"gan mocvd" 검색결과 61-80 / 105건

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  산화아연의 전망

  그러나 1990년대 이후 GaN로 대표되는 질화물 반도체의 광소자 개발이 활성화 되면서 GaN와 유사한 결정학적, 광학적 특성을 나타내는 ZnO를 광소자에 응용하려는 연구가 미국, ... 또한 MOCVD, MBE등의 에피성장 기술이 발달하면서 이를 ZnO 박막 성장에 이용하여 양질의 ZnO 박막 성장이 가능해짐에 따라23,24) ZnO의 광소자로서의 응용 가능성은 더욱 ... 따라서 ZnO가 다른 재료에 비해 2배 이상의 높은 exciton binding energy(GaN: 28, ZnSE: 22 meV)를 가지고 있다는 것은 레이저 다이오드 분야에 응용

  리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.29

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  LED 시장의 실태와 전망

  기대되고 있다.○ 삼성전기는 광 픽업용 적색 LED와 백라이트용 청색 LED가 주류를 이루고 있으며 삼성종기원의 기술을 이전 받아 GaN 청자색 LED시제품을 출시한 상태다.- 청색 ... .- 삼성전기·삼성전자가 구매를 결정한 MOCVD 물량만 합쳐도 이미 80여대로 국내 최대 규모이며, 삼성전자가 본격 투자에 나선다면 반도체시장에서의 경험과 기술로 조기에 시장선점이 ... 또한 질화물 반도체의 MOCVD 에피 공정 및 LED 제조 공정라인을 가지고 있다.- 최근 백라이트에서 축적한 광 기술을 응용하여 조명 분야로의 사업 확대를 추진하고 있다.○ 2005년

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.09.27

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  발광다이오드, LED

  있고 열일 수도 있다.LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN ... 에피 웨이퍼 공정기초 소재인 웨이퍼 위에 유기 화학 증착번 (MOCVD) 장비를 이용해화합물 반도체를 성장시키는 작업, 기술력에 따라 수율 차이가 나는 공정? ... 이른다.따라서 일본 니치아, 미국 크리 등 칩 제조사의 영업 이익율은 30~40%에 이른다.그러나 선두 패키징 회사라도 영업 이익율은 20% 안팎이다.국내 삼성 LED가 국내에서 MOCVD

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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  LED발표

  높일 수 있음. ▶ MOCVD에 의해 성장. ... InGaN를 통해 고휘도LED -청색 LED : SiC, ZnSe, GaN 경합. ... 차후 InGaN 을 통해 고휘도LED고휘도 LED 기술 현황▶ Al의 조성비를 통해 에너지 밴드 갭을 1.9∼2.26eV까지 조절 ▶ MOCVD법에 의해서만 성장가능 - 발광효율이

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.06

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  반도체 레이저 다이오드 (대학원 발표자료)

  광통신에 사용되는 적외선 영역의 광원 물질은 GaAs 나 InP 의 Ⅲ-Ⅴ 족 반도체 사용 자외선 영역에서부터 녹황색 가시광 영역에서는 GaN 와 InN 의 합성물인 InxGa1-xN ... 0.78µm GaAlAs 1µm band InGaAsP Low noise High coherence 1990-1995 0.6 µm AlGaInP 0.4 µm UV/blue InGaN MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.08

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  고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

  Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Deposition) 등 여러 방법이 있다. ... 반도체 발광 소자를 제조하는 핵심기술로 액상성장법(LPE;Liquid Phase Epitaxy), 기상성장법(VPE;Vapor Phase Epitaxy), 유기금속화학 기상증착법(MOCVD ... 131) 기판 재료 선정 : GaN ????????????????????????????

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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  LED의 구조와 원리적 특성 및 미래동향

  AlGaN/GaN 초격자층위에는 억셉터 역할을 하는 Mg을 도핑하여 p형 GaN 층이 형성된다.다. ... LED 소자 제작 공정MOCVD 방법 성장된 wafer를 이용한 실제 LED 소자를 구현하는 소자제작 공정은 다음과 같다단위소자 영역 정의Dry 에칭을 이용한 Device isolationn-type ... 측면 전류 주입 방식으로 제작되는 LED 구조의 두 전극 중 n형 전극을 형성시키기 위하여 dry 에칭 방법을 사용하여 소자 구조 중 가장 위쪽에 있는 p형 GaN에서부터 n-GaN층의

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.14

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  반도체 용어 정리

  .* MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의 응용분야MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의 응용분야에 대한 글입니다.GaN는 3.39eV의 직접천이형 밴드갭을 가지는 광대역반도체(wide ... 그룹에 의해 청색LED가, 1995년에 상온에서 연속 발진하는 반도체레이저(LD, laser diode)의 개발이 보고된 이후 세계적으로 활발하게 연구 되고 있는 유용한 물질이다GaN는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  LED 동작원리에서 시장동향까지

  사파이어 기판위에성장GaN,AlN 버퍼층을사용 GaN결정 성장P형 GaN층 성장전극형성, 소자분리로 die제작GaNP층 구조로 활성층 구성청색LED 제조공정일본 니치아 화학의 나카무라가 ... 1992년 새로운MOCVD이라는 독창적인 방법을 이용,고품질의 InGaN 박막의 성장에 처음 성공하여 이중이종 접합구조의 LED가 구현됨. ... MOCVD로 밝기를 향상시켜 1990년대부터 본격적으로 사용됨.Blue Chip, Frame, Phosphor, Epoxy 등 원자재 sourcingChip Zener Diode Lead

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

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  국내 주요 led 기업 동향

  기대되고 있다.○ 삼성전기는 광 픽업용 적색 LED와 백라이트용 청색 LED가 주류를 이루고 있으며 삼성종기원의 기술을 이전 받아 GaN 청자색 LED시제품을 출시한 상태다.- 청색 ... .- 삼성전기·삼성전자가 구매를 결정한 MOCVD 물량만 합쳐도 이미 80여대로 국내 최대 규모이며, 삼성전자가 본격 투자에 나선다면 반도체시장에서의 경험과 기술로 조기에 시장선점이 ... 또한 질화물 반도체의 MOCVD 에피 공정 및 LED 제조 공정라인을 가지고 있다.- 최근 백라이트에서 축적한 광 기술을 응용하여 조명 분야로의 사업 확대를 추진하고 있다.○ 2005년

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.27

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  [공학]CVD

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 되는데 이런 화학반응을 일으키려면 대개 1000도를 상회하는 고온을 요구한다. ... CVDCVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.17

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  광통신공학 설계 발표수업 자료 - LED 광방출 효율 향상 방안

  결정 성장( ) 기술epitaxy반도체 결정 성장 기술의 종류③ : 유기금속화학 기상 증착법(MOCVD ; Metal Organic Che-mical Vapor Deposition) ... 기판 선정문제 해결 방안의 모색 – 현 기판의 문제점 해결② :• 아모노서말(ammonothermal)법에 의한 GaN 성장 방법*본론 - A. ... 기판 선정질화물(GaN)계 반도체의 기판 문제 : 발광효율과 전기적 특성이 뛰어나 차세대 LED에 있어서 각광 받고 있는 소재이나, GaAs 기반 LED와 달리 적절한 기판의 부재가

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.03.25

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  LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징

  주로MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)방법이 가장 많이 사용되는데 MOCVD란 가스 상태의 원하는 원료를 고온에서 화학반응을 통해 박막 ... 백열램프의 필라멘트에 전기를 통하면 에 사용되는 기판은 주로 Sapphire, GaN, SiC, GaAs 기판들이 웨이퍼로 사용되며 이들 기판 중 가격 경쟁력이 있는 사파이어(sapphire

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08

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  반도체 공정

  Mg : 1s22s22p63s2 원자가 = 2반도체 재료 및 결정구조SiC:Silicon carbon GaN:Gallium nitride InP:Indium phosphide InSb ... 주입하고 열, 플라스마등의 에너지 주입에 따른 화학반응 장점 여러 종류 막성장 가능 저온성장 가능 Step Coverage 우수안정화가 높아 표면에 모임고농도저농도CVD 종류MOCVD

  리포트 | 50페이지 | 5,500원 | 등록일 2011.03.31

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  pvd와 cvd

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 금속막, BPSG막, Al막 등의 실용화 검토를 시작하여 앞으로는 플라즈마 적층막의 성장, Si의 직접 산화, 직접 질화기술 등의 개발이 행해지고 있다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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  기상증착법, 물리증착PVD와 화학증착CVD에 관하여

  대표적인 CVD증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methly기를 붙여 물질을 수송기체에 실어보내고 한쪽에서는 암모니아(NH3)를 붙여넣어서 기판의 ... 표면에 TMGa의 Ga와 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만든다. ... CVD(Chemical Vapor Deposition)1CVD법은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화한다.2종류에는 MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.25

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  LED산업분석 및 향후전망

  예를 들어 Blue LED의 경우에는 사파이어나 SiC 기판 위에 N형 반도체와 활성층(InGaN), P형 반도체를 MOCVD장비를 이용하여 증착시킨다. ... 참고로 LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN) 등이

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.26 | 수정일 2015.12.17

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  LG이노텍 역량모델 분석

  에피성장 및 설계 개발, 에피광학 및 결정학 분석, MOCVD 운영/유지보수전자/전기, 재료(공), 화학(공), 신소재, 물리서울/안양/광주SI Fab공정-SI전반 Fab기술, SI ... LED, PCB분야에서 R&D, 생산, 마케팅, 지원 각 부문에서 일등인재를 선발한다.직군구분분야Description해당전공근무지역R&DLEDLED Wafer/ChipEpi성장-Gan계

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.25

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  진공과 진공펌프에 대해서~

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 D법은 기판에 증착될 ... 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD ... LP-CVD (Low presure CVD), AP-CVD (Atmospheric presure)여기 에너지: Thermal, Plasma, Photon, Laser CVD반응 재료: MOCVD

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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  pvd,cvd

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 금속막, BPSG막, Al막 등의 실용화 검토를 시작하여 앞으로는 플라즈마 적층막의 성장, Si의 직접 산화, 직접 질화기술 등의 개발이 행해지고 있다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09

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