"magnetron sputtering" 검색결과 201-220 / 228건

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  [박막공학]여러가지 박막 제조 공정

  충돌 시 아르곤은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충 돌 하는 과정을 반복함.DC sputtering DC sputter의 구조접지진공아르곤 주입구웨이퍼가열기전극 (양극)전극 ... 플라즈마 CVD ECR 플라즈마 CVDPVD(물리적 증착 방법) * 진공 증착 저항 가열 증착 전자빔 가열 증착 * 분자선 에피택시 * 스퍼터증착 직류스퍼터 증착 고주파 스퍼터 증착 마그네트론 ... 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems) 에 의하여 이루어 짐.전압이 가해지지 않았을 때 가스는 중립의 원자 상태로 존재함 전압이 가해지면, 자유전자 가 가속되며 원자와

  리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16

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  박막의 증착 실험

  할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있다판을 sputter하는 sputter etch와 sputtering하는 동안 target보다 훨씬 작은 (-) ... )직류전원을이용한 sputtering 방법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다. ... 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다.1 직류스퍼터링(DC sputtering

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  [전자공학] 박막형성법과 박막특성

  )에서 sputtering 가능낮은 전압(40V 이하)에서 가능증착 속도 증가사용이 복잡하다.스퍼터 법의 종류..PAGE:7Magnetron sputtering강한 자기장을 이용하여 ... sputtering 에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다. ... 이 sputtering 방법은 보통의 sputtering과 동일하나 sputter 기체로서의 Ar 외에도 미량의 산소나 질소를 함께 공급해서 원하는 화합물의 박막을 얻을 수 있다.스퍼터

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [공학] 건식도금에 대하여 CVD와 PVD

  따라서 글로방전은 직류가 아니라도 전자를 나선상태로 만들어 주면 (고주파나, 마그네트론 등으로) 발생시킬 수 있다.음극스퍼터링의 종류는 다음과 같다.(1)직류스퍼터링(DC sputtering ... )(2)고주파 스퍼터링(RF sputtering)(3)반응성 스퍼터링(reactive sputtering)(4)막의 성장과정【3】이온도금(ion plating)(1) 이온도금의 원리이온도금은 ... 증발도금이라고도 말하고 세 가지로 분류할 수 있다.. 1)진공증착법(vacuum metallizing):뒷면은 도금이 되지 않으므로 기판을 회전시켜야 한다2)음극스퍼터링(cathode sputtering

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.01

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  [반도체] PVD 리소그라피

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서 sputtering ... PVD 특징1고경도 (High hardness)2고밀도의 매우 치밀한 조직 (Extremely dense structure) 표면압축응력 부여3평활표면 (Smooth surface)

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18

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  [공학기술]Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조

  micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering ... CVD)APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY, MOCVDSOL-GELDIPPING물리적 박막 형성진공증착법(evaporation)SPUTTERINGDC, RF, DC MAGNETRON ... 그리고 Multiple deposition 이 가능하다.단점은, X-ray 발생하고 e-beam source 위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 discharge가 심하다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.02

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  이온플레이팅의 원리

  (저항가열, e-beam, 유도가열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질을 source로 ... 음극표면에서 방출된 원자는 다시 다음의 반응으로 이온화된다.S + e- → S+ + 2e-S + G* → S+ + G + e (Penning이온화) ------------------ ... ), (3)의 반응이 일어나며, 이 경우 음극(기판)에서는 G+M+ (증발원자의 이온), S+ 등의 충격을 받으면서 증발원자가 퇴적하게 된다.

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.12.02

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  D.C Magnetron Sputterimg 으로 증착한 Cu 박막 결과 보고서

  using DC magnetron sputtering method. ... 이온의 상대적 질량비에 영향을 받는다.(2) 성장하는 막에 이온이 충돌을 하는 동안 일어나는 이온-고체 상호 작용① 흡수된 불순물 방출② 이웃한 표면 원자의 변이③ 기판 원자의 sputter ... 재료공학실험ⅢVol.01, No.1, 2003, pp.01～03D.C Magnetron Sputterimg 으로 증착한 Cu 박막 결과 보고서한국항공대학교 항공재료공학과요 약DC Magnetron

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.07.17

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  [증착법] 증착법

  (단점) - 성막속도가 낮다(10Å/sec 이하)→ Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다.- High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 damage ... O}_{2 } , { N}_{2 }등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다. ... Food process(음식 건조, freeze drying : 커피 등의 향은 그대로 두고 수분만 제거하는 방법), 증류(distillation), 박막 증착(sputtering,

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  [공학]반도체 집적소자 제조 단위공정 실험

  micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering ... trimming 등이 있으나 궁극적으로 이러한 부가 공정은 thin film process를 의미하지는 않는다.증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 ... 이 공정의 장점은 오직 seed layer 만을 etching하면 되기 때문에 etching에 의한 pattern 공차가 작고 line의 sharpness가 높다는 점이다.

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.07

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  [박막공학]박막형성의 원리

  만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive - ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.보통 ... yieldating power source를 사용하므로 부도체 재료를 스퍼터링할 수 있고 낮은 압력에서도 사용 가능하다는 장점이 있다.효과적인 sputtering을 위해서는 coupled ... Target을 cathode로 하여 스퍼터링 할 때 주파수가 10MHz 이상 되어야 효과적인 sputtering이 일어난다.

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.27

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  [재료공학실험] 진공과 pvd, cvd

  , 이 온 스퍼터링 (ion sputtering), 이온도금 (ion plating)의 3가지로 분류한다. ... 3Torr Rough Vacuum이라고도 하고 기체 상태의 분자 수량이 진공 용기 내부 표면에 의 향은 그대로 두고 수분만 제거하는 방법), 증류(distillation), 박막증착(sputtering ... 진 공계로는 초고진공용 이온화진공계나 초고진공 마그네트론 진공계가 있다.※ 저자에 따라서는 저진공과 고진공 사이에 중진공(medium vacuum)을 그리고 초고진공 다음에 극고진공

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15

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  [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... PR을 용제(solvent)에 녹이는 과정에서 PR 위에 deposition된 film은 제거되고 substrate 위에 deposition된 film 만이 남게 되는 것이다.Pattern ... 이를 극복하기 위해 나온 방법이 soft Lithography이다.※ Lithography는 반도체 Patterning공정의 핵심이라 할 수 있다.현재 Photolithography공정이

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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  [반도체 제조공정] 반도체 제조공정

  이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering)이라고 한다. ... DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성 스퍼터링장치로 이용될 수 있다.스퍼터링 기술의 큰 ... 후 1step, 2step의 PR coating을 5초와 35초에 걸쳐 실시한다. (1step : 500rpm, 2step : 3500rpm)→PR 도포에 있어 spin coater의

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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  [박막공학] Sputtering

  DC triode sputtering deposition systemFig. 11. ... 따라서 낮은 에너지로 target에 입사하기 때문에 sputter yield가 떨어지게 된다. ... 스퍼터되는 속도는 target에 충돌하는 이온(중성 원자)의 개수 및 에너지와 sputter yield에 의하여 결정된다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  [반도체공정] 스퍼터링

  sputter 장비를 이용해서(400V, 350mA) Ar gas(75sccn)를 주입해서 플라즈마 상태에서 Al을 시편에 증착시킴PR ApplicationPR액을 스포이드를 이용해서 ... 적당한 크기(50X50mm2)로 절단Cleaning DehydrationCutting된 시편을 초음파 세척 → IPA 세척 → D.I water 세척Sputtering건조된 시편을 Magnetron

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.22

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  [재료공학] Ag(Mg)/Si 의 증착 및 열처리

  , RF plasma sputtering, magnetron sputtering등이 있다.Heat Treatment일반적으로 가열 ·냉각 등의 조작을 적당한 속도로 하여 그 재료의 ... sputtering에 의해 ejection되는 양이 거의 없다고들 알려져 있다. ... 점이다.이러한 sputtering시 나오는 particle은 보통 thermally ejected particle보다 큰 에너지를 가진다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.13

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  [반도체공정]Photo lithography

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 웨이퍼의 노광은 스텝퍼(stepper)라 불리는 step and repeat 시스템에서 다이(die)마다 이루어진다. ... PR을 용제(solvent)에 녹이는 과정에서 PR 위에 deposition된 film은 제거되고 substrate 위에 deposition된 film 만이 남게 되는 것이다.* Pattern

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.07.22

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  [박막] 박막(thin film)

  할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있다② 고주파 스퍼터링(RF sputtering)DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 ... sputtering은 sputter하기 전 기판에 (-)bias를 걸어 주어 기판을 sputter하는 sputter etch와 sputtering하는 동안 target보다 훨씬 작은 ... )직류전원을이용한 sputtering 방법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27

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  [재료공학]Ion Plating ( 이온플레이팅 )

  (저항가열, e-beam, 유도가 열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질을 source로 ... 그러므로 negative glow는 양쪽의 sheath사이에 해당하는 부분이다.negative glow에서는 세 종류의 전자가 존재한다.- 일차전자 : cathode sheath에서 ... 반대로, 작은 접촉면적을 가진 양극은 적은 양의 전자를 받게 되므로 anode sheath가 부족한 전자 전류를 보충하기 위해 플라즈마 전위를 양극보다 낮춘다.또한 sheath의 간격

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.06

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