"MOCVD" 검색결과 221-240 / 322건

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  고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

  LED를 개발은 매우 활발하게 진행 되고 있다.에피탁시 성장은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), MBE(Moleculal Beam Epitaxy), MOCVD ... 반도체 발광 소자를 제조하는 핵심기술로 액상성장법(LPE;Liquid Phase Epitaxy), 기상성장법(VPE;Vapor Phase Epitaxy), 유기금속화학 기상증착법(MOCVD

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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  LED에 관한 보고서

  Sapphire와 SiC 기판에서 성장하여 제작되나, 광효율 향상 및 고출력화에 따른 방열 특성확보를 위해 새로운 기판 상 성장하는 방법 개발 중 에피 웨이퍼 제조 - 기초 소재인 기판 위에 MOCVD

  리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.04.04

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  [반도체공학]Mass Flow Controller

  MFC (Mass Flow Controller)MFC란?1) Mass Flow Controllers의 약자, 즉 질량 유량계를 뜻한다. 2) 0~5V라는 신호를 주고 받으면서 원하는 일정량을 흘려주는데, option으로 4~20mA의 신호로도 가능하다. 3) 반도체공정..

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.03

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  차세대 메모리

  그러나 DRAM 수준의 집적도와 양산성을 이루기 위해서는 MOCVD를 이용하여 PZT를 제조해야 할 것으로 예상된다.PRAM (Phase change RAM)PRAM은 CD-RAM)

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  양자역학의 역사와 슈레딩거방적식 유도, 반도체소자 적용

  GaN기판위에 MOCVD법으로 n형층, 활성층, p형층의 다층구조 발광 층을 epitaxial growth 시켜서,청색LED를 제작할 수 있다.2.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.02

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  LED 조명

  성장하여 제작되나 광효율 향상 및 고출력화에 따른 방열 특성 확보를 위해 새로운 기판 상 성장하는 방법이 활발하게 개발 중이다.2) 에피(Epi) 웨이퍼 제조기초 소재인 기판위에 MOCVD

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.21

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  LED의 구조,특징,제조과정 및 2010년 현황

  -에피웨이퍼 제조기판위에 MOCVD 장비 이용 화합물 반도체를 성장시켜 에피 웨이퍼를 제조하는 단계로, 현재 HVPE 등 여러 가지 방법을 통하여 반도체를 성장시키는 기술이 있고 보다

  리포트 | 7페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.12.05 | 수정일 2020.08.11

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  건식도금

  MOCVD(또는 OM CVD), HVD등 원료명을 붙인 CVD법의 명명도 이러한 사정을 반영하고 있다.3 온도(기상, 기재, 로벽, 노즐)기상온도, 기재온도는 성막속도나 입자생성속도에 ... H2SiH2Cl2, H2SiHCl3, H2SiCl4, H2다결정 Si열 CVDSiH4, H2비정질 SiPlasma CVDSiH4SiH4, CH4화합물반도체(GaAs, GaAlAs,InP)MOCVD

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.13

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  산화아연의 전망

  또한 MOCVD, MBE등의 에피성장 기술이 발달하면서 이를 ZnO 박막 성장에 이용하여 양질의 ZnO 박막 성장이 가능해짐에 따라23,24) ZnO의 광소자로서의 응용 가능성은 더욱

  리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.29

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  Thin film Deposition(박막 제조) - 대본

  스케일의 두께로 증착이 가능한: Hot wire CVD (HWCVD) - hot filament를 이용: Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  [금속공학]건식증착법

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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  Bioelectrochemistry

  과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD(화학증착), MOCVD

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.21

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  태양전지 설계

  Sublimation, CSS), 진 공증착법, 전착법, screen printing, spray pyrolysis, metallorganic chemical vapor deposition(MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.17

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  반도체의 역사

  개발됨.이질접합은 서로다른 밴드갭 에너지를 가지는 2종류의 화합물반도체를 원자적으로 급격한 계면을 가지도록 한층한층 쌓은 구조로서, 보통 MBE (Molecular Beam Epitaxy)나 MOCVD

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.08

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  LED 기술 동향 및 시장 전망

  반도체 결정 성장 기술은 반도체 발광 소자를 제조하는 핵심기술로 액상성장법(LPE), 기상성장법(VPE), 유기금속화학 기상증착법(MOCVD), 분자빔 성장법(MBE)등이 사용되고 ... 반도체 발광 소자를 제조하는 핵심기술로 액상성장법(LPE;Liquid Phase Epitaxy), 기상성장법(VPE;Vapor Phase Epitaxy), 유기금속화학 기상증착법(MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.11.07

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  수직 공진형 표면 광 레이저(VCSEL)

  이런 구조는 대부분의 경우 MBE(molecular beam epitaxy)나 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)공법으로 단결정의 형태로

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.28

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  HEMT (High Electron Mobility Transistor)

  이들 디바이스의 형성에는 원칙적으로 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방식이 이용되며 그 정도는 아니지만 금속 유기기상화학증착(MOCVD) 방식이 이용되기도 한다.HEMT

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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  LED의 특성 및 종류

  LED의 특성2.1 LED의 기본 구조고휘도 LED는 질화물 반도체와 P계열의 반도체(Al,Ga,In)를 이용하여 액상 증착이나 MOCVD,혹은 진공중에서 반도체를 성장시키는 진공증착법으로

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.26 | 수정일 2018.04.26

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  PVD와 CVD

  coverage 적용 Low temp oxide (metal) Passivation -0.1~5.0torr, 200~500 ℃에서 동작Plasma Deposition etching.MOCVD

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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  LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

  0.30.150.140.36-0.720.7-1.050.78Ga0.65Al0.35As(DH)(DH)GaAsGaAlAsLPELPE빨강빨강6606602-45-90.84-1.602.0-3.6GaN사파이어MOCVD파랑초록4705203

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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