"gan mocvd" 검색결과 41-60 / 105건

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  금속유기화학증착법(MOCVD)

  GaN 에피층 성장의 반응식2. MOCVD 기술의 특징(1) MOCVD 기술의 장 ? ... MOCVD 장비에서 GaN성장의 화학 반응√ 은 MOCVD의 성장원리를 나타낸 것인데, 먼저 A를 통하여 반응관 안으로 반응가스가 유입되고, B과정은 벌크 가스층에서 기판 표면으로의 ... 이용한 GaN의 에피성장은 sapphire기판과의 격자부정합을 해결하기 위해서 sapphire기판 위에 GaN 완충층(buffer layer)을 성장하고 다시 그 위에 GaN 에피층을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  MOCVD (Metal Organic CVD) : Organometallic source⑥ Precursor 공급 방법에 의한 분류.? ... (양자와이어)금속성(Ni, Pt, Au 등)과 반도체(Si, InP, GaN, ZnO 등), 절연성(SiO2, TiO2 등)의 많은 종류의 나노와이어가 존재.레이저나 트랜지스터, 메모리

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  White LED의 기술개발동향과 전망

  에피성장법으로는 대부분 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법을 사용하는데 이 방식은 가스상태의 원료를 고온에서 화학반응시켜 박막을 ... 커지게 되어 양질의 막을 얻기가 매우 어려운 실정이다.을 제작한 후 그 위에 GaN을 에피성장하면 편평한 기판 위에 성장되는 GaN 구조에 비해 TD 감소과 소자의 출력향상의 효과를 ... 4성분계 에피층의 성장조명용 백색 LED 펌핑광원으로 최근 UV LED에 RGB 형광체를 조합한 광원이 유망한 것으로 평가되고 있는데 UV 영역의 활성층으로 사용되는 A1GaN/GaN

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21

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  84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

  LPE ) 분자선 에피택시 (molecular beam epitaxy; MBE ) 금속 유기물 화학 증착법 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD ... 질문 2GaN과 마찬가지로 육방정 구조를 가지며 (0001) 면의 결정학적 구조가 서로 유사 모스 경도가 9로 경질이며 융점이 2050℃ 로 매우 높아 GaN과 같이 고온 증착해야 ... 장 영 역 : GaCl(g) + NH3(g) → GaN(s) +HCl(g) +H2(g)4.

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  나까무라 슈지의 청색 LED와 직무발명

  flow MOCVD’라는 기술적용을 통해 해결하였다. ... MOCVD는 화학 반응을 이용하여 기판상에 금속 산화막을 형성하는 박막 형성법 진공으로 된 통 안에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속화합물 가스를 보내어 그 금속의 막을 기판에 만드는 ... 반면 나카무라는 GaN을 선택해 독자적인 노선의 개발을 하게된다.GaN을 통한 청색 LED개발의 가장 큰 걸림돌은 GaN의 결정화가 쉽지 않다는것 이였는데 나까무라는 이를 ‘Two

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.02

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  LED에 대하여

  접촉층을 성장시키는 제6공정과, 상기 MOCVD로 성장된 층을 갖는 박막을 플라즈마 어닐링하는 제7공정과, 상기 n형 GaN 오믹 접촉층에까지 건식 식각하는 제8공정과, 상 기 p형 ... )으로 완충층위에 p형 GaN 클 래딩층을 성장 시키는 제1공정과, 상기 클래딩층위에 n형 GaN 오믹접촉층을 성장시키는 제2공정과, 상 기 오믹접촉층 위에 n형 AlGaN 클래딩층을 ... 저항이 크게 감소되므로적 층하여 청색 발광소자를 제작하는 더블클래딩-더블헤테로구조를 갖는 청색발광소자의 제작방법에 관한 것으로, 사파이어기판을 사용하여 유기금속화합물 화학기상증착방법(MOCVD

  리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.16

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  LED 제조 공정

  SYSTEMLED 제조 공정■ Epi 공정Schematic Diagram of MOCVD ReactorLED 제조 공정■ Low Temperature Buffer를 사용하여 GaN ... 특성의 향상LED 제조 공정■ GaN Epi-Wafer 제조 공정LED 제조 공정LED 제조 공정■ Chip 공정(GaN LED Fab. ... Process 개략도)LED 제조 공정■ GaN LED Fab.

  리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08

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  화합물 반도체

  이중에서 가장 많이 활용되는 것은 MOCVD법이다.※ MOCVD법은 III족 원료에 유기금속소스(MO源)를 사용하는 기상성장법이다. ... 현재 생산되고 있는 질화물 반도체 발광디바이스는 거의 모두 MOCVD법에 의해서 성장시킨 것이다. ... GaN 광소자 개발에 있어전자구조계산 연구가 크게 기여하였다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  예를 들어, GaN의 경우에는 MOCVD를 이용할 때 TMG라는 Ga에 methyl기를 붙인 Ga(CH3)3 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMG의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다.

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

  두 번째로 사파이어 기판 등의 위에 n형 반도체(n-GaN), p형 반도체(p-GaN)를 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; 유기금속화학 ... LED의 재료, 파장, 성장방법에 대해 정리 하였다.LED의 재료 파장 성장방법색기존의 발광 소자새로운 발광 소자재료파장제조기술재료파장제조기술적색AlGaAs660LPEAlGaInP644MOCVD주황색GaAsP610VPEAlGaInP612황색GaAsP585VPEAlGaInP590녹색GaP570LPEAlGaInP562,574GaP555LPEInGaN525청색InGaN450자외선InGaAlN

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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  LED 기본공정과 원리 그리고 고효율화 방안

  계 화합물 반도체는 동종 기판의 부재 → 주로 사파이어기판 사용 기판과 GaN 사이의 격자 불일치 → Buffer Layer 를 삽입 보통 MOCVD 를 이용한 성장Epitaxial ... 효율적인 재결합 내부양자효율 향상의 KeyIntroduction ◎ Epitaxial Growth 에피탁시 ( Epitaxy ) : 결정방위가 유사한 분자구조를 기판 위에 화학적 (MOCVD ... Growth ◎ Buffer Layer 의 역할LED Efficiency ◎ 비극성 ( Nonpolar ) LED GaN 의 경우 우르자이트 결정구조를 형성 성장 시 기판에 수직인

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.10

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  LED

  질화물계 LED 성장을 위한 MOCVD 반응 메카니즘- 기판과 에피층의 물리적 성질이 다름에도 불구하고 질화물계 LED의 기술혁신이 일어난 것은 저온 버퍼층 성장기술임.. ... MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)방법은 III족의 MO 가스와 V족의 hydride 가스가 고온에서 반응하여 III-V 고체상태의 ... 신뢰성 및 생산 수율면에서 해결되어야 할 과제들이 남아 있는 상황임. p-GaN 표면 roughness 성장기술(대만) p-GaN 표면 roughness 성장기술의 AFM images

  리포트 | 51페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  양자역학의 역사와 슈레딩거방적식 유도, 반도체소자 적용

  GaN기판위에 MOCVD법으로 n형층, 활성층, p형층의 다층구조 발광 층을 epitaxial growth 시켜서,청색LED를 제작할 수 있다.2. ... 전자 친화력이 강하여 광학적 특성은 물론, 전자 이동도, 전자 포화도 등이 우수하다.□ GaN을 사용하는 디바이스의 예 : GaN-LED1. ... 이러한 GaN-LED를 이용하여 대형TV의 백라이트, 자동차 헤드라이트, 일반 조명들을 제각할 수 있다.○ GaN-LED를 이용한 backlight1.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.02

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  LED-TV의 현황과 R&D 방향

  LED 연구개발 동향 에피택시얼 성장 (Epitaxy) 기판 위에 LED 구조는 MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 ... LED 연구개발 동향 기판 1990 년대부터 총천연색 표시소자 구현을 위해 GaN, ZnO, ZnSe, SiC 재료를 이용한 청색 LED 의 연구가 활발히 진행되었으나 GaN 및 ZnO ... ℃ 부근의 저온에서 AlxGa1-xN (0 X 1) 핵생성층을 얇게 (20~30 nm) 형성한 후 온도를 올려 스스로 단결정화 시키는 방법을 보편적으로 적용하고 있음 AIGaN/GaN

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.23

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  나노와이어-디스플레이에서의 적용

  PrincipleA FEtwo elements in GaAs, GaN, SiGe, BaTi, BiTe, MgB2- These nanowires are exposed to light. ... device cost because it is easy to make high purity light.- Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.11.21

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  LED란

  0.30.150.140.36-0.720.7-1.050.78Ga0.65Al0.35As(DH)(DH)GaAsGaAlAsLPELPE빨강빨강6606602-45-90.84-1.602.0-3.6GaN사파이어MOCVD파랑초록4705203 ... Quantum well 구조의 LED에서는 InGaN Well이 GaN 혹은 InGaN barrier로 둘러싸이게 되며 다시 n 또는 p 타입 GaN 또는 AlGaN Clad 층의 ... -52-41.8-3.19.7-19.4*VPE:기상성장법, LPE:액상성장법, MOCVD:유기금속기상성장법LED의 종류와 특징1 GaP:ZnO 적색 LEDGaP 적색 LED는 1970년경부터

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30

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  LED 개요 및 제조 공정

  성장시킨 Wafer를 가지고 P,N층에 전극형성 을 한 후 Chip Size별로 절단 가공 후 단일 Chip 상태로 분리 후 전기적 특성을 파악함Chip (Fab + 후공정)-.MOCVD ... LED 소자공정 기술 LED PKG 기술Introduction반도체 산업 영역 분야III IV V화합물 반도체 산업 분야LED 제조 Process기판 (웨이퍼) Sapphire, GaN ... , SiC, Si, GaAs에피웨이퍼 (In,Al)GaN (청, 녹, UV), InAlGaP(적, 황), AlGaAs (적, IR)LED 칩RGBOY 형광체백색 LED패키징LED 모듈

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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  열증착

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 이때 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 한다.2) CVDCVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08

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  LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

  0.30.150.140.36-0.720.7-1.050.78Ga0.65Al0.35As(DH)(DH)GaAsGaAlAsLPELPE빨강빨강6606602-45-90.84-1.602.0-3.6GaN사파이어MOCVD파랑초록4705203 ... GaN은 In의 조성비에 다라 적색에서 near UV까지 발광할 수 있는 InGaN의 박막 성장이 가능함에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED의 출현이 가능하게 되었다.4. ... 않았으나 추후 InGaN의 박막 성장이 성공하게 됨에 따라 고휘도 녹색 LED의 구현이 가능하게 되었다.청색 LED는 가장 실현하기 어려웠던 색으로 처음에는 SiC, ZnSe, GaN

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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  박막제조

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... 시간으로 두께를 조절할 수 있는 CVD법에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.30

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