"gan mocvd" 검색결과 101-105 / 105건

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  [디스플레이]디스플레이 - LED

  LED 소자 제작 공정[그림 ] top-emitting방식 LED[그림 ] Chip 상태에서의 청색 전계 발광MOCVD 방법 성장된 wafer를 이용한 실제 LED 소자를 구현하는 ... LED를 발표하였다. 1994년에는 니치아 화학공업주식회사의 나카무라 슈지가 저온 성장된 GaN 버퍼를 사용하여 양질의 질화갈륨 박막을 성장하고, 고효율의 GaN p-n 접합 LED ... 그 후 LED는 양질의 InGaN/GaN 양자 우물 구조를 활성층으로 고휘도 청색 LED가 개발되면서 LED 연구가 급속도로 활성화 되었다. 1995년에는 고휘도 녹색 LED가 개발됨에

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.03.25

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  LED-발광다이오드

  질화물계 반도체를 이용한 LED 구조는 주로 유기금속 화학 기상 증착법(metalorganic chemical vapor depoon, MOCVD)을 사용하여 성장한다. ... 우선 기판 위에 약 20-30nm 정도의 버퍼를 성장하고 그 위에 2-4μm 정도의 n형 GaN (n-GaN)를 성장한다. n-GaN 성장시 도너로서 Si을 도핑한다. ... 측면 전류 주입 방식으로 제작되는 LED 구조의 두 전극 중 n형 전극을 형성시키기 위하여 dry 에칭 방법을 사용하여 소자 구조 중 가장 위쪽에 있는 p형 GaN에서부터 n-GaN층의

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.21

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  LED Backlight Unit

  -청색 LED가장 실현하기 어려웠던 색으로 GaN은 In의 조성비에 따라 적색에서 near UV까지 발광할 수 있는 InGaN의 박막 성장이 가능함에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED ... 표현하게 되어 Full Color LED 실현이 가능하였다.색기존의 발광 소자새로운 발광 소자재 료파장(nm)제조기술재 료파장(nm)제조기술적 색AlGaAs660LPEInGaAIP644MOCVD주황색GaAsP610VPEINGaAIP612황

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.04.17 | 수정일 2022.03.09

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  [전기재료 전기재료] LED

  기판 결정상에 발광층을 형성하는 결정성장기술로 LPE, VPE, MBE, MOCVD법 등 각종 방법이 있다.. ... GaN은 그림 6.2(c)와 같은 울쯔광형이라 불리는 구조를 갖지만, 섬아연광구조와 마찬가지로 diamond형의 정육면체 구조를 가짐.

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.29

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  LED 기술의 현재동향과 발전가능성

  있고 열일 수도 있다.LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN ... 3] LED 제조공정 7[그림 2-4] 전 세계 LED 시장 규모 추정10[그림 2-5] Application 별 LED 시장 규모11[그림 2-6] 질화물계 LED 성장을 위한 MOCVD ... LED 기판 위에 유기금속화학증착장비(MOCVD)를 이용해 화합물 반도체를 성장시켜서 LED 에피웨이퍼를 만들고, 그 에피웨이퍼의 각 부분에 전극을 형성하고 절단하는 과정을 거쳐 LED

  논문 | 36페이지 | 3,300원 | 등록일 2010.03.23

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