"Dopant" 검색결과 161-180 / 353건

• 

  화합물 반도체

  Hg1-xCdxTe의 경우에 n type dopant로는 In p type dopant 로는 As이 사용된다.3.3 VPE법에 의한 박막 성장VPE법은 화학증착법의 일종으로 볼 수 ... 되기 때문에 이의 제어를 위해서 많은 연구가 되어 왔다.LPE 박막에 대해 doping도 행해지며 GaAs 경우에 n type dopent로는 Sn, Se, Te 등이 p type dopant

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

  다운로드 장바구니
• 

  Czochralski method

  Czochralski methodCzochralski 약력 Cz method 원리 Cz method 공정 응용분야차 례1885년 폴란드 태생 1900년 베를린으로 이주 1907년 AEG 근무Czochralski1916년 Cz method 개발 1929년 바르샤바 기술대..

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

  다운로드 장바구니
• 

  TCO,ITO

  관찰한 결과 ITO의 전기적 특성은 내부 산소 공공(oxygen vacancy)에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

  다운로드 장바구니
• 

  sputtering

  관찰한 결과 ITO의 전기적 특성은 내부 산소 공공(oxygen vacancy)에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

  다운로드 장바구니
• 

  박막공정을 이용한 설계[박막을 이용한 설계]

  마찬가지로 도핑제 (dopant)로부터 전자를 제공받으면 음(-)이 되므로 이동할 수 있는 전자가 생성된다.3.3 폴리 아닐린(Polyaniline)Fig. 2 폴리 아닐린(Polyaniline

  리포트 | 15페이지 | 4,000원 | 등록일 2013.06.19

  다운로드 장바구니
• 

  반도체조사

  작용하고 5족(최 외곽전자가 5개인) P,As,Sb는 N Type Dopant로 쓰인다.Si,Ge들의 가전자들은 이웃하는 원자들 간에 공유 결합을 하고 있다. ... P형 반도체와 N형 반도체반도체 기판의 재료로서 4족(최 외곽 전자가 4개)인 Si,Ge이 주로 쓰인다.원소 주기율표의 3족(최 외곽 전자가 3개)인B(보론)의 경우 P Type Dopant로

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.10

  다운로드 장바구니
• 

  Thermal Oxidation -Furnace

  Type of Oxidationoxidation산화막형성은실리콘집적회로제작에서가장기본적이며자주사용되는공정반도체소자에서매우우수한절연체(insulator)로전류와도핑물질(dopant)의이동을막는데사용2

  리포트 | 28페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.07.25

  다운로드 장바구니
• 

  전도성 고분자

  전 도성 고분자C ONTENTS Su-Schrieffer- Heeger Theory, 2000 년 노벨화학상전도성 고분자 특성 및 종류 2전도성 고분자의 종류Doping 미량의 dopant

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.22

  다운로드 장바구니
• 

  MgO와 유기물질을 이용한 hybrid OLED Encapsulation 기술소개

  150.8nm LiF /Al 30nm tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) 35nm Alq3(20%):MADN(80%) /DCJTB(2%)(red dopant

  리포트 | 36페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.27

  다운로드 장바구니
• 

  삼성전자 반도체산업 개발, 삼성전자 반도체산업 성공요인, 삼성전자 반도체산업 핵심역량, 삼성전자 반도체산업 기술흡수, 삼성전자 반도체산업 메모리제품,삼성전자 반도체산업 제고 방안

  제작된다.웨이퍼가공은 우선 광택과정을 거친 웨이퍼위에 원하는 만큼의 두께로 산화막을 입혀서 실리콘결정을 보호하고, 마스크 패턴에 따라 형성된 산화막의 식각(etching)된 곳에 불순물(dopants

  리포트 | 15페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.07.24

  다운로드 장바구니
• 

  ITO

  ● 그 이상 첨가되면 In4Sn3O2 생성으로 전기전도도 감소 ● ITO의 전기적특성은 내부의 Oxygen vacancy에 영향받음 ● Sn을 3atomic% 이상 도핑할 경우 dopant의

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.11

  다운로드 장바구니
• 

  엘지실트론 소개 및 취업자료

  ) 종류에 따른 분류: N-Type : 5가 원소(P.Sb) Dopant 사용 P-Type : 3가 원소(B) Dopant 사용 결정성장 방향에 따른 분류: 100 , 111 웨이퍼 ... 요구 고도의 청결을 유지해야결정 특성 고순도의 다결정 실리콘을 용융시켜 특정방향으로 성장시킨 단결정 실리콘전기적 특성 결정성장(Crystal Growing)시 인위적으로 주입되는 Dopant ... 사이의 전기 전도도를 가짐Silicon wafer의 종류원재료에 따른 분류 : 실리콘(Silicon) Wafer,게르마늄(Ga) wafer, 갈륨 비소(GaAs) wafer 도판트 (Dopant

  리포트 | 51페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.16

  다운로드 장바구니
• 

  전도성고분자 시장 및 전망

  특히, PEDOT의 dopant로서 poly(styrenesulfonate)(PSS)를 사용하여 수분산 형태로 상업적으로 가장 활발히 판매되는 PEDOT/PSS 복합체는 coating재료로서

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.16 | 수정일 2014.11.13

  다운로드 장바구니
• 

  전도성고분자(한글)

  이 dopant 이온은 전자이동 반응 중에 형성된다. 대부분의 dopant는 일가 이온들이며 이들의 크기나 안정성이 매우 중요하다. ... X-선 회절분석에 의하여 얻은 이들 두 dopant 분자 층 사이의 거리로부터 PA 사슬의 밀접적층평면이 두 dopant 분자층 사이를 분리시키고 있음을 알 수 있다. ... I3- dopant가 PA 사슬의 밀집 적층 평명과 분리되어 있는 음이온으로 구성되어 있다.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.11

  다운로드 장바구니
• 

  아주대학교 통합설계프로젝트1 OLED 최종보고서

  composition of hole and electron-transport materials varies continuously within the emissive layer with a dopant

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.25

  다운로드 장바구니
• 

  반도체

  경우 : 2B 2 O 3 + 3Si → 3SiO 2 + 4B P 도핑의 경우 : 2P 2 O 5 + 5Si → 5SiO 2 + 4P Si Substrate SiO 2 SiO 2 Dopant ... OxidationU sed of Oxide Film Device Protection and Isolation Surface Passivation Gate Oxide Dielectric Dopant

  리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.10.04

  다운로드 장바구니
• 

  Ideal 반도체 설계

  Doping 농도의 계산 과정 (Dopant 는 상온에서 completely ionize된다고 가정)1) P-Type우리는 위에서 P-Type 도핑의 금속에서 Ni을 선택했다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.03

  다운로드 장바구니
• 

  전도성고분자

  .- 크기가 큰 유기산(DBSA, CSA)등을 dopant로 사용시 분자간 인력이 줄어들어 전기 전도도는 그대로 유지. ... 고분자물질의 구조와dopant의 농도에 따라서 전기전도도는 10-7-~10 5Scm-1정도의 범위를 갖는다- 대부분의 유기고분자는 전기적으로 부도체이고, 많은 금속들은 양도체 이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.23

  다운로드 장바구니
• 

  OLED의 개요, 핵심기술, 기술개발 동향, 개선점 및 관련특허분석, 시장분석

  .■ 저분자 발광 소재신소재의 개발과 더불어 발광소재의 경우 형광소재의 고순도화, host-dopant system의 개발, 유기박막간의 계면제어 등을 통하여 형광소재의 효율과 수명은 ... 부족) - 소니의 13인치 제품에 사용된 청색발광재 료, 색순도 및 효율의 장기적 열안정성에 문제- 적색발광재료(효율적인 부분에서 단점) - 발광효율을 증가시키기 위하여 host/dopant

  리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.26

  다운로드 장바구니
• 

  반도체제조공정 및 개요

  CZ 법에서는 고주파나 저항 가열체로 터 가열되는 석영이나 흑연 도가니 속에 다결정 실리콘 덩어리와 도펀 ( Dopant ) 를 넣고 가열하면 액체로 녹는다 .

  리포트 | 31페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

  다운로드 장바구니