"magnetron sputtering" 검색결과 121-140 / 228건

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  [박막] RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ZnO박막에 관한 연구

  {Fig. 1 Schemic diagram of rf magnetron sputtering systems. ... 실험 방법실험에서는 Fig. 1과 같이 RF 마그네트론 스퍼터 장치를 사용하여 ZnO 박막을 제조하였다. ... 또한 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Al을 이용하여 전극폭 8 ㎛의 IDT(Inter-digital transducer)를 기판과 ZnO 박막 사이에 형성하여 SAW 필터를

  리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2004.12.05

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  Copper Sputtering

  . magnetron sputter를 이용하여 P-type 100 si-wafer(500㎛)에 Power를 변수로 Cu target을 증착시켜 그 증착두께의 변화를 측정하고, 증착두께에 ... Sputtering을 이용한 Cu 박막 증착과 그 성질Key words : Cu2O, CuO, D.C. magnetron sputtering, Sheet resistanceAbstractsD.C ... 스퍼터율에 영향을 미치는 주요 요소는 다음과 같다.① Target의 결정 방향 : 침투하기 유리한 결정면 에 대해서는 sputter yield 감소.② Target의 온도 : sputter

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.25

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  반도체 공정의 이해

  전원장치 evaporation 은 sputtering 대비 높은 증착률을 가지지만 , 기화된 material 은 단방향성을 가지고 있 화학적 물리적 연마평탄화공정 ) CMP 가 적용되는 ... /oxidation/Sol-gel ) (5) Evaporation Sputtering Ar, O2 진공 챔버 plasma Substrate heater 형성된 박막 이온화된 Ar magnetron ... Vapor deposition ) Oxidation Sol-gel : TEOS 라는 용매액을 사용해 액체를 젤로 다시 젤을 고체물질로 변화시켜 막을 형성 Sputtering( DC/RF/magnetron

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비

  이 형의 변형으로서 주로 금속피막 형성에 이용되고 있는 sputter gun이 있고 전자빔 증착장치와 동일한 용도로 이용되고 있다. ... Planar magnetron형 고속 스퍼터링 장치에서는 in-line형으로 진공조 내에 웨이퍼가 자동운반되어 타게트 아래를 통과해 나가면서 박막형성이 행해지는 장치도 있다.,각종 ... 이 목적으로 타게트 재료의 뒤쪽에 영구자석을 배치하고 직교전자계하에서 전자에 cycloid 운동을 일으키게 해서, 타케트 표면에서의 플라즈마 밀도를 높인 planar magnetron형의

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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  E-Beam Sputtering

  Magnetron Sputtering☞장 점- sputtering 효율이 증가- 전자의 와류운동으로 전자의 기판 및 박막에의 충돌 감소따라서 기판온도 상승효과가 적다- SiO2, Al2O3 ... 등의 절연체의 경우에도 성막속도가 크다.- 유전체 재료의 sputter 또는 reactive sputter가 가능- 주어진 input power에서 성막속도가 일정☞단 점- 자기장이 ... target 표면에 수직으로 들어오고 나가도록 해야함- 자기장 근처에서의 선택적인 sputter로 target의 소모성이 크다- 자성재료 등의 sputtering시 자기장이 target

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  금속 박막증착

  구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 ... target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC의 단점을 보완해 준다.그리고 일반적으로 사용되는 고주파의 주파수는 13.56MHz이다.장 ... 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로날아가서 박막을 형성하는 방법이다.① DC 스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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  [LCD실험] Color filter 제작 및 분석

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... 농도에 따라 변하므로 흡광도 A=log(1/광계수, c : 몰농도, l : 샘플의 길이 )공정 process1)증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 ... 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 solvent류가 있다.

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  각종증착장비에대하여...

  Bias SputteringBias sputtering은 sputter 하기 전 기판에 (-) bias를 걸어주어 기판을 sputter하는 sputter etch와 sputtering하는 ... sputtering을 이용한다. ... bias sputtering이 필수적이다.?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  각종 진공 pump 원리 및 사용 방법

  Sputtering 증착법: DC sputtering 증착법v DC sputter의 구조⑹. ... Sputtering 증착법: RF Sputtering 증착법v RF sputter의 구조⑺. ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.03

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  RF sputtering Magnetron sputtering Ion-beam sputtering금속Cu,Au,Al,Co,Ni,Fe,Si저항막,전극, 반사막,태양전지,Sensor, ... 단점 1)성막속도가 낮다( 10Å/sec ) -magnetron sputtering 으g이온충돌에 의한 모재의 세정효과와 높은 이온 에너지로 인해 공극이나 불순물등이 없는 치밀한 조직을 ... 사용할 수 있다. 6)기판의 sputter etching 으로 pre-cleaning이 가능하다. 7)O2 N2 등의 reactive sputtering 으로 산화물 또는 질화물

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  반도체 입문교제(Metal)

  전자가 target 부근에서만 운동하므로, 실제로 sputtering이 일어나는 target 표면 근처에서 Ar을 집중적으로 이온화시킬수 있다. ... 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2 ... 최근에는 막 두께의 uniformity, deposition rate, target erosion 개선을 위해, 기존의 planer Magnetron 방식 대신 자장의 범위를 target

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로 ... 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 또는 제 2층에 있는 원자의 어떤 것을 격자 형태로부터 뜯어내어 공간을 튀어나가게 하는 데 이것이 sputtering

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  반도체공정 레포트 최종

  target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.⑤ 박막의 균일도가 크다.반면에 4가지 ... 쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.스퍼터링 방법의 장점은 다음과 같다.① 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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  sputter deposition에 대한 이해

  electron trajectories.(4) magnetron sputtering system1 electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow ... Unbalanced magnetron sputtering(1) 특징1 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기가 다르oCM(0.5:1), UM(2:1), DSSD(10:1)(9) unbalanced ... RF sputtering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

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  Aluminium Sputtering

  Magnetron Sputtering을 이용한 Al 박막 증착Key words : D.C. magnetron sputtering, Ohm's Law, Drude's theory, Sheet ... resistanceAbstractsD.C. magnetron sputter를 이용하여, P-type 100 si-wafer에 Aluminium을 power를 변수로 증착시켜 그 증착두께의 ... 실험 결과, sputter system에서 power의 세기는 플라즈마 형태로 된 Ar 양이온이 갖게 되는 힘을 크게 하여 증착두께를 두껍게 하는 비례적인 결과를 보였다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.25

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  ITO

  sputtering에 적합함3) Magnetron SputteringTarget(Cathode) 뒷면에 영구자나 전자석을 배치함으로써, 전기장에 의해(RF or DC) cathode로부터 ... 양이온 In3+○:음이온 O2-ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환고용된 형태◆ ITO GlassITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering ... 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar압력하에 Sputter할 수 있게 하거나, magnetron방식을 사용하여 해결할 수 있다.2) RF sputteringDC Sputtering에서는

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05

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  [전자공학][공학][초전도이론][제어시스템][반도체][다이오드]전자공학의 교과과정, 전자공학과 초전도이론, 전자공학과 제어시스템, 전자공학과 반도체, 전자공학과 다이오드 분석

  박막제작에 가장 많이 쓰이고 있는 방법은 off-axis magnetron sputtering 과 고출력 엑시머 레이저를 이용한 레이저 증착(PLD) 방법이다. ... ■microelectronics■electronic systems■telecommunication systems■computer engineeringComputer engineering ... 더 낮거나 안전한 전압, 즉 보통 12V로 변환시킨다, main supply를 더 낮은 전압으로의 변환은 앞부분 “전력”에서 설명했던 변압기의 사용으로 이루어진다, 예를 들면 240V의

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.25

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  Sputtering

  필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron sputtering 강한 자기장을 이용하여 target 근처 plasma 밀도를 ... - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속 ... 조업이 가능 단점 증착속도가 매우 느림 증착 조건이 민감하고 서로 영향을 끼침 고전압을 사용하므로 작업상 주의 요망Micromachining ProcessSputtering 종류DC sputtering

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03

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  LG 디스플레이

  sputtering을 이용하여 증착한 ZnO기반의 박막트렌지스터의 후열처리에 따른 특성을 비교하는 실험에 참여하여 웨이퍼를 직접 cleanning 해보고 마스크를 씌워 채널부와 단자부분을 ... 이루어 지고 있습니다.저는 전자 공학도로서 물리전자나 반도체소자 양자전자등의 과목을 수강하며 반도체를 배우고 졸업 후 OO대 박막재료 연구실에 인턴으로 4개월간 근무를 하며 DC magnetron ... 주어진 조건에 맞게 증착해 보았습니다.증착 후 소자의 열처리 전과 후의 transfer 특성과 stability특성을 찍어보고 연구하는 작업을 수행 했습니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.09.11

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  LOW-E 유리

  √방법: 완제품 상태의 판유리를 Ar기체로 채워진진공 chamber에 고전압을 걸어 이온화된Ar양이온이 target코팅물질에 강한 운동에너지로 충돌(sputter)하여 target에서방출된 ... 진공 증착밥(Magnetron Sputtering, Soft-coationg)√진공증착법 이란? ... - Low-E-Saint Gobain - Planitherm-VIRACON종합검토의견-전반적인 광학적 성능이 soft 코팅 제품이 우수-생산 가격이 hard 코팅 제품보다 soft

  리포트 | 19페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.06.28

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