant수준이어야 한다.

  리포트 | 40페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.03.19

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  연료전지

  치환되는 dopant종류에 따른 안정화 zirconia의 전기 전도도가 달라진다4) Zro2연료전지의 문제점 및 해결방안Zro2 연료전지가 800℃~1000℃의 고온에서 작동하기 때문에

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.01.12

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  도핑(doping)기술에 대한 레포트 A+

  그래서 이 도펀트(Dopant)는 4번째 결합을 완성하기 위해 주변 원자의 공유결합으로부터 전자를 하나 얻어올 수 있다. 이러한 도펀트를 acceptor라고 한다. ... 가스, 액체, 고체 상태의 불순물이 될 수 있다.● 가스 상태의 dopant는 질소나 아르곤 가스 같은 활성 가스와 혼합되어 furnace에 주입된다.● 확산용 TUBE 내에서 불순물은 ... 단계만으로는 이루어지기 어려우며 두번째 단계에서 비로소 정확한 조절이 행하여진다.● Predeposition이 끝난 후 1300℃ 의 두번재 furnace에 웨이퍼가 넣어지 면 dopant

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.12

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  불순물확산_기본

  불순물의 확산 메커니즘은 material이 defect를 가지고 있는 경우와 그렇지 않은 non-defect인 경우로 나눌 수 있다. non-defect 메커니즘의 경우 실질적인 공정에 적용시키기엔 많은 문제점이 따른다. 왜냐하면 보통의 semiconductor dev..

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.27

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  산화공정 oxidation

  실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 ... 산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을 막을 수 있다.(2) 표면 보호 : 첫 번째로 표면 보호는 실리콘의 비저항과 전도도는 0.001%의 dopant로도

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.12

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  이온주입공정

  IMPLANT = IM ( IN ) + PLANT ( 안에 넣다, 넣어주다 )원자이온이 웨이퍼(WAFER)의 표면을 뚫고 들어 갈 만큼 큰 에너지를 갖게하여 원하는 불순물을(DOPANT ... 반도체 소자의 전기적 특성은 이온주입의 종류 즉 불순물의 종류, 불순물의 량에 따라 결정된다.용어1) 원하는 불순물( DOPANT ) : 이온주입 공정에 사용되는 불순물-반도체를 p형 ... 한다☞인터넷 참고 자료Ion Implantation반도체 역사 초기에 불순물 주입 기술은 Tube 내에 반도체 Wafer와 Gas를 넣고 Tube를 높은 온도로 가열 시킴으로써 dopant를

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21

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  Ullmann reaction (울만 반응) 정의 및 메카니즘과 관련 논문에서 기여하는 바 [고등유기합성화학]

  [Organometallics 2007, 26, 4816-4829]- OLEDs에서 Pt dopant를 합성하고, 그 특성을 평가를 한 것으로, 필요한 고분자를 합성을 할 시에 N-arylation

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.05.15

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  OLED의 원리 유기EL의 종류 및 응용

  안트라신세번째시료 색상:red 시작물질: 페릴렌앞 그림에서의 powder 형태의 products 와 Chloroform을 혼합한 후 365nm의 UV를 비쳐주면 각각의 특유의 형광이 나온다Dopant

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.09

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  Thermistor(happy)

  Dopant를 많이 넣을수록 퀴리온도가 더 많이 shift된다.이 식을 이용해서 단위 길이 당 저항값을 구해야한다. 그래프를 가지고 비교를 해야한다. ... 위해서 첨가.Depressor : 더 넓은 온도에서 사용하기 위해서 첨가.PTCR : 특정온도에서 저항이 갑자기 증가하는 현상(원인 : grain boundary)BaTiO3에 dopant

  리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.03.06

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  OLED 예상 문제

  (형광)- red : CuPc / NPB / DPBVi(HOST):DCJTB(dopant) / Alq3 / LiF / Al- Green : CuPc / NPB / Alq3 / LiF ... ./ Al- Blue : MTDATA / spiro-NPB / DPAVBi(host) :AND(dopant) / Bebq2 / Liq / Al(인광)- red : MTDATA /

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.28

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  반도체 공정

  Wafer 산화막 (SiO2) photoresist N Well Si Wafer 산화막 (SiO2) Si Wafer 산화막 (SiO2) Mask UV( UltraViolet ) Dopant

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.01.17 | 수정일 2017.01.06

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  서미스터를 이용한 온도 변화에 따라 LED가 작동하는 회로 실험

  이 서미스터는 BaTiO3에 소량의 dopant를 첨가하여 만드는데 그 dopant는 희토류계 원소이다.

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.12

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  반도체 제조 공정

  실리콘 표면 보호 ( 전기적 특성 안정 ) 산화막의 역할Doping(1) : Diffusion 고온 (800~1000℃) 의 diffusion furnace 에서 Wafer 에 Dopant ... 변화시 키는 공정 Diffusion 공정은 확산 깊이 제어 의 어려움과 고온을 위하는 공정 낮은 농도 영역에서 농도 조절이 어려움Doping(2) : ion implant 정확한 Dopant

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.20

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  MOSFET_최종

  따라서 이러한 Poly-Si gate electrode의 gate depletion과 dopant penetraion의 문제점을 해결하고 게이트 저항을 줄일 수 있는 대안으로 기존의 ... Poly-Si gate depletion 현상과 게이트의 전극의 저항을 줄이기 위해 poly-Si의 doping농도를 증가하게 되면 기판으로 사용되는 p형 poly-Si의 주요 dopant인 ... dielectric 도입③ 소스와 드레인- 단채널효과 억제를 위한 접합 깊이 감소④ 채널- 단채널 억제를 위한 Halo Implant(소스와 드레인 사이의 국부적 도핑)/Channel Dopant

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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  전도성고분자)

  우리 실험에서는 Iodine을 dopant로 사용했지만 이처럼 다양한 dopant를 통해 보다 우수한 성질의 전도성고분자를 얻을 수 있을 것이다.⑤ 온도에 따른 전도도우선 온도의 경우 ... 이번 실험에서 사용된 산화제는 Iron(Ⅲ) Chloride이고 이것으로 인해 산화되어 양이온을 이루게 되고, 이것과 dopant인 Iodine이 복합체를 형성함으로써 PPy를 안정시킨다 ... 예PPy는 높은 전도도를 가지고 있으나 유기용매에 낮은 용해도를 보이는데 이것을 극복하기 위해 pyrrole의 1번 위치에 알킬기를 치환시켜 용해도를 증가시켰으나 전도도가 감등을 dopant로

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.02.10 | 수정일 2014.02.15

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  반도체소자와공정-1

  고온의 석영 튜브 노(furnace)에 반도체 wafer를 넣고 원하는 dopant가 포함된 혼합가스를 통과 시킴으로써 이루어 진다. ... Czochralski공법등으로 Ingot을 형성 이때 원하는 dopant에 따라 웨이퍼의 종류를 결정 Ingot을 절단하여 wafer 성형Starting MaterialPolycrystalline ... 이용하여 wafer 표면을 물리적으로 식각 2) 식각속도가 빠르며 높은 재생, 패턴 전사를 얻기 위해 사용된다.5) 확산공정과 이온주입공정반도체 기판 내에 조절이 가능한 양의 불순물 dopant를

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21

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  OLED 실험 보고서 Exciplex 와 Excimer

  일반적으로 OLED 소자의 발광효율을 증가시키기 위해 발광층은 band-gap이 큰 host 물질과 band-gap이 작고 효율이 좋은 dopant 물질로 구성된다.

  리포트 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.03.29 | 수정일 2016.04.06

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  니켈 폴리사이드 게이트의 열적안정성과 C-V 특성

  한국재료학회 정연실, 배규식

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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