"gan mocvd" 검색결과 81-100 / 105건

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  LED(Light Emitting Diode)와 발광 원리

  LED의 기본 구조고휘도 LED는 질화물 반도체와 P계열의 반도체(Al,Ga,In)를 이용하여 액상 증착이나 MOCVD,혹은 진공중에서 반도체를 성장시키는 진공증착법으로 제조 되는 ... [그림 6] 백색 LED를 구현하기 위한 제작 방법현재 전 세계적으로 활발하게 진행되고 있는 GaN 백색 LED의 제작 방법으로는 크게 네가지로 나눌 수가 있다. ... 성장 기술과 QD(양자점)형성 및 도핑 기술(GaN),chipdesign및 package기술로서 양자 효율 증대와 내열 설계 기술 등의 기술이 진보되어 powerLED의 공급전류가

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.16

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  LED 조명

  LED 조명의 원리LED(Light-Emitting Diode)는 p-n 접합 다이오드의 일종으로 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광이 방출되는 현상인 전기발광효과를 이용한반도체소자(GaN ... 성장하여 제작되나 광효율 향상 및 고출력화에 따른 방열 특성 확보를 위해 새로운 기판 상 성장하는 방법이 활발하게 개발 중이다.2) 에피(Epi) 웨이퍼 제조기초 소재인 기판위에 MOCVD

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.21

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  [mocvd]mocvd(영문 파워포인트)

  MOCVD화학공학과 이성욱MOCVD is one kind of chemical CVD method. ... Manijeh Razeghi http://www.aixtron.com/ http://221.163.10.3/kor/ http://matlb.kjist.ac.kr/%7Emaster/gan ... substance.The representative company of MOCVDAIXTRON JUSUNG ENGINEERING LTD SYSNEX APEXReferencesThe MOCVD

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.08

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  [금속공학]건식증착법

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 되지요. ... 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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  LED(Light Emitting Diodes)

  단결정 성장장치GaP단결정 성장에 이용GaAs단결정 성장에 이용결정 성장법에피택셜 성장 방법슬라이드식 LPE법회전식 LPE법LPE(용융액 성장)VPE(기상성장)MBE(분자선성장)MOCVD ... P-N접합면의 에너지대 구조와 전위 장벽직접 천이형에너지전도띠가전자띠빛-전자와 정공의 결합시 발생하는 에너지 주로 빛 -발광효율이 높음 -GaAs,GaAlAs,InGaAsP,GaN등간접 ... 위한 Eg는 최소 1.6eV 이상이어야 함( 발광 파장에 따른 종류 )기존 SiC, ZnSe, ZnS 등이 사용됨. 1994년 일본 니치아 화학의 나카무라 슈지 발광효율이 뛰어난 GaN계

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  LED

  LED의 소자의 제작 공정MOCVD 방법으로 성장된 wafer를 이용한 실제 LED 소자를 구현하는 소자 제작 공정은 다음과 같다.가장 먼저, photolithography 법을 이용하여 ... 측면 전류 주입 방식으로 제작되는 LED 구조의 두 전극 중 n형 전극을 형성시키기 위해 dry 에칭 방법을 사용하여 소자 구조중 가장 위쪽에 있는 p형 GaN에서부터 n-GaN층의 ... 에칭 공정이 끝난 후 p형 GaN 박막의 Mg acceptor를 전기적으로 활성화시키기 위해 850℃에서 열처리를 실시한다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.09

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  ZnO 나노와이어 제작 및 바이오센서 활용

  bandThermo-coupleDBTDAThermistorfurnace의 heating과 inert gas flow를 이용하여 합성 기체+액체 간의 화학반응 으로 물질을 합성함과 동 시에 나노선 제조 ex) 2Ga + 2NH3 → 2GaN ... ℃temperature10~ 50 mintime-15 ~-20 ℃thermostat Temp.20~ 50 sccmAr flow rate10~50 sccmO2 flow rate[ MOCVD ... sccm O2 : 30 sccmSi 기판위에 ZnO 나노Island 형성 → ZnO 나노Island를 seed로 하여 나노선 성장 → 유량, 온도, 압력 제어 → 수직 나노선 제작 MOCVD를

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.04.14

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  LED개요,역사,최신 국내외 시장동향, 경쟁구도, 국내외 업체 소개,LED전문자료

  성일텔레콤이 인수(2007.5)청색 LED 웨이퍼 주력 생산 GaN Epiwafer, 와 고휘도 LED Chip 생산210억('05) 149억('06)에피밸리 -Epi,Chip기관투자가의 ... 투자유치를 통하여 공장건설, Utility연결, MOCVD 및 측정 장비 셋업 마침 2001.5 부터 본격적으로 청색 LED 에피 웨이퍼 생산 시작 대규모 에피 생산 공정 갖춤 효성이 ... 개발 예정LG이노텍2004.1.백색LED 개발 독일 오스람사와 형광체 관련 특허권 사용 및 공급계약 체결 청색, 백샐 LED는 휴대전화 백라이트로 삼성전자에 납품 질화물반도체의 MOCVD

  리포트 | 23페이지 | 10,000원 | 등록일 2007.09.11 | 수정일 2015.10.13

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  콜로이드화학법을 이용한 금속화학물(ZnO) 나노분말 제조

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... CVD(Chemical Vapor Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.06

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  금속의 표면저항

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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  [디스플레이공학] LED의 최신경향

  제작기술(a) 단결정 성장: Bridgeman, Czochralski법(b) Epitaxial growth: LPE, VPE, MBE, MOCVD3. p-n 전압의 전류전압 특성{4 ... 개발.초기의 LED는 주로 적외선, 적색 소자로부터 시작하여 짧은 파장으로의 소자개발로 진행됨.특히 청색 발광에 어려움을 겪음. 1993년 Nichia 화학의 Nakamura에 의하여 GaN을

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.01.27

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  LED의 응용 분야

  LED의 기본 구조고휘도 LED는 질화물 반도체와 P계열의 반도체(Al,Ga,In)를 이용하여 액상 증착이나 MOCVD,혹은 진공 중에서 반도체를 성장시키는 진공 증착법으로 제조 되는 ... [그림 3-1] 백색 LED를 구현하기 위한 제작 방법현재 전 세계적으로 활발하게 진행되고 있는 GaN 백색 LED의 제작 방법으로는 크게 네가지로 나눌 수가 있다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.25 | 수정일 2018.04.26

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  [박막증착]박막증착

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... .◎ CVD(Chemical Vapor Deposition)CVD(Chemical Vapor Deposition) 에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.20

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  [신소재]LED와 백색 LED의 발전동향

  박막을 성장에피택셜 공정의 장점은 에피층에 실리콘 원자 및 불순물 첨가하여 에피층에 전기적 특성을 부여하고, 두께나 저항률의 조절이 가능하여 에피층의 특성의 제어가 수월하다.현재는 MOCVD의 ... 방법을 가장많이 사용하고 있다.3.4 LED 소자 제작 공정MOCVD 방법 성장된 wafer를 이용한 실제 LED 소자를 구현하는 소자 제작 공정을 살펴 보면 가장 먼저, photolithography ... 화학공업주식회사의 나카무라 슈지가 저온 성장된 GaN 버퍼를 사용하여 양질의 질화갈륨 박막을 성장하고, 고효율의 GaN p-n 접합 LED 및 LD를 발표하였다.

  리포트 | 72페이지 | 7,000원 | 등록일 2005.01.27

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  [조명용 LED기술]질화물 반도체를 이용한 차세대 조명용 백색 LED 기술

  UV LED의 성장에 관해 소개하고자 한다.질화물계 반도체를 이용한 LED 구조는 주로 유기금속 화학 기상 증착법 (metalorganic chemical vapor depoon, MOCVD ... 우선 기판 위에 약 20-30nm 정도의 버퍼를 성장하고 그 위에 2-4μm 정도의 n형 GaN (n-GaN)를 성장한다. n-GaN 성장시 도너로서 Si을 도핑한다. ... 청색 LED에서는 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조, UV LED에서는 GaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN, InGaN/AlGaN 다중 양자 우물 구조가 사용되고

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.29

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  LED 기술 동향 및 시장 전망

  LED 시장이 커져감에 따라 그에 따른 생산 기술 동향으로는 질화물계 LED에서는 적절한 기판의 부재가 문제가 되고 있고, 대체 기판으로는 Si, GaN/Si, 부도체인 사파이어 기판 ... 반도체 결정 성장 기술은 반도체 발광 소자를 제조하는 핵심기술로 액상성장법(LPE), 기상성장법(VPE), 유기금속화학 기상증착법(MOCVD), 분자빔 성장법(MBE)등이 사용되고 ... 반도체 발광 소자를 제조하는 핵심기술로 액상성장법(LPE;Liquid Phase Epitaxy), 기상성장법(VPE;Vapor Phase Epitaxy), 유기금속화학 기상증착법(MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.11.07

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  나노란 무엇인가?

  만든다 기판위에다 성장을 시키는데 셔터로 여닫으면서 두께및 조성을 조절 분당 성장 속도는 0.01~0.3㎛ 막의 품질이 우수함나노 와이어 제조NIO촉매를 이용한 ZnO 나노 와이어MOCVD법으로 ... 한국과학기술정보연구원(http://www.kisti.re.kr) 관련논문 홍재민, 이혁재 공저(논문) : ZnO나노 와이어의 합성과 디바이스 응용 한윤봉, 이호신 공저(논문) : GaN과

  리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.13

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  [전자공학]LED에 대하여

  황색LED GaAsP는 As와P 의 비율을 2:8로 성장시켜 얻을수있다.에피택셜 성장 방법슬라이드식 LPE법회전식 LPE법LPE(용융액 성장)VPE(기상성장)MBE(분자선성장)MOCVD ... 에너지원으로 3색가변혼색을 백색으로 표현적외선LED GaAs,GaAlAs,InGaAsP등 파장 920~950nm 오토포커스 카메라, 포토커플러,리모콘 등의 광원으로 이용자외선LED GaN ... 방사휘 도 상대치의 역수 광도: 빛의 세기(cd)각종 LED의 제법과 특성기존 SiC, ZnSe, ZnS 등이 사용됨. 1994년 일본 니치아 화학의 나카무라 슈지 발광효율이 뛰어난 GaN계

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.01.23

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  [신소재공학] LED

  질화물계 반도체를 이용한 LED 구조는 주로 유기금속 화학 기상 증착법(metalorganic chemical vapor depoon, MOCVD)을 사용하여 성장한다. ... 우선 기판 위에 약 20∼30nm 정도의 버퍼를 성장하고 그 위에 2-4 m 정도의 n형 GaN (n-GaN)를 성장한다. n-GaN 성장시 도너로서 Si을 도핑한다. ... 측면 전류 주입 방식으로 제작되는 LED 구조의 두 전극 중 n형 전극을 형성시키기 위하여 dry 에칭 방법을 사용하여 소자 구조 중 가장 위쪽에 있는 p형 GaN에서부터 n-GaN층의

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

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  [공학]반도체, LED용 특수재료가스 산업 현황

  주요 특수 가스암모니아(NH3)수요처실리콘반도체 질화막 재료, LCD 분야 개척(TFT 절연질화막형성재료)고휘도 청색 LED용 질화갈륨(GaN)용 MOCVD재료.주요 업체 : 쇼와정공과 ... 있는 트리메틸실란과 핵사플오로-1,3부타디엔(C4F6) 등이 기대만큼 성장하지 못함.LED 의 특수가스 : 암모니아(NH3), TMG(트리메틸갈륨 (CH3)3Ga)화합물반도체( GaN ... 프로덕트코리아시장 현황 :일본시장은 일본업체가 압도적, 대만, 한국, 중국은 미.일 업체가 격전 중시장규모 : 일본 1,000톤, 대만 1,000톤, 한국 500톤 ( 3개국 2,500톤)GaN용

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.08.03

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