"gan mocvd" 검색결과 21-40 / 105건

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  MOCVD 이해

  사파이어기판 위에 직접 GaN를 성장하는 경우에는 T* 가 약 1000℃를 가까이 되지만, AlN나 GaN 저온 완충층을 사용하여 GaN 박막을 성장하는 경우에는 이온도가 600 ℃ ... 이러한 이유는 GaN 박막성장 시에 AlN나 GaN 저온 완충층이 GaN와 기판인 T ( {delta } over {D} + {1} over {K _{D}} RIGHT )}로 표시 ... 아울러 기본적인 GaN 성장은 다음과 같은 식으로 나타낼 수 있다.Ga(CH _{3} ) _{3(g)} +NH _{3(g)} -> GaN _{(s)} +3CH _{4(g)}Ⅴ족 수소화물

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.27

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  패턴된 GaN 에피층 위에 ZnO 막대의 수직성장

  한국재료학회 최승규, 이성학, 장재민, 김정아, 정우광

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  PSS 상 버퍼층 종류에 따른 GaN 박막 성장 특성 비교

  한국재료학회 이창민, 강병훈, 김대식, 변동진

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정

  Process MOCVD : Metal Organic Chemical Deposition MO source : 금속 유기 화합물 이용 가열된 기판 표면 + 금속 유기 화합물 증기 ... ⇒ 원하는 박막 성장EPI 성장기술 TF-MOCVD Equipment N 2 : 10 L/min H 2 : 10 L/minEPI 성장기술 LAYER Main flow Subflow ... LED 발광원리INTRODUCTIONINTRODUCTION 조명의 세계시장 전망INTRODUCTION 백색 LED 구현방법EPI 성장기술 Epitaxy 공정 원리EPI 성장기술 MOCVD

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt

  growth coalescence 2D-growth Sapphire Un- GaN N- GaN InGaN N- GaN Un- GaN -barrier InGaN -well GaN GaN ... -barrier P+AlGaN P- GaN P++ GaN Substrate(sapphire) GaN buffer N – GaN (Si-doped GaN ) MQW (Multiple ... Quantum Well) P – GaN (Mg-doped GaN )Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Pakaging GaN Structure

  리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  3. Thermal evaporation 결과

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 박막의 전기 전도에 큰 영향을 미치게 된다.2.2 박막 증착 기술2.2.1 화학적 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.22

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  박막증착 장비의 종류 및 원리와 GaN LED의 이해

  (예비 리포트 조사항목 중에 하나인 질화갈륨 발광다이오드(GaN LED) 역시 MOCVD를 이용하여 제작된다.) ... .- GaN LED가 무엇이며 용도가 어떠한지 이해한다. ... 계기를 마련하였고 1991년에는 동연구인에 의해 1991년에 p-n 접합식의 GaN LED를 발표되었다. 1994년에는 니치아 화학공업주식회사의 나카무라 슈지가 저온 성장된 GaN

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.30

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  [실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정

  이 원료물질들이 기판의 표면에서 화학반응을 일으킨다.대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 ... 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... .● CVDCVD는 화학적 증착법으로 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05

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  LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석

  GaN -barrier P+AlGaN P- GaN P++ GaN Substrate(sapphire) GaN buffer N – GaN (Si-doped GaN ) MQW (Multiple ... Quantum Well) P – GaN (Mg-doped GaN )Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Pakaging GaN Structure ... Reactor Showerhead HeaterⅣ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Pakaging MOCVD Operating susceptor

  리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24

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  26MOCVD_발표

  MOCVD란게 뭘까? MOCVD의 Growth System - GaAs 성장법 - GaN 성장법 MOCVD의 장점과 단점 MOCVD의 응용분야MOCVD 란? ... GaN의 경우: 증착 시 독소물질이 사용되지 않아 환경친화적.화학적으로 공기를 세정하는 방법을 사용하여 따로 제거.MOCVD가 질화물 반도체 증착에 많이 쓰이는 이유! ... 이용한 GaN의 성장 반응 Ga(CH3)3(v) + NH3 --- GaN(s) + 3CH4(V) v = 기체상태, s = 고체상태GaN성장반도체 실험실~!

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현

  이러한 넓은 에너지 밴드갭 특성 이외에도, ZnO는 GaN나 ZnSe가 가지는 exciton 결합에너지 보다 높은 에너지를 가지고 있어서 상온에서 exciton이 발광을 위한 재결합이 ... 물리적 공정 순서전체적인 MOCVD 공정을 물리적으로 다음과 같이 요약할 수 있다.그림 3 MOCVD의 물리적 공정 순서2.2 MOCVD 공정의 작동 원리그림 4 MOCVD의 성장 ... 2.1 전체적인 MOCVD 공정 표현2.1.1 MOCVD의 Growth step그림 1 growth steps in MOCVDa. reactant(precursors)가 gas형태로

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.08.14

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  Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어 보내고 한 쪽에서는 암모니아(NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... .• PECVD, MOCVD, HVPE등이 포함.◈ 증착 방법 사용 구별법: 증착하고자 하는 물질이 화학적 반응이 잇는지 없는지에 중점을 두고 구분하면 됨.◈ 사용 용도 및 단점•

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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  아주대 기계설계 분야별 실험3

  와 활성층(InGaN), P형 반도체(P-GaN)가 MOCVD로 차례로 증착 된다. ... 에피 웨이퍼 제조 공정을 청색 LED를 예를 들어 설명하면, 청색을 내는 반도체 재료로는 GaN가 있으며, Sapphire (Al2O3)나 SiC 기판 상에 N형 반도체(N-GaN) ... 에피 웨이퍼 제조: 기초 소재인 기판위에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 유기 금속 화학 증착법) 장비를 이용하여 화합물 반도체를

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.07.22

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  GaN의 식각

  이 원료물질들이 기판의 표면에서 화학반응을 일으킨다.대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 ... 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로질의 조성과 같다.PVD는 증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공을 요구한다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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  증착결과 보고서

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.06

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  LED 제조공정 및 개요

  (N- GaN ) 와 활성층 ( InGaN ), P 형 반도체 (P- GaN ) 가 MOCVD 로 차례로 증착 된다 . ... 에피성장 / 에피웨이퍼 ( Epi Waper ) 기초 소재인 기판위에 MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition , 유기 금속 화학 증착법 ) ... 에피 웨이퍼 제조 공정을 청색 LED 를 예를 들어 설명하면 , 청색을 내는 반도체 재료로는 GaN 가 있으며 , Sapphire (Al2O3) 나 SiC 기판 상에 N 형 반도체

  리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  ZnO 기판 기술현황 및 문제점

  SiO2 기판상에서 각각 ZnO 에피층 성장ZnO 기판 기술적 문제점고품위의 ZnO 계열 에피층 성장기술p형 ZnO 제조 기술MBE, PEMBE, LMBE, PLD, 스퍼터링, MOCVD ... ZnO에피층을 성장시킴Rutgers대 (미국)SiO2/Si 기판상에 c축으로 배양된 ZnO 에피층 성장Cermet (미국)ZnO 기판상에 p-type ZnO homoepitaxyPE-MOCVD동북대 ... 현재 국내 학계에서의 연구가 활발하므로 기술 고지의 선점 가능성이 충분함.GaN와 격자상수 차이가 비슷하고, 전기 전도성이 좋으며, Rohm 등 일본업계 중심으로 개발 중. 2010년

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.30

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  사파이어 웨이퍼

  사파이어 단결정에 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 증착하는 장비인 MOCVD는 4인치 기판을 양산하기에 적합하도록 되어있다. ... 4인치 사파이어 기판 공급증가시 LED 가격하락웨이퍼 크기가 2인치에서 4인치로 확대되면서 20%의 가격하락과 함께 LED 적용 속도가 빨라질 전망이다.단결정 성장된 사파이어는 MOCVD에서 ... 이에 비하여 ZnO는 GaN와 매우 작은 격자 부정합도(-1.92%)를 나타내므로 GaN의 성장시 사용될 수 있으나 CVD를 이용한 GaN의 성장시 요구되는 1000℃ 이상의 고온에서

  리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  deposition 방법

  .); 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 가능 (but PVD보다 훨씬 고온 환경 요구); 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 ... 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어 보내고 한 쪽에서는 암모니아(NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  PVD

  Evaporation Sol-Gel Plating CVD Sputtering Electro plating Electroless -plating CVD APCVD LPCVD PECVD MOCVD ... (CH 3 )n ∙ NH 3 550 ℃ Low pressure CH3 H Ga N H2 CH4 GaN Ga (CH 3 )n ∙ NH 3 = GaN + n(CH 4 ) + ½(3 – ... n) 1050 ℃ Low pressure GaN chemical reaction2p 성장가능 기판의 균일성이 좋다 RHEED 로 성장상태를 알수있다 매우 높은 고순도 고품질의 결성을

  리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

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