"Dopant" 검색결과 121-140 / 353건

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  전도성고분자)

  다른 요인들은 그대로 두고 dopant로 사용한 Iodine의 양만 다르게 하여 실험하였다. ... 그렇기 때문에 이러한 낮은 용해도를 해결하기 위해서 dopant를 사용하는 것이고, 이를 통해 용해도와 전기전도도, 결정성, 흡광도 등 우수한 성질이 나타나게 된다.이번 실험에서는 ... 이번 실험에서 사용된 산화제는 Iron(Ⅲ) Chloride이고 이것으로 인해 산화되어 양이온을 이루게 되고, 이것과 dopant인 Iodine이 복합체를 형성함으로써 PPy를 안정시킨다

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.10

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  LCD와 OLED의 공통점, 차이점 분석

  Emission material은 순수 유기물로 구성된 Fluorescence dopant와 유기물에 Ir, Pt와 같은 전이 금속이 포함된 Phosphorescence dopant로

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.18

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  Si wafer의 Oxidation

  .· Doping barrier-오직 open window로만 doping이 가능하게 하면서 dopant가 Si로 침투하는 것을 막는다. ... 성장속도가 증가한다.③Wafer Type(결정방향의 영향)-조밀 층진면일수록 성장 속도가 빠르다.④Dopant Effects(도핑 효과)-Si 기판에 doping 된 3족과 4족의 dopant

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  반도체공정실험 예비보고서(Wafer Cleaning & Oxidation)

  실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐만 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 insulator(절연체)로 전류와 dopant(도핑물질)의 이동을 막는데

  리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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  conductive polymer

  사용시 분자간 인력이 줄어들어 전기 전도도는 그대로 유지, 고분자물질의 구조와 Dopant의 농도에 따라서 전기전도도는 약s/cm정도의 범위를 가진다.Conductive Polymer는 ... 불용성이어서 가공이 어렵고 열이 나 주위의 환경이 불안정하며 대부분 Conductive Polymer 개질 후 전기 전도도가 떨어지는 단점이 있다.크기가 큰 유기산(DBSA, CSA)등을 Dopant로

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.20

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  Semiconductor Manufacturing Process

  Also, it means activation to make dopant ion connect to Si well via heating process. ... Then, m dopant into semiconductor.Thermal process which is used very often in LC process is diffusion

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.05

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  신소재 기초 실험 (산화 공정)

  실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체 (insulater)로 전류와 도핑 물질(dopant)의 이동을 막는데 ... 산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을 막을 수 있다.표면 보호 첫 번째로 표면 보호는 실리콘의 비저함과 전도도는 0.001%의 dopant 로도

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.29

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  MO-CVD 설명

  (C2H5)2TeDETe (n-dopant)기체, 가연성SiH4과 유사하지만 열분해 온도 더 낮음. ... )CCl4와 동일CCl4와 동일CBr4Carbontetrabromide (p-dopant)액상, LED 생산품에서 사용됨. ... SiH4 보다 고른 dopingSi2H6Disilane (n-dopant)화학적인 특징을 저감시키는 오존으로부터 법적 규제 받음.액상, 날카로운 경계면에 사용 C는 GaAs에서 약

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.17 | 수정일 2018.09.28

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  폴리바이닐카바졸계 OLED 소자

  아래의 그림은 대표적으로 알려진 각 색상의 host와 dopant를 정리한 것이다. ... Dopant에 요구되는 특성으로는 EL 효율이 매우 높아야 하기 때문에 기본적으로 photoluminescence가 높아야 한다. ... 에너지 측면에서도 host의 LUMO 레벨이 dopant의 LUMO보다 높아야 한다. 또한 필름의 특성도 결정성이 없고 균일해야 한다.

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.11

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  T_CAD NMOS_구조 설계

  .# Implant를 공정을 이용해 N-type dopant를 주입한다. ... 도핑되어 전극으로 쓰기에 충분한 Counductivity를 만든다.implant phosphor dose=1e15 energy=50 tilt=0 rot=0#Drive-in - 주입된 dopant를

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.05 | 수정일 2018.06.21

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  반도체 제조공정

  이 과정에서 필요에 따라 dopant도 함께 들어가게 된다.dopant가 어떤 물질이냐에 따라서 만들어질 wafer의 type이 정해지는데, P-type에는 3족 원소인 B(boron

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.16

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  [신소재]네마틱의 특징

  VPE법은 소자 제작에 있어 유용성이 매우 큰데, 예를 들어 원하는 불순물(dopant) 농도를 갖는 에피층을 연속적으로 여러 층 성장시킬 수 있어 서로 다른 불순물 농도를 갖는 다중

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.28

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  반도체공학-MOS diode설계 최종보고서

  Doping 농도의 계산 과정(Dopant는 상온에서 completely ionize된다고 가정)5.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.22

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  반도체재료공학 정리

  순수한 반도체인 진성반도체에 특정(3족or5족) Dopant (불순물=Impurity)를 첨가(도핑)하여 전자, 정공을 조절해 원하는 특성을 얻는 반도체이다.3) 외인성반도체에서 동결이란

  시험자료 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.07.02 | 수정일 2019.06.07

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  전도성 고분자 중 종류

  이 저항을 줄이기 위하여 dopant를 사용하기도 하였는데, 그 효과는 미미했다폴리피롤은 분자 자체가 폴리아세틸렌보다도 산화에 강하고, 도핑이

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.03

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  BaTiO3의 소결 실제와 밀도측정, SEM을 통한 미세구조 관찰

  Ball milling을 할 때에는 에탄올과 지르코니아 볼을 넣어서 각 과정에서 dopant들과 잘 섞이게 해 준다.③ dopant들을 건조시킨 후 분쇄해준다.④ 분쇄한 분말을 1g씩 ... 구하는데 있어서 오차를 줄이기 위하여 각 dopant별로 4개의 Sample의 평균값을 낸다.Sample현수무게(g)포수무게(g)건조무게(g)100mol% BaTiO30.82481.00240.991998mol ... Data & Result4.1 dopant의 밀도 유도 과정= 건조 무게 (일반적인 건조 상태에서의 질량)= 포수 무게 (끊는 물 속에서 표면 기공에 물을 채워 넣었을 때의 질량)36160.80410.97380.9735밀도를

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26

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  Shell의 변화에 따른 CdSe Quantum dot 의 optical property 연구

  revolution in lighting technology through nanoscience• a type of extrinsic semiconductor where the dopant

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.31

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  투명전극의 광학적 전기적 특성

  전체 carrier의 농도가 크게 나타나지만 3 atomic% 이상 도핑할 경우 dopant의 농도가 carrier의 농도보다 크게 나타나는 현상을 보인다. ... 표면저항 변화를 관찰한 결과 ITO이 전기적 특성은 내부 oxygen vacancy에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.30

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  DCJTB를 주입한 Alq3의 두께에 따른 백색 유기발광소자의 변화

  그러나 적색발광재료를 dopant로 하고, 고효율 구현을 가능하게 하는 host 시스템을 개발함으로서 풀컬러 구현이 가능하게 되었다. ... DCJTB는 일반적으로 Alq3를 host로 채택하고 있는데, 이러한 host-dopant 구조에서도 역시 트래핑 현상으로 인해 낮은 효율 및 색순도의 한계를 보여 주었다. ... 일반적으로 host 재료나 dopant 재료만으로도 빛을 낼 수는 있으나, 효율 및 휘도가 매우 낮고 각각의 분자들끼리 근접하게 되면서 각 분자의 고유한 특성이 아니 엑시머 특성이

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.14

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  Mn2+을 이용한 Zn2SiO4 형광체 제조

  실험 목적 ① 고상반응에 의한 재료의 합성 및 dopant 를 첨가한 합성물질의 특성 변화를 관찰 ② 분석방법 및 기구 (XRD, PL) 에 대한 이해 , 공정에 필요한 장비들의 사용방법을

  리포트 | 42페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.06.16

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