"magnetron sputtering" 검색결과 41-60 / 228건

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  sputtering

  존재(5) 장점① 높은 증착 속도② 낮은 sputtering 압력③ 기판 온도 감소④ 산업적 규모의 공정으로 변환이 용이○ Unbalanced magnetron sputtering ... magnetron source앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 ‘racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. → 고체 원판형 target에서 ... 낮은편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 비를 증가시키는 방법이 개발되었다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

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  진공의 이해

  진공의 이해진공이란 진공의 단위 및 분류 증착 장비 Magnetron Sputtering 플라즈마 기초 및 응용분야 플라즈마란? ... N/m2= 7.5 x 10-3 Torr 주요 압력 단위 환산 관계진공의 단위 및 분류증착 장비증착 기술 - PVD (Physical Vapor Deposition) • 스퍼터링 (sputtering ... pumpMain valveforeline valveroughing valveconductance valvetargetcathodeSputtering 의 특성 • 거의 모든 원소를 sputtering

  리포트 | 58페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.06.10

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  VLSI공정 5장 문제정리

  RF sputtering을 비교하여라.glow방전을 위해 DC power를 사용하는 것이 DC sputtering 이며 타겟으로 금속만 가능하다.RF sputtering은 13.56MHz의 ... RF power를 사용하여 자기 바이어스를 일으키므로 부도체 타겟도 가능하다.Magnetron 스퍼터링은? ... 방전 전류를 증가BUT , 100Ev 이상의 전압에서 이온화 단면이 감소 –Ar의 압력을 증가.입사각이 약 80도 일 때 최댓값을 나타낸다.가 커지면 스퍼터링 효율도 증가한다.DC sputtering와

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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  SPUTTER

  필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron sputtering 강한 자기장을 이용하여 target 근처 plasma 밀도를 ... 이와 같은 상황을 아래 그림에 나타내었다.- 앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 'racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. ... - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  TSP다이아몬드용 DRAG BITS 접착에 이용되는 신 공정의 초기조건 설정에 관한 연구

  한국기계기술학회 김경환, 오유성

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  스퍼터링

  마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)Glow 방전(discharge)의 경우 낮은 가스압 하에서는 전자들의 평균자유 행로가 너무 커서 이온화 효율(ionization ... 타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인 ... 이 현상을 스퍼터링(sputtering) 현상이라고 부른다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

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  [고분자공학실험]ITO Pattering 공정

  특히 dry etching의 경우 이온 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)와 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching ... PR을 용제(solvent)에 녹이는 과정에서 PR 위에 deposition된 필름은 제거되고 기판 위에 deposition된 필름만이 남게 되는 것이다. ... 한 번 공정이 설정되었으면 PR을 바꿀 때는 충분한 테스트가 선행되어야 한다.감광액(점착성의 유기용액)을 웨이퍼 기판 위에 필요한 양만큼 떨어트린 후 스피너(spinner)로 기판을

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.12 | 수정일 2020.08.05

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  Sputter Deposition

  electron trajectories.(4) magnetron sputtering system① electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow ... RF sputtering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter ... Basic aspects of sputtering1.1.

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02

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  부산대학교 졸업 논문 (Flexible Display용 PI기판 위 ITO 증착 시 Stage Temperature에 따른 특성 변화 연구)

  사용한 증착 장비는 DC/RF magnetron sputtering system이며, 측정 장비는 XRD, 4-point probe, UV-VIS spectrophotometer이다 ... 증착 장비로는 DC/RF magnetron sputtering system을 사용 했다. Table 1은 사전 실험 후 측정한 deposition rate를 보여준다. ... 또한, ITO가 다른 물질에 의해 오염이 되었을 수도 있으므로, pre-sputtering을 30분 동안 실시하였고, 증착이 완료된 시편은 알파스텝을 이용하여 두께를 측정했다.

  논문 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  박막제조기술

  sputterRF sputtertarget---+---+-substrate + chamber+++-+++-+TimeMagnetron sputterDC RF Magnetron sputterIon ... sputtering PLD MBEGrowth rate : evaporation sputtering PLD MBEChemical vapor depositionCVD overview ... does not need to be as highPVD SummaryCost : evaporation sputtering PLD MBEFilm quality : evaporation

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25

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  표면개질공학 실험레포트(전자배치, 형광등 점등원리 등)

  오비탈은 모양에 따라 s, p, d, f로 나타낸다고 했는데 s는 한칸, p는 세칸, d는 다섯칸, f는 일곱칸으로 이루어져 있다.④전자배치의 법칙? ... 전자배치에 대하여 설명하고, 이의 재료 성질에 미치는 영향을 설명하시오.1.전자배치(오비탈, 전자껍질)①오비탈 : 오비탈(궤도함수)은 전자가 분포하는 확률인데, 그 분포 모양에 따라 s,

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.14

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  재공실 - sputtering 예비보고서

  RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해1. ... 그런 이유로 각 입자의 운동속도도 아주 큰 차이를 보이는데 이는 sheath, debye shielding 같은 현상을 초래한다.4) 자기적 특성:플라즈마 내부에 있는 전자와 이온들은

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  Ferroelectric 캐패시터의 하부전극에의 응용을 위한 IrO2 박막 증착 및 특성분석

  한국재료학회 허재성, 최훈상, 김도영, 장유민, 이장혁, 최인훈

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  증착조건과 진공열처리 온도에 따른 ITO/PES 박막의 특성 연구

  한국재료학회 이재영, 박지혜, 김유성, 천희곤, 유용주, 김대일

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  스퍼터링

  마그네트론 스퍼터링 (Magnetron Sputtering)마그네트론 스퍼터링 기술은 발생된 플라즈마(아르곤 등의 비활성가스)를 영구자석을 이용해 만든 자기장을 이용해서 수백볼트의 ... 여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 스퍼터링에 사용된다.2. ... 직류 스퍼터링 (DC Sputtering)스퍼터링 방법은 스퍼터링 가스를 진공상태인 chamber에 주입하여 증착시키고자 하는 타겟물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후 이를 기판(substrate

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.21

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  CIGS 개론

  system마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)이란 발생된 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해 기판에 형성시키는 방법이다. ... Magnetron은 타겟 밑이 놓으며 인가된 전원에 따라 RF-DC magnetron sputtring이라 한다.그림4 magnetron sputteri 스퍼터링법은 시료 물질이 진공 ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.그림3 RF sputtering

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.02.08 | 수정일 2015.08.24

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  RF Magnetron Sputtering

  cathode로 하여 sputtering 할때 주파수가 10MHz이상 되어야 효과적인 sputtering이 일어남 (13.56MHz, 27.12MHz의 RF가 사용) 절연체 target은 ... 증가 Re-Sputter을 막음 Gas의 Ion의 밀도높여줌Sputter gun 종류Plasma sputter gunIonEtch-GenAtomic Hydorgen sourcee-fluc ... sputtering(낮은 압력에서도 사용가능) 낮은 MHz영역에서 ion들은 질량이 크기 때문에 potential oscillation을 효과적으로 따라갈 수 없다 Target을

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.04.20

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  p-Si 기판에 성장한 BaTiO3 박막의 두께와 구조적 특성과의 관계

  한국재료학회 민기득, 이종원, 김선진

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Influence of Plasma Discharge Power on the Electrical and Optical Properties of Aluminum Doped Zinc Oxide Thin Films

  한국재료학회 Moon, Yeon-Keon, Park, Jong-Wan

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  RF마그네트론 스퍼터링 법에 의해 증착된 SrBi2Nb2O9 박막의 Bi 량의 조절에 따른 특성분석

  한국재료학회 이종한, 최훈상, 성현주, 임근식, 권영석, 최인훈, 손창식

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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