"sputtering 종류" 검색결과 101-120 / 444건

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  진공증착 (Sputtering)_re

  이것들은 sputtering에 적정시간이나 적정전류가 존재한다기 보다는, sputtering 전후 질량측정시의 오차가 발생했다는 것을 보여준다. ... 전 glass plate 질량(g)sputtering 후 험이었다. sputtering될 물질의 target과 wafer가 있는 진공에 가까운 반응실에 이온화된 아르론이 주입되며, ... 이 번 실험에서는 wafer에 금속 박막, 절연체를 증착하는 물리적 증착방법인 sputtering을 이용해 glass plate에 금속박막을 증착시켜 보았다.

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  반도체 클리닝 공정 (반도체 클리닝 공정에 대한 조사 레포트)

  또한, 건식세정은 물리적 상호작용에 있어 운동량(momentum) 전이로서 수행된다.Cl기반의 화학제나 Ar sputtering, H2-prebake같은 건식 세정은 30여년 동안 ... Micro 표면 거침의 정도 조절- 오염의 종류1. 통상 Particle로 불리는 미립자Carbon 계열의 유기물2. 무기물에 의한 이온성, 금속성 오염3. ... 산화물4.- 땀에 의한 Na+ 오염- 피부 박리 / 화장품 등에 의한 유기 오염- 움직임 / 대화 등에 의한 Particle 오염- 장비 발진- Plasma 등에 의한 Energy source로

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.06.12 | 수정일 2017.01.09

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  sputtering결과보고서

  sputtering작업 전 모든 준비를 마치고 TiO2 23분, Pd (15초, 30초, 1분, 3분), 다시 TiO2 23분씩 sputtering을 하였다. ... 고진공이나 초고진공에서 sputtering작업을 하는 것이 이물질을 더 없애서 좋은 결과를 얻을 수 있으나 plasma를 형성하는 Ar가스도 그 양이 작아지게 되므로 sputtering시간은 ... RIST. 2007.」에서 발췌한 내용으로 다이아몬드위에 Si층을 sputtering하는 작업이 포함된 실험이었다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  화학분석기사 기기분석 정리 자료기기

  검출 한계 굿단: 재현성 부족, 분석시간이 느림,글로우 방전 원자화아르곤 이온의 튕김(sputtering)에 의해 시료의 원자 생성수소화물 생성 원자화수소화물의 원자화는 단지 석영관을 ... 함레이저 증발레이저 빛살을 집중시켜 충분한 에너지를 고체시료의 표면에 쪼여줌글로우 방전법전압을 걸어주면, 아르곤 기체는 아르곤 양이온과 전자로 분해아르곤 이온에 의해 시료 원자가 튕김(sputtering ... 굽힘진동은 두 결합 사이의 각도가 변화되는 것이다.(4종류)선택법칙(selection rule)에너지 준위 1에서 2, 2에서 3으로의 전이에너지는 0에서 1로의 전이에너지와 같다.

  시험자료 | 12페이지 | 1,500원 (40%↓) 900원 | 등록일 2013.10.16

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  면저항 측정기(4-point probe)의 이해와 방진복 체험

  -sputtering-스퍼터링(Sputtering)은 진공상태의 용기 안에 헬륨 등 불활성기체를 채워 코팅재료(타깃)에 고전압을 걸어 방전시키면 이온화된 불활성기체가 코팅재료에 충돌하게 ... Result and Discussion (결과 및 고찰)wafer종류에 따른 면저항측정 수치(표)1st2nd3rd4th5thaveSi121.57270139.90087119.53971128.67875129.16200127.771Sio2 ... *************09161Pt0.799250.791040.861010.788540.870120.821992wafer종류에 따른 면저항측정 수치(그래프)-고찰-이번실험은 각종의

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16

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  CIS,CIGS

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.그림3 RF sputtering ... 이러한 교류전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputtering)법이라 한다. ... system마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)이란 발생된 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해 기판에 형성시키는 방법이다.

  리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  반도체 클리닝 공정에 대한 레포트

  또한, 건식세정은 물리적 상호작용에 있어 운동량(momentum) 전이로서 수행된다.Cl기반의 화학제나 Ar sputtering, H2-prebake같은 건식 세정은 30여년 동안 ... Micro 표면 거침의 정도 조절- 오염의 종류1. 통상 Particle로 불리는 미립자Carbon 계열의 유기물2. 무기물에 의한 이온성, 금속성 오염3. ... 산화물4.- 땀에 의한 Na+ 오염- 피부 박리 / 화장품 등에 의한 유기 오염- 움직임 / 대화 등에 의한 Particle 오염- 장비 발진- Plasma 등에 의한 Energy source로

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.05.30

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  주사전자현미경(Scanning Electron Microscope)에 관한 레포트 입니다.

  따라서, 세라믹이나 고분자 등의 부도체시료는 탄소막의 진공증착이나 금-팔라듐을 스퍼터링(sputtering)하여 전도성 코팅을 하여야 한다. ... 전자선이 조사될 때 후방 산란 전자(back scattered electron), 2차 전자(secondary electron), X선, 음극 형광 등이 발생된다. ... 위의 단계들은 전자현미경의 종류에 관계없이 모두 발생하는데, 세부적인 구조 및 기능은 사항은 제조업체에 따라 약간의 차이가 있다.

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.04.27 | 수정일 2016.07.09

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  각종증착장비에대하여...

  구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.? 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.? ... Bias SputteringBias sputtering은 sputter 하기 전 기판에 (-) bias를 걸어주어 기판을 sputter하는 sputter etch와 sputtering하는 ... sputtering을 이용한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  [고분자재료실험] 7. PLED소자제작 및 평가 - 예비

  증발원으로는 텅스텐 boat를 이용한 저저항 가열방식, electron beam 증발원, sputter 증발원 등이 주로 사용되고 있다.Glass cap 과 Glass cap을 이용한 ... PATh의 공액 길이와 에너지 갭을 조절하는 세가지 전략은 다음과 같다.먼저 치환기의 종류를 바꿈으로서 주쇄에 지속적으로 steric torsion을 가해 공액 길이를 바꾸는 방법이 ... group을 가진 다양한 단량체를 사용하여 가시광선 전영역에서 발광하는 다양한 종류의 cyano-PPV 고분자를 합성할 수 있다.

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.26

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  반도체공학-MOS diode설계 최종보고서

  Metal deposition (sputter)5. ... Metal 종류의 선택과 선택 이유4. Doping 농도의 계산 과정(Dopant는 상온에서 completely ionize된다고 가정)5. ... .- Metal-SiO2-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode 를 제작하고자 할 때, n-Si 과 p-Si 각각의 기판에 대하여 metal 의 종류를 선택하고, ideal

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.22

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  ITO(식각)

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(Ion Beam Etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... Cr pattern 위에 조사된 빛은 반사되어 PR을 감광시키지 못하며 Cr이 없는 부분은 투과하여 PR을 감광시킴으로서 coating된 PR에 미세회로 형상을 전사시킨다.PR의 종류에 ... 대부분은 KOH 수용액과 같은 염기 수용액을 사용하지만 SU series와 같은 negative PR은 아세톤이나 특정 solvent를 사용한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.09

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  36XPS

  , 각도 분해법 으로 비 파괴, 깊이 방향 분석 가능단점 분석 면적은 수십 ㎛ 이상(AES는 수십 ㎚) 분석영역이 크기 때문에 ion sputtering 병용에 의해 깊이 방향 분석시의 ... 단점장점 표면전하 변화의 영향이 AES보다 적으므로 절연체 시료 분석이 용이 X선 조사에 의한 시료 손상은 전자선 조사에 비해 경미하고, 화학상태분석, 정량 분석이 용이 Ion sputtering ... X선 발생기와 전자 에너지 분광계는 초고진공 계에서 작동하며 따라서 분석하고자 하는 시료도 초고진공 계에서 안정한 것이어야 한다.화학적 이동XPS에서의 화학적 이동은 같은 종류의 원자들이라도

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  ITO Glass

  구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.? 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.? ... 기판이 과열되기 쉽다.2) RF Sputtering : DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체,

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.17

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  표면분석장비(SEM,TEM,XPS,AES,RBS,EPMA,SIMS)의 원리와 분석방법, 특징

  진공 chamber 내에 sputtering 되는 중성원자나 분자의 post-ionization을 위한 laser가 부착되기도 함★ 일차이온발생장치(primary ion source ... Hemispherical Analyzer, 동심반구형분석기)사용CMA(Cylindrical mirror analyzer, 동심원통형분석기)에 비해 분해능 좋음.★ 절연체 분석이 용이하며, Ion sputtering으로 ... ) primary column 통과 후 시료에 입사 시료로부터 2차이온 생성 에너지차 및 질량차 등을 이용한 detector★ SIMS의 종류1.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.28

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  3D패키징 실험

  하지만 이것을 sputter해서 올리는 것은 시간이 너무 오래 걸리므로 나머지는 전해도금을 통하여 올린다. cu를 200nm sputter한 이유는 도금이 잘 되게 하기 위해서다. ... 전기적 특성 측정◎2주차(9월 29일)1.목표Cu-Ti로 sputtering한 wafer에 Photo lithography의 일부인 PR-coating->노출(Exposing)-> ... 시편준비과정①4인치 Si wafer위에1층:Ti(20nm)/2층:Cu(200nm) ㅡ> sputtering으로 증착②Lithography 공정③Cleaning④Cu와 Sn 도금 (전기도금

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.08

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  전원을 인가한다.⑥. shutter를 열어 박막을 제조한다.- 종류1) 직류 다이오드 스파터링(DC diode sputtering)진공으로 된 유리관에 양극과 음극의 두 전극을 넣고 ... 따라서 sputtering시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자가 된다.- 사용 방법?. 기판을 Cleanning 한다. 기판은 주로 유리를 사용한다. ... 진공 분위기로 만드는 방법은 먼저 rotary pump를 통해서Torr정도로 진공을 만든 후 turbo pump를 작동시켜 chamber가Torr로 진공 상태가 되게 한다.③. sputtering

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  반도체공정 레포트 최종

  target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.⑤ 박막의 균일도가 크다.반면에 4가지 ... 쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.스퍼터링 방법의 장점은 다음과 같다.① 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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  RF-magnetron sputtering 기법을 이용한 박막형 강유전체의 특성평가

  measuring instrument● Sputtering의 종류① DC sputtering : 직류전지에서 플라즈마를 이용하여 Sputtering을 하는 방법으로 주로 금속 target을 ... 박막을 입히는 방법이다.④ magnatron sputtering : 자기장을 이용하여 플라즈마 속에서 sputtering 하는 방법으로 이 방법은 효율이 매우 높다.○ RF sputtering① ... 이용하여 substrate에 박막을 입히는 것이다.② RF sputtering : 교류전지에서 플라즈마를 이용하여 Sputtering을 하는 방법으로 금속 target뿐만 아니라

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.25

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  E-Beam Sputtering

  DC Sputtering☞장 점- 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.- 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.- 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 ... 종류별 Sputtering의 장.단점? ... 등의 절연체의 경우에도 성막속도가 크다.- 유전체 재료의 sputter 또는 reactive sputter가 가능- 주어진 input power에서 성막속도가 일정☞단 점- 자기장이

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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