"magnetron sputtering" 검색결과 141-160 / 228건

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  스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리

  - 사용이 복잡함. - 열전자 방출로 인한 오염 증가 - 반응적인 과정에는 어렵다. - 규모를 크게 하기 어렵다.Sputtering (Magnetron sputtering)• 원리 ... 동안은 양이온을 끌어들여 sputtering 양의 반주기 동안은 전자를 끌어들여 축적된 양전하를 중화 시켜 방전을 지속시킴 • 장점 : 거의 모든 물질을 sputtering • 단점 ... 피하기 위해 공정의 주의 깊은 조절이 필요 2) compound-coated cathode - 간단하나 sputtering 속도가 느리다. - sputtering 기술, 물질, 증착조건에

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  이온플레팅

  또 다른 특징으로 sputtering에 의한 모재 표면의 청정화이다. ... Triode ion plating, Magnetron ion plating, Hollow cathode를 이용한 ion plating, rf bias ion plating등 일반적으로

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  높은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ↓③ sputter의 종류 1) DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering 방법이다. ... 따라서 전자가 어느 한 쪽으로 몰리게 되면 다른 전극에는 ion으로 생성된 sheath가 생기게 되며 DC의 경우와 마찬가지로 sputtering이 발생하게 된다.RF sputtering은 ... 이론적 배경◎ sputter의 원리① Sputtering의 원리sputtering은 진공도가 일정수준에 이르면 진공 chamber내로 불활성기체(Ar)을 주입하고 전장을 인가하면 Glow

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  lcd 개론

  Sputtering금속막 및 투명전극의 박막 증착에 사용• 원리: Ar 가스에 플라즈마 방전을 일으켜 이 때 생성되는 Ar+ 이온으로 target 금속(증착 물질)을 sputtering ... Target의 둘레와 뒷 쪽에 자석을 설치하여Magnetic Field 가 Secondary Electron 을 격리시켜 sputtering이 원할히 일어나도록 함.• Reactive ... (통상적으로 RF 방전 이용)• Magnetron Sputtering 방법: DC Plasma 이용.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.09.24

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  DSSC

  cathodic electrodeposition, rf-magnetron sputtering, Chemical vapor dsposition 등이 있다.이런 차단층의 조건 또한 매우 ... 실험 목적dye-sensitized solar cell(DSSC) 태양전지의 원리와 Cell의 제작과정을 익힘으로써 태양전지를 완벽히 이해하고 TiO2의 Sputtering두께와 Screen ... 두 가지가 섞여 있으면 빛의 scattering이 좋아져서 효율이 단일상으로 존재할 때 보다 우수하게 나타난다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  CVD 와 PVD 코팅

  PVD의 종류 및 원리1) Evaporation(2원 증착법, 플래쉬 증착법) - 진공중에 박막 물질을 가열, 증발시켜 그 증기를 증착 - 증발 과정이 열교환 과정으로 sputtering와 ... 교환빈도가 적어 연속화 작업이 용이 5) 반응성 가스를 혼합시켜 화합물의 증착이 가능 단점 1) Sputter 조건을 결정하는 인자를 독립적으로 변화시키는것이 어려움 2) 형성되는 막에 sputter ... DC Sputtering 계략도CathodeSSNAr+N2Ti-TargetSubstratePumpHeated SupportHeatingUBDC BiasDC EquipmentUK Magnetron

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  .▶ sputtering의 발생glow discharge에 의한 target 표면에서 초기 이온들의 운동량 전달에 의한 물질들의 자유로운 상태로 이탈, DC diode discharge에 ... Versatility : the sputter process is essentially a kinetic process involving momentum exchange rather ... or thermal process and, therefore, virtually any material can be introduced onto a gas discharge or sputtered

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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  박막의 제조방법

  스퍼터율(sputter yield)사. ... Sputtering)(라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)② RF(Radio Frequency) 과정 : RF 마그네트론③ 이온도금(Ion Plating)(1 ... Plasma Assisted PVD)의 분류① DC 과정(가) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering)(나) 삼극 스퍼터링(Triode Sputtering)(다) 자기 스퍼터링(Magnetron

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

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  PECVD / SPUTTER

  1PECVD / SPUTTER2.실험방법 및 목적-Deposition(증착) 공정중 sputtering 방식과 PECVD 방식을 알아보고 PECVD 공정과정 을 실제로 관찰해 본다. ... 원리이다.왼 쪽 그림은 평판형 마그네트론 스퍼터링의 그림이다.평판 캐소드의 뒤쪽에 영구 자석을 둔다. ... 가하는 방법도 있다.자기장이 어떤 일정한 세기를 넘으면 (컷오프 자기장이라고 한다)전자는 음극을 나가서 양극에 도달하지 못하고 양극 사이에서 나선 운동을 계속하게 되는데 이것이 마그네트론의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  반도체 집적소자 단위 공정

  충돌시킨다. 1개 이온이 target에 충돌한 때 비상한 sputter원자수의 통계적 확률치는 sputter율이라고 불려진다. sputter율은 target재질, 이온의 종류와 그 ... 표 3에 Ar의 이온충격에 대한 sputter비율의 예를 나타냈다. target에 인가된 전류밀도 j, sputter비율 S, target밀도 ρ, 원자량 M이라 하면 target의 ... sputter에칭속도(E)는 다음과 같이 나타낼 수 있다.E = 62.3 S j M / ρ(Å/min)target으로부터 비상한 sputter원자가 기판에 도달용제는 감광막 을 용해시킬

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17

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  반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )

  또한 step coverage가 좋아서 균일한 성막이 가능하다. sputter 방법이 갖는 단점인 낮은 성막 속도는 magnetron 이나 ECR (Electron Cyclotron ... Resonance)을 이용한 sputter로부터 해결이 가능하다. ... CVD와 PVD의 방법인데, 우리는 PVD의 방법 중에서 sputtering을 사용한다.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06

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  박막 증착 방법, 종류

  sputtering, magnetron sputtering 등이 있는데, 특히 magnetron sputtering은 고속 스퍼터링 방법으로서 다방면에서 주목받고 있다.스퍼터링의 응용분야는 ... 이 이온충격에 의해서 튀어 나온 분자 또는 원자가 (+)극의 기판에 붙어서 박막이 형성되는 것이다.스퍼터링의 종류에는 DC sputtering, RF sputtering, bias ... 얻을 수 있기 때문에 최근 표면경화의 한 수단으로 주목을 받고 있다.PVD법을 크게 분류하면 ① 이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ② 이온을 이용하는 스퍼터링(sputtering

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

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  [금속재료공학]스퍼터링

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.마그네트론 스퍼터링 ... (magnetron sputtering)이란 발생된 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해 집진하여 기판에 성막시키는 방법이다. ... 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다. sputter장치의 시스템은 target쪽을 음극(cathod)으로 하고 기판쪽을

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

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  [신소재]진공증착법

  존재☞ 장점① 높은 증착 속도② 낮은 sputtering 압력③ 기판 온도 감소④ 산업적 규모의 공정으로 변환이 용이(7) Unbalanced magnetron sputtering ... electron trajectories.-☞ magnetron sputtering system① electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow ... 전형적으로 ‘racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. → 고체 원판형 target에서 많은 양의 낭비가 있고, target을 가로질러 sputter된 atom의

  리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering ... 100tons/㎡의 접착력)NSIB의 원리● Cs 환경에서 target 표면의 work function이 감소되어 표면에서의 전자의 밀도가 현격하게 증가하게 된다.● 이 전자들은 sputtering시 ... 금속 표적재료의 경우 한 개의 아르곤 이온이 표적재료에 입사할 때 표에 보이는 것처럼 1~2원자가 증기상으로 방출되어 증발효율이 낮은 편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 비를 증가시키는

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

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  [공학]기초 반도체 공정

  증착전 배기와 낮은 base 압력의 유지는 응용에 있으며, 기판과 챔버벽으로부터 나오는 gas를 포함한 분위기에서 sputter 증착이 된다. ... 기본적이며 자주 사용되는 공정 T 200 ℃ : anodization : ethylene glycol + KNO3 vacuum deposition : SiO2 , Si + O2 sputtering ... 시작. • 대기 중에 노출되었거나 새 target은 증착 전에 target을 세정하기 위하여 기판을 가리고 미리 스퍼터링(pre-sputtering)을 해야 한다. • 증착 조건의

  리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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  Sputter Deposition System을 이용한 박막 증착

  PVD법에는 진공증착과 sputter 증착이 있는데 우리는 sputter 증착법을 이용하였다.◎ 실험 과정 :웨이퍼Sputterring된 박막입힌 웨이퍼실리콘(Si)위에를 입히고 Co박막을 ... 실험기구는 sputtering 장비를 사용하는데 main chamber와 loadlock chamber로 나뉜다.를 입힌-wafer를 loadlock chamber에 넣고서 main ... 증발되기 어려운 재료에 적용되었지만, Al 및 Al의 합금에 대해서는 Sputtering 속도가 늦거나 또한 기판의 온도가 상승하는 등의 불리한 점이 있어서 상용화 되지 않았으나, Magnetron

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.01

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  스퍼터링

  스퍼터링률스퍼터링률(sputter yield)이란, 정이온 1개가 음극에 충돌할 때, 그것이 1개당 평균 몇 개의 원자 또는 분자를 음극에서 충돌하여 내보낼수 있을까를 나타내는 량이다 ... 반응이 어렵고, s가 높다는점기본적인 스퍼터링 장치2극 직류 스퍼터링 장치고주파(R.F) 스퍼터링법마그네트론 스퍼터링법배향타겟 스퍼터링법2극 직류 스퍼터링 장치특 징 가장 간단한 ... 이러한 단점을 보완키 위해 T.horton은 마그네트론 스퍼터링을 제안하게 되었다.1.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링

  이온빔 보조 DC 반응이온 마그네트론 스퍼터링 장비 모식도PlasmaTarget-Ion Beam source그림11. ... 증착시 이온빔의 역활그림12.보조이온빔의 역활보조이온총에서의 이온빔 divergence(발산)가 적어야 되는 이유는 보조빔에 의해 증착된 박막의 선택적인 sputtering이 일어나게 ... 되며 이 선택적 sputtering이 박막의 집합조직 형성에 결정적인 역할을 하기 때문TaegetIon beamIon beamSubstrate그림13.이온빔 스퍼터링 공정Ion Beam

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27

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  산화물반도체,Oxide Semiconductor

  에서는, 우선 양극(anode) 재료로 가장 널리 사용되는 ITO의 경우 150 nm 두께박막의 경우 가시광에서 90% 정도의 투과율을 나타내고 자외선을 흡수하며, 고온 증착의 magnetron-sputtered ... 있으며, 현재국내외 많은 기업들에서 IGZO기반의 소자에 대한 연구가 진행되어지고 있다. 2007년에 삼성 SDI의 김민규박사 그룹과 정재경박사 그리고 박진성박사 그룹에서는 Co-sputtering을 ... 수 있다.3.1 Oxide semiconductor material3.1.1 Binary compound oxide semiconductorBinary compound oxide

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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